단일 기울기 ADC에 사용되는 램프 신호의 기울기는 공정과 주파수 변화에 민감하다. 이러한 변화는 ADC 이득 변화와 이미지 신호 프로세싱의 성능까지 영향을 준다. 본 논문에서는 자동 교정된 램프 신호를 이용한 단일 기울기 ADC를 이용하여 공정과 주파수 변화에 영향을 받지 않은 CMOS 이미지 센서를 제안하다. 본 논문에서 제안된 built-in-self-calibration (BISC) 구조는 공정과 주파수 변화에 상관없이 입력 조도별로 일정한 출력 값을 갖는 단일 기울기 ADC 동작을 가능하게 한다. 제안된 BISC를 탑재한 CMOS 이미지 센서는 $0.35{\mu}m$ 공정을 이용하여 제작하였다. 측정 결과는 제안된 구조가 공정이나 클럭 주파수의 변화에 따라 효과적으로 램프 기울기를 교정한다는 것을 보여준다. 칩 면적의 증가 정도는 $0.7\%$ 미미하였다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제5권2호
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pp.102-106
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2005
A low dark current CMOS image sensor (CIS) pixel without any process modification is developed. Dark current is mainly generated at the interface region of shallow trench isolation (STI) structure. Proposed pixel reduces the dark current effectively by separating the STI region from the photodiode junction using simple layout modification. Test sensor array that has both proposed and conventional pixels is fabricated using 0.18 m CMOS process and the characteristics of the sensor are measured. The result shows that the dark current of the proposed pixel is 0.93fA/pixel that is two times lower than the conventional design.
본 논문에서는 Full 하드웨어 기반 베이스라인 프로파일 레벨 3규격 H.264 인코더 코덱에서 사용할 수 있는 Direct Memory Access (DMA)를 설계하였다. 설계된 모듈은 CMOS Image Sensor(CIS)로부터 영상을 입력받아 메모리에 저장한 후 인코더 코덱 모듈의 동작에 맞춰 원영상과 참조영상을 각각 한 매크로블록씩 메모리에서 읽어 공급 또는 저장하며, 인코더는 한 매크로블록씩 처리하는데 660 cycle이 소요된다. 설계한 구조를 검증하기 위해 JM 9.4와 같은 reference Encoder C를 개발하였으며, Encoder C로부터 test vector를 추출하여 설계한 회로를 검증하였다.
본 논문에서는 CMOS 이미지 센서의 웨이퍼 레벨 어셈블리를 위한 스페이스 제작 방법을 설명하였다. 스페이스 제작을 위해서 SU-8, PDMS, Si-interposer를 이용하는 세 가지 방법을 제안하였다. SU-8 스페이스에서는 균일한 두께 특성을 위해서 웨이퍼 회전 장치를 고안했으며, PDMS 스페이스에서는 glass/PDMS/glass 구조의 정렬 접합을 위해서 새로운 접합 방법을 제안하였다. Si-interposer를 이용한 스페이스 제작에서는 DRF을 이용한 접합 조건을 확립하였다. 세 가지의 실험 결과 Si-interposer를 이용한 스페이스 제작 시 glass/스페이스/glass 구조의 접합력이 가장 뛰어났으며, 접합력의 크기는 32.3MPa의 전단응력을 나타내었다.
International Journal of Aeronautical and Space Sciences
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제13권2호
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pp.260-265
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2012
Satellite devices for fine attitude control of the Science & Technology Satellite-2 (STSAT-2). Based on the mission requirements of STSAT-2, the conventional analog-type sun sensors were found to be inadequate, motivating the development of a compact, fast and fine digital sun sensor (FDSS). The FDSS uses a CMOS image sensor and has an accuracy of less than 0.03degrees, an update rate of 5Hz and a weight of less than 800g. A pinhole-type aperture is substituted for the optical lens to minimize its weight. The target process speed is obtained by utilizing the Field Programmable Gate Array (FPGA), which acquires images from the CMOS sensor, and stores and processes the image data. The sensor accuracy is maintained by a rigorous centroid algorithm. This paper describes the FDSS designs, realizations, tests and calibration results.
The technology and market size of image sensors continue to develop thanks to the release of image sensors that exceed 100 million pixels in 2019 and expansion of black box camera markets for vehicles in addition to existing mobile applications. We review the technology flow of image sensors that have been constantly evolving for 40 years since Hitachi launched a 200,000-pixel image sensor in 1979. Although CCD has made inroads into image sensor market for a while based on good picture quality, CMOS image sensor (CIS) with active pixels has made inroads into the market as semiconductor technology continues to develop, since the electrons generated by the incident light are converted to the electric signals in the pixel, and the power consumption is low. CIS image sensors with superior characteristics such as high resolution, high sensitivity, low power consumption, low noise and vivid color continue to be released as the new technologies are incorporated. At present, new types of structures such as Backside Illumination and Isolation Cell have been adopted, with better sensitivity and high S/N ratio. In the future, new photoconductive materials are expected to be adopted as a light absorption part in place of the pn junction.
An Eye Ball Sensor (EBS) is a system that locates the point where the user gazes on. The conventional EBS using a CCD camera needs many peripherals, software computation causing high cost and power consumption. This paper proposes a compact EBS using smart CMOS Image Sensor (CIS) pixels. The proposed single chip EBS does not need any peripheral and operates at higher speed and lower cost than the conventional EBS. The test chip was designed and fabricated for 32$\times$32 smart CIS pixel array with a 0.35 um CMOS process occupying 5.3$\textrm{mm}^2$ silicon area.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제15권1호
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pp.22-28
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2015
This paper proposes column-parallel three step Single Slope Analog-to-Digital Converter (SS-ADC) for high frame rate VGA CMOS Image Sensors (CISs). The proposed three step SS-ADC improves the sampling rate while maintaining the architecture of the conventional SS-ADC for high frame rate CIS. The sampling rate of the three-step ADC is increased by a factor of 39 compared with the conventional SS-ADC. The proposed three-step SS-ADC has a 12-bit resolution and 200 kS/s at 25 MHz clock frequency. The VGA CIS using three step SS-ADC has the maximum frame rate of 200 frames/s. The total power consumption is 76 mW with 3.3 V supply voltage without ramp generator buffer. A prototype chip was fabricated in a $0.13{\mu}m$ CMOS process.
본 논문에서는 column-parallel readout 회로에 적합하도록 개선된 CMOS 이미지 센서용 algorithmic ADC를 제안한다. 커패시터의 비율과 무관하고 연산 증폭기의 이득에 둔감하면서 증폭기 하나로 동작 할 수 있도록 기존 algorithmic ADC를 수정하고 적응형 바이어싱을 적용한 증폭기를 사용하여 높은 변환효율을 갖도록 하였다. 제안하는 ADC는 0.18-㎛ 매그나칩 CMOS 공정으로 설계되었으며, Spectre 시뮬레이션을 통해 기존 algorithmic ADC에 비해 변환속도당 전력소모가 37% 줄어 들었음을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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