Intensive researches have been focused on the 3-dimensional packaging technology using through silicon via (TSV) to overcome the limitation in Cu interconnection scaling. Void-free filling of TSV by the Cu electrodeposition is required for the fabrication of reliable electronic devices. It is generally known that sufficient inhibition on the top and the sidewall of TSV, accompanying the selective Cu deposition on the bottom, enables the void-free bottom-up filling. Organic additives contained in the electrolyte locally determine the deposition rate of Cu inside the TSV. Investigation on the additive chemistry is essential for understanding the filling mechanisms of TSV based on the effects of additives in the Cu electrodeposition process. In this review, we introduce various filling mechanisms suggested by analyzing the additives effect, research on the three-additive system containing new levelers synthesized to increase efficiency of the filling process, and methods to improve the filling performance by modifying the functional groups of the additives or deposition mode.
In an effort to overcome the problems which arise when fabricating high-aspect-ratio TSV(through silicon via), we performed experiments involving the void-free Cu filling of a TSV(10~20 ${\mu}m$ in diameter with an aspect ratio of 5~7) by controlling the plating DC current density and the additive SPS concentration. Initially, the copper deposit growth mode in and around the trench and the TSV was estimated by the change in the plating DC current density. According to the variation of the plating current density, the deposition rate during Cu electroplating differed at the top and the bottom of the trench. Specifically, at a current density 2.5 mA/$cm^2$, the deposition rate in the corner of the trench was lower than that at the top and on the bottom sides. From this result, we confirmed that a plating current density 2.5 mA/$cm^2$ is very useful for void-free Cu filling of a TSV. In order to reduce the plating time, we attempted TSV Cu filling by controlling the accelerator SPS concentration at a plating current density of 2.5 mA/$cm^2$. A TSV with a diameter 10 ${\mu}m$ and an aspect ratio of 7 was filled completely with Cu plating material in 90 min at a current density 2.5 mA/$cm^2$ with an addition of SPS at 50 mg/L. Finally, we found that TSV can be filled rapidly with plated Cu without voids by controlling the SPS concentration at the optimized plating current density.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
/
v.3
no.3
/
pp.114-121
/
2003
Through comparing stress state of TEOS and SiLK-embedded structures, the effect of low-k materials on stress and stress distribution in via-line structures were investigated using three-dimensional finite element analyses. In the case of TEOS-embedded via-line structures, hydrostatic stress was concentrated at the via and the top of the lines, where the void was suspected to nucleate. On the other hand, in the via-line structures integrated with SiLK, large von-Mises stress is maintained at the via, thus deformation of via is expected as the main failure mode. A good correlation between the calculated results and experimentally observed failure modes according to dielectric materials was obtained.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
/
v.21
no.3
/
pp.63-66
/
2014
In this study, we investigated the effects of Cu TSV on the thermal management of 3D stacked IC. Combination of backside point-heating and IR microscopic measurement of the front-side temperature showed evolution of hot spots in thin Si wafers, implying 3D stacked IC is vulnerable to thermal interference between stacked layers. Cu TSV was found to be an effective heat path, resulting in larger high temperature area in TSV wafer than bare Si wafer, and could be used as an efficient thermal via in the thermal management of 3D stacked IC.
Journal of the Korean institute of surface engineering
/
v.55
no.2
/
pp.63-69
/
2022
Preparing various types of thin films of oxide semiconductors is a promising approach to fabricate efficient photoanodes and photocathodes for hydrogen production via photoelectrochemical (PEC) water splitting. In this work, we investigate the feasibility of an efficient photocathode for PEC water reduction of a p-type oxide semiconductor cupric oxide (CuO) thin film prepared via a facile method combined with sputtering Cu metallic film on fluorine-doped thin oxide (FTO) coated glass substrate and subsequent thermal oxidation of the sputtered Cu metallic film in dry air. Characterization of the structural, optical, and PEC properties of the CuO thin film prepared at various Cu sputtering powers reveals that we can obtain an optimum CuO thin film as an efficient PEC photocathode at a Cu sputtering power of 60 W. The photocurrent density and the optimal photocurrent conversion efficiency for the optimum CuO thin film photocathode are found to be -0.3 mA/cm2 and 0.09% at 0.35 V vs. RHE, respectively. These results provide a promising route to fabricating earth-abundant copper-oxide-based photoelectrode for sunlight-driven hydrogen generation using a facile method.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
/
2018.06a
/
pp.141-141
/
2018
