• 전자공학회논문지
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• 제51권3호
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• pp.177-184
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• 2014

화학기상증착의 텅스텐 실리사이드 듀얼 폴리 게이트 구조에서 플로린이 게이트 산화막에 미치는 영향을 전기적 물리적 측정 방법을 사용하여 연구하였다. 플로린을 많이 함유한 텅스텐 실리사이드 NMOS 트랜지스터에서 채널길이가 감소함에 따라 게이트 산화막 두께는 감소하여 트랜지스터의 롤업(roll-off) 특성이 심화된다. 이는 게이트 재 산화막 열처리 공정에 의해 수직방향으로의 플로린 확산과 더불어 수평방향인 게이트 측면 산화막으로의 플로린 확산에 기인한다. 채널길이가 짧아질수록 플로린의 측면방향 확산거리가 작아져 수평방향 플로린 확산이 증가하고 그 결과 게이트 산화막의 두께는 감소하게 된다. 반면에 PMOS 트랜지스터에서는 P형 폴리를 만들기 위한 높은 농도의 붕소가 플로린의 게이트 산화막으로의 확산을 억제하여 채널길이에 따른 산화막 두께 변화 특성이 보이지 않는다.

• 대한기계학회논문집B
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• 제24권5호
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• pp.632-639
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• 2000

Conjugate heat transfer from a heat generating module ($31{\times}31{\times}7mm^3$) bonded through the module support on the floor of a parallel-plate channel(20mm high, 400mm wide, and 800mm long) to mixed convective air flow(0.2${\sim}$0.9m/s) is studied experimentally. The input power to the module is changed in a range 1.0${\sim}$4.5W, the floor thickness 0.2${\sim}$5mm, and the thermal resistance of module support, Rc:=0.06, 1.03 and 82.0K/W. Thermal conductance(Uc) of the board and convective thermal conductance($U_A$) from the module were derived, and the effect of V; Rc and t on Uc was investigated. It is found that the conjugate conductance (Uc) and the conductive heat transfer ratio ($Q_B$/Q) depend on the thermal resistance of the module support, the air velocity and the board thickness. The change of the module support resistance and the board thickness helps to elucidate the relative significance of heat transfer paths through the module support, the board, and from the board surface to the air. Additional information is investigated about the dependence of the heat transfer rate on the mixed convection parameter.

• 한국항공우주학회지
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• 제31권7호
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• pp.112-117
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• 2003

본 연구에서는 재생 냉각용 연소기에 적용되고 있는 동합금과 2상 스테인리스강의 최적 브레이징 조건을 구하였다. 모재는 C18200 동합금과 S31803 2상 스테인레스강을, 삽입금속으로 두께가 각각 50${\mu}m$, 80${\mu}m$인 AMS4764를 사용하였다. 브레이징한 시제에 대하여 X선 검사, 강도/기밀 및 파괴시험, 파단면 관찰을 한 결과 두께 50${\mu}m$인 삽입금속을 사용한 경우 강도특성과 접합면이 양호함을 확인하였다. 반면 두께 80${\mu}m$인 삽입금속을 사용한 경우는 강도특성은 양호하였으나 냉각유로의 막힘 현상과 유로 확대를 확인하였다.

• Journal of Mechanical Science and Technology
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• 제16권7호
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• pp.927-934
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• 2002

The HANARO ( High-flux Advanced Neutron Application Reactor) has been operated since 1995. The Cold Neutron (CN) hole was implanted in the reflector tank from the design stage. Before a vacuum chamber and a moderator cell for the cold neutron source are installed into the CN hole, it is necessary to measure exactly the size of the inside diameter and thickness of the CN hole to prevent the interference problem. Due to inaccessibility and high radiation field in the CN hole, a mechanical measurement method is not permitted. The immersed ultrasonic technique is considered as the best way to measure the thickness and the diameter of the CN hole. The 4-Axis manipulator was designed and fabricated for locating the ultrasonic sensors. The transducer of an ultrasonic sensor having 10 MHz frequency leads to high resolution as much as 0.03mm. The inside diameter and thickness of 550 points of the CN hole were measured using 2 channel ultrasonic sensors. The results show that the thickness and inside diameter of the CN hole is in the range of 3.3∼6.7mm and 156∼ 165mm, respectively. This data will be a good reference for the design of the cold neutron source facility.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권3호
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• pp.30-35
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• 2020

A microlens has been fabricated by various methods such as a thermal reflow, hot embossing, diamond milling, etc. However, these methods require a relatively complex process to control the microlens shape. In this work, we report on a simple and cost-effective method to fabricate a cylindrical microlens (CML), which can diffuse light widely. We have employed a slot-die head with the dual plate (a meniscus guide with a protruded μ-tip and a shim with a slit channel) for coating of a narrow stripe using poly(methyl methacrylate) (PMMA). We have shown that the higher the coating gap, the lower the maximum coating speed, which causes an increase in the stripe width and thickness. The coated PMMA stripe has the concave shape. To make it in the shape of a convex microlens, we have applied the thermal reflow method. When the stripe thickness is small, however, its effect is negligible. To increase the stripe thickness, we have increased the number of repeated coating. With this scheme, we have fabricated the CML with the width of 223 ㎛ and the thickness of 7.3 ㎛. Finally, we have demonstrated experimentally that the CML can diffuse light widely, a feature demanded for light extraction efficiency of organic light-emitting diodes (OLEDs) and suppression of moiré patterns in displays.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제12권2호
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• pp.112-117
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• 2008

