• 한국분말재료학회지
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• 제27권2호
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• pp.111-118
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• 2020

The convergence of artificial intelligence with smart factories or smart mechanical systems has been actively studied to maximize the efficiency and safety. Despite the high improvement of artificial neural networks, their application in the manufacturing industry has been difficult due to limitations in obtaining meaningful data from factories or mechanical systems. Accordingly, there have been active studies on manufacturing components with sensor integration allowing them to generate important data from themselves. Additive manufacturing enables the fabrication of a net shaped product with various materials including plastic, metal, or ceramic parts. With the principle of layer-by-layer adhesion of material, there has been active research to utilize this multi-step manufacturing process, such as changing the material at a certain step of adhesion or adding sensor components in the middle of the additive manufacturing process. Particularly for smart parts manufacturing, researchers have attempted to embed sensors or integrated circuit boards within a three-dimensional component during the additive manufacturing process. While most of the sensor embedding additive manufacturing was based on polymer material, there have also been studies on sensor integration within metal or ceramic materials. This study reviews the additive manufacturing technology for sensor integration into plastic, ceramic, and metal materials.

• 전자공학회논문지
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• 제54권6호
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• pp.25-29
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• 2017

본 논문에서는 듀로이드와 FR4를 기판으로 하는 재배선층 위에 정전 구동 방식의 RF MEMS 스위치와 승압 DC-DC 컨버터를 결합하는 연구를 진행하였다. 상용 PCB(Printed Circuit Board) 공정으로 듀로이드와 GCPW 전송 선로 조합의 재배선층과 FR4와 CPW 전송 선로 조합의 재배선층을 제작하였다. 상용 PCB 공정 특성에 의하여 전송 선로의 특성 임피던스는 56옴, 59옴 이었으며 이에 대하여 비교 분석하였다. 듀로이드 기판은 유전상수가 작고 두께가 얇으며 GCPW를 적용하였기 때문에 상대적으로 유전상수가 크고 두께가 두꺼우며 CPW 전송 선로를 적용한 FR4 기판보다 6GHz 대역에서 삽입 손실은 약 2.08dB, 반사 손실은 약 3.91dB, 신호 분리도는 약 3.33dB 우수한 것을 확인하였다.

• Journal of Information Display
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• 제10권1호
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• pp.33-36
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• 2009

A new hybrid silicon thin-film transistor (TFT) fabrication process using the DPSS laser crystallization technique was developed in this study to realize low-temperature poly-Si (LTPS) and a-Si:H TFTs on the same substrate as a backplane of the active-matrix liquid crystal flat-panel display (AMLCD). LTPS TFTs were integrated into the peripheral area of the activematrix LCD panel for the gate driver circuit, and a-Si:H TFTs were used as a switching device of the pixel electrode in the active area. The technology was developed based on the current a-Si:H TFT fabrication process in the bottom-gate, back-channel etch-type configuration. The ion-doping and activation processes, which are required in the conventional LTPS technology, were thus not introduced, and the field effect mobility values of $4\sim5cm^2/V{\cdot}s$ and $0.5cm^2/V{\cdot}s$ for the LTPS and a-Si:H TFTs, respectively, were obtained. The application of this technology was demonstrated on the 14.1" WXGA+(1440$\times$900) AMLCD panel, and a smaller area, lower power consumption, higher reliability, and lower photosensitivity were realized in the gate driver circuit that was fabricated in this process compared with the a-Si:H TFT gate driver integration circuit

• 한국전자파학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.61-70
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• 2008

본 논문에서는 멤스 기술의 하나인 연성 인쇄 회로 기판을 이용하여 임의의 형태로 변형이 가능한 초고주파 멤스 송신기를 제안하였다. 연성 인쇄 회로 기판은 그 무게가 가볍고 두께가 얇아 경량 소형화 모듈을 만드는데 유리한 장점이 있다. 또한, 연성 인쇄 회로 기판은 종이와 같이 유연한 특성을 가지고 있어 평면이 아닌 임의의 곡면 등에 실장할 수 있는 장정을 가지고 있다. 본 논문에서는 근거리 센서 네트워크 구성을 위한 직교 주파수 분할 다중 전송 방식을 위한 선형 무선 송신기를 설계 제작하였다. 송신 모듈의 능동 회로는 전력효율이 높고 선형성이 우수하여 전력 증폭기에 많이 사용되고 있는 InGaP/GaAs HBT 공정을 사용하여 설계 및 제작하였으며, 매칭 회로 및 필터 등의 수동 회로는 연성 인쇄 회로 기판에 직접 집적화 하여 제작하였다. 제작된 멤스 송신기는 EVM 특성을 통하여 시스템 성능을 분석하였다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.659-664
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• 2016