Copper is one of the most abundant metals on earth. Its oxide (CuO) is an intrinsically p-type metal-oxide semiconductor with a bandgap ($E_g$) of 1.2-2.0 eV 1. Copper oxide nanomaterials are considered as promising materials for a wide range of applications e.g., lithium ion batteries, dye-sensitized solar cells, photocatalytic hydrogen production, photodetectors, and biogas sensors 2-7. Recently, high-density and uniform CuO nanostructures have been grown on Cu foils in alkaline solutions 3. In 2011, T. Soejima et al. proposed a facile process for the oxidation synthesis of CuO nanobelt arrays using $NH_3-H_2O_2$ aqueous solution 8. In 2017, G. Kaur et al. synthesized CuO nanostructures by treating Cu foils in $NH_4OH$ at room temperature for different treatment times 9. The surface treatment of Cu in alkaline aqueous solutions is a potential method for the mass fabrication of CuO nanostructures with high uniformity and density. It is interesting to compare the gas sensing properties among CuO nanomaterials synthesized by this approach and by others. Nevertheless, none of above studies investigated the gas sensing properties of as-synthesized CuO nanomaterials. In this study, CuO nanowalls versus nanoparticles were synthesized via the oxidation process of Cu foil in NH4OH solution at $50-70^{\circ}C$. The gas sensing properties of the as-prepared CuO nanoplates were examined with $C_2H_5OH$, $CH_3COCH_3$, and $NH_3$ at $200-360^{\circ}C$.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
/
v.29
no.5
/
pp.563-571
/
2012
In 3D integration package using TSV technology, bonding is the core technology for stacking and interconnecting the chips or wafers. During bonding process, however, warpage and high stress are introduced, and will lead to the misalignment problem between two chips being bonded and failure of the chips. In this paper, a finite element approach is used to predict the warpages and stresses during the bonding process. In particular, in-plane deformation which directly affects the bonding misalignment is closely analyzed. Three types of bonding technology, which are Sn-Ag solder bonding, Cu-Cu direct bonding and SiO2 direct bonding, are compared. Numerical analysis indicates that warpage and stress are accumulated and become larger for each bonding step. In-plane deformation is much larger than out-of-plane deformation during bonding process. Cu-Cu bonding shows the largest warpage, while SiO2 direct bonding shows the smallest warpage. For stress, Sn-Ag solder bonding shows the largest stress, while Cu-Cu bonding shows the smallest. The stress is mainly concentrated at the interface between the via hole and silicon chip or via hole and bonding area. Misalignment induced during Cu-Cu and Sn-Ag solder bonding is equal to or larger than the size of via diameter, therefore should be reduced by lowering bonding temperature and proper selection of package materials.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
/
v.16
no.3
/
pp.19-24
/
2009
Formation of an adhesion/barrier layer and a seed layer by sputtering techniques followed by electroplating has been one of the most widely used methods for the filling of through-Si via (TSV) with high aspect ratio for 3-D packaging. In this research, the adhesion and diffusion-barrier properties of the $TaN_x$ film deposited by reactive sputtering were investigated. The adhesion strength between Cu film and $SiO_2$/Si substrate was quantitatively measured by $180^{\circ}$ peel test and topple test as a function of the composition of the adhesive $TaN_x$ film. As the nitrogen content increased in the adhesive $TaN_x$ film, the adhesion strength between Cu and $SiO_2$/Si substrate increased, which was attributed to the increased formation of interfacial compound layer with the nitrogen flow rate. We also examined the diffusion-barrier properties of the $TaN_x$ films against Cu diffusion and found that it was improved with increasing nitrogen content in the $TaN_x$ film up to N/Ta ratio of 1.4.
Seo, Youngsik;Cho, Young-Sik;Huh, Young-Duk;Park, Heonyong
Molecules and Cells
/
v.39
no.3
/
pp.195-203
/
2016
Copper is an essential element required for a variety of functions exerted by cuproproteins. An alteration of the copper level is associated with multiple pathological conditions including chronic ischemia, atherosclerosis and cancers. Therefore, copper homeostasis, maintained by a combination of two copper ions ($Cu^+$ and $Cu^{2+}$), is critical for health. However, less is known about which of the two copper ions is more toxic or functional in endothelial cells. Cubic-shaped $Cu_2O$ and CuO crystals were prepared to test the role of the two different ions, $Cu^+$ and $Cu^{2+}$, respectively. The $Cu_2O$ crystal was found to have an effect on cell death in endothelial cells whereas CuO had no effect. The $Cu_2O$ crystals appeared to induce p62 degradation, LC3 processing and an elevation of LC3 puncta, important processes for autophagy, but had no effect on apoptosis and necrosis. $Cu_2O$ crystals promote endothelial cell death via autophagy, elevate the level of reactive oxygen species such as superoxide and nitric oxide, and subsequently activate AMP-activated protein kinase (AMPK) through superoxide rather than nitric oxide. Consistently, the AMPK inhibitor Compound C was found to inhibit $Cu_2O$-induced AMPK activation, p62 degradation, and LC3 processing. This study provides insight on the pathophysiologic function of $Cu^+$ ions in the vascular system, where $Cu^+$ induces autophagy while $Cu^{2+}$ has no detected effect.
Journal of the Korean institute of surface engineering
/
v.46
no.4
/
pp.158-161
/
2013
Recently, the weight reduction and miniaturization of the electronics have placed great emphasis. The miniaturization of PCB (Printed Circuit Board) as main component among the electronic components has also become progressed. The use of acid copper plating process for Via-Filling effectively forms interlayer connection in build-up PCBs with high-density interconnections. However, in the case of copper-via filled in a bath, which is greatly dependent on the effects of additives. This paper discusses effects of Cl ion on the filling of PCB vias with electrodeposited copper based on both electrochemical experiment and practical observation of cross sections of vias.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.