Single-mode propagation conditions of X-ray waveguides are investigated by numerical calculations in order to understand the importance of waveguide design parameters, such as core thickness and the optical constants of waveguide materials, on the transmission and coherence properties of the waveguide. The simulation code for mode analyzing is developed based on a numerical solution of the parabolic wave equation. The initial boundary value problem is solved numerically using a finite-difference scheme based on the Crank-Nicolson scheme. The E-field intensities in a core layer are calculated at an X-ray energy of 8.0 keV for air and beryllium(Be) core waveguides with different cladding layers such as Pt, Au, W, Ni and Si to determine the dependence on waveguide materials. The highest E-field intensity radiated at the exit of the waveguide is obtained from the Pt cladded beryllium core with a thickness of 20 nm. However, the intensity from the air core waveguide with Pt cladding reaches 64% of the Be-Pt waveguide. The dependence on the core thickness, which is the major parameter used to generate a single mode in the waveguide, is investigated for the air-Pt, and Be-Pt waveguides at an X-ray energy of 8.0 keV. The mode profiles at the exit are shown for the single mode at a thickness of up to 20 nm for the air-Pt and the Be-Pt waveguides.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.117-124
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• 2018

박막 두께가 다른 무접합 비정질 InGaZnO 막막 트랜지스터를 제작하고 박막 두께, 동작 온도 및 빛의 세기에 따른 소자의 성능 변수를 추출하고 게이트 산화층 항복전압을 분석하였다. 박막의 두께가 클수록 소자의 성능이 우수하나 드레인 전류의 증가로 게이트 산화층 항복전압은 감소하였다. 고온에서도 소자의 성능은 개선되었으나 게이트 산화층 항복 전압은 감소하였다. 빛의 세기가 증가할수록 광자에 의해 생성된 전자로 드레인 전류는 증가 하였으나 역시 게이트 산화층 항복전압은 감소하였다. 박의 두께가 클수록, 고온일수록, 빛의 세기가 강할수록 채널의 전자수가 증가하여 산화층으로 많이 주입되었기 때문이다. 무접합 a-IGZO 트랜지스터를 BEOL 트랜지스터로 사용하기 위해서는 박막 두께 및 동작 온도를 고려해서 산화층 두께를 설정해야 됨을 알 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.793-798
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• 2012

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 채널 내 도핑분포 및 채널구조에 따른 문턱전압이하 전류의존성을 분석하고자 한다. 전위분포를 구하기 위하여 포아송방정식을 풀 때 전하분포는 가우스분포함수를 이용할 것이며 이의 타당성은 이미 여러 논문에서 입증하였다. 이중게이트 MOSFET는 게이트전압에 의한 전류제어능력의 증가로 단채널 효과를 감소시킬 수 있어 문턱전압이하 특성을 향상시킬 수 있다. 문턱전압이하 영역에서 전류제어는 고집적회로에서 소비전력의 감소와 관계된 매우 중요한 요소이다. 게이트전압에 따른 문턱전압이하 전류의 변화를 이용하여 문턱전압의 변화를 정량적으로 분석할 것이다. 문턱전압이하 전류는 채널 내 도핑분포 및 채널크기에 의하여 영향을 받는다. 그러므로 본 연구에서는 채널길이 및 채널두께의 변화가 전류흐름에 미치는 영향을 채널도핑농도, 도핑분포함수 등에 따라 분석할 것이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.672-677
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• 2013

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널크기 변화에 따른 항복전압의 변화를 분석하였다. 차세대 나노소자인 DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 매우 작은 값을 갖는 항복전압은 정확한 분석이 요구되고 있다. 항복전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 소자 파라미터인 채널의 두께, 도핑농도 등에 대하여 항복전압 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 항복전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 항복전압은 소자파라미터 및 가우시안분포함수의 모양에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.811-814
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• 2012

본 연구에서는 이중게이트 MOSFET의 채널크기 변화에 따른 항복전압의 변화를 분석할 것이다. 차세대 나노소자인 DGMOSFET에 대한 단채널효과 중 매우 작은 값을 갖는 항복전압은 정확한 분석이 요구되고 있다. 항복전압분석을 위하여 포아송방정식의 분석학적 전위분포를 이용하였으며 이때 전하분포함수에 대하여 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였다. 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차 그리고 소자 파라미터인 채널의 두께, 도핑농도 등에 대하여 항복전압 특성의 변화를 관찰하였다. 본 연구의 모델에 대한 타당성은 이미 기존에 발표된 논문에서 입증하였으며 본 연구에서는 이 모델을 이용하여 항복전압특성을 분석할 것이다. 분석결과 항복전압은 소자파라미터 및 가우시안분포함수의 모양에 크게 영향을 받는 것을 관찰할 수 있었다.