본 논문에서는 고속 동작과 저전력 동작을 요구하는 디지털 회로 시스템에 사용될 수 있는 Current-mode FIR Filter를 위한 OTA(:Operational Trans-conductance Amplifier) 회로를 제안한다. Current-mode 신호처리는 동작 주파수와 상관없이 일정한 전력을 유지하는 특징이 있기 때문에 고속 동작을 요구하는 디지털 회로 시스템의 저전력 동작에 매우 유용한 회로설계 기술이라고 할 수 있다. 0.35um CMOS 공정을 이용한 시뮬레이션 결과, Vdd=2V에서 전원 전압의 50%에 해당하는 약 1V의 Dynamic Range를 확보하였으며, 약 0~200uA의 출력전류를 확인하였다. 설계한 OTA 회로의 전력은 약 21uW가 계산되었으며, Active Layout 면적은 $71um{\times}166um$ 사이즈로 집적화에 유리할 것으로 기대된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권8호
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• pp.13-22
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• 2010

Independent-Gate-Mode Double-Gate(IGM-DG) MOSFET은 기존의 bulk-MOSFET에 비해 향상된 채널 제어능력을 가지며, front-게이트와 back-게이트를 서로 다른 전압으로 구동가능하다는 이점을 가진다. 따라서, 이를 이용한 회로설계는 4-terminal의 자유도를 이용함으로써 회로성능의 향상 뿐 아니라 집적도 향상을 기대할 수 있다. 본 논문에서는 IGM-DG MOSFET의 장점을 이용하여 TIA, feedforward LA, 및 OB로 구성된 15Gb/s 광수신기를 설계하고, HSPICE 시뮬레이션을 통한 회로성능 검증 및 외부환경과 소자의 특성변화에 따른 안정성을 검증하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제48권2호
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• pp.55-60
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• 2011

그동안 신경망칩의 설계에는 주로 아날로그 Maximum Selector (MS) 회로를 사용하였다. 그러나 집적도가 높아질수록 아날로그 MS회로는 신호의 해상도(Resolution)을 높이는데 어려움이 있다. 반면 디지털 MS 회로는 높은 해상도를 얻기는 쉬우나 속도가 느린 단점이 있었다. 본 논문에서는 신경망칩의 디지털화에 사용하기 위한 MSIT(Maximum Selector with Internal Trigger-Signal) 라는 고속의 디지털 MS회로를 개발하였다. MSIT는 제어신호 발생기를 내장하여 안정적인 동작을 확보하고, 불필요한 대기시간을 없애도록 이를 최적화 함으로써 높은 속도를 얻을 수 있다. 1.2V-$0.13{\mu}m$ 프로세스의 모델파라메터를 사용하여 32 개의 10 비트 데이터에 대하여 시뮬레이션을 수행한 결과 3.4ns의 응답시간을 얻을 수 있었다. 이는 동급의 해상도를 갖는 아날로그 MS회로 보다 훨씬 빠른 속도로써, MSIT와 같은 디지털 MS 회로가 아날로그 MS회로에 비하여 높은 해상도와 빠른 속도를 구현할 수 있음을 보여준다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제21권2호
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• pp.143-149
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• 2021

BLDC 전동기는, 영구자석의 고성능화를 비롯한 소재 기술 향상, 고집적·고기능화를 갖는 구동 IC 기술의 진보, 고점적율화 등의 조립 기술 개선 등으로 인하여 성능이 점점 좋아지고 있다. 이러한 구형파 구동 BLDC 전동기의 장점이 있으면서 보다 사용자의 요구에 대응하기 위해 구형파 구동 BLDC 영구자석 전동기 설계 및 개발, 위치검출방식 회로와 드라이버 개발에 관심이 증가하고 있다. 그러나 스위칭 손실에 의한 효율 저하 및 진동, 소음 등으로 인하여 가격적·기능적인 장점에도 불구하고 그 응용에 있어서는 다소 제한적인 실정이다. 따라서 본 논문에서는 정현파가 발생하는 Hall Effect Sensor를 사용하여 BLDC 전동기 회전자의 자속에 비례하여 정현파 신호를 만드는 위치검출 회로를 연구하여 전동기의 효율 증대, 리플 저감, 속도 및 토크 특성이 우수한 정현파 전류 구동을 구현하고자 한다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권4호
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• pp.280-285
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• 2004

In this paper, a 9-bit analog-to-digital converter (ADC) is designed for optical disk drive (ODD) servo applications. In the ADC, the circuit technique to increase the operating range of the sample-and-hold amplifier is proposed, which can process the wide-varying input common-mode range. The algorithmic ADC structure is chosen so that the area can be significantly reduced, which is suitable for SoC integration. The ADC is fabricated in a 0.18-$\mu\textrm{m} $ CMOS 1P5M technology. Measurement results of the ADC show that SNDR is 51.5dB for the sampling rate of 6.5MS/s. The power dissipation is 36.3mW for a single supply voltage of 3.3V.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1103-1105
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• 2002

A conventional AC-DC boost converter has much variation of input current as more increased the load or output voltage by the hysterical control method that is comparing area of current pulse by using PWM method and integration to sinusoidal input current. To improve the problems. in this paper, we propose the single-phase voltage doubler AC-DC converter circuit using the capacitor for boost:confirm characteristics of normal and transition state by using simulation, be stabilized voltage of doubler capacitor for boost, and Identify to get the sinusoidal input current with unity power factor.