This paper presents the realization of a four-terminal floating nullor (FTFN), which is simple configuration comprised three OTAs. The external bias currents of the OTAs can electronically adjust the current gain of the proposed FTFN. The realization method is suitable for implementation in monolithic integrated form. To demonstrate the circuit performances, the proposed FTFN was simulated by the use of the PSPICE analog simulation program and implemented using the commercially available OTAs. The simulation and experimental results verifying the performances of the proposed circuit are agreed with the theoretical values. Some application example in the design of the proposed FTFN as electronically tunable active element are also included.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.1243-1246
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2006
A new source follower circuit for the integrated circuit of AMLCDs is proposed. Active load is added and calibration operation is applied to compensate the circuits. Proposed circuit is capable of minimizing the variation from both timing and device variations through measured results, the uniformity and bias effect are discussed.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제16권6호
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pp.728-735
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2016
A 70 MHz temperature-compensated on-chip CMOS relaxation oscillator for mobile display driver ICs is proposed to reduce frequency variations. The proposed oscillator compensates for frequency variation with respect to temperature by adjusting the bias currents to control the change in delay of comparators with temperature. A bandgap reference (BGR) is used to stabilize the bias currents with respect to temperature and supply voltages. Additional temperature compensation for the generated frequency is achieved by optimizing the resistance in the BGR after measuring the output frequency. In addition, a trimming circuit is implemented to reduce frequency variation with respect to process. The proposed relaxation oscillator is fabricated using 45 nm CMOS technology and occupies an active area of $0.15mm^2$. The measured frequency variations with respect to temperature and supply voltages are as follows: (i) ${\pm}0.23%$ for changes in temperature from -30 to $75^{\circ}C$, (ii) ${\pm}0.14%$ for changes in $V_{DD1}$ from 2.2 to 2.8 V, and (iii) ${\pm}1.88%$ for changes in $V_{DD2}$ from 1.05 to 1.15 V.
A new hybrid permanent magnet biased magnetic levitation actuator (maglev) is developed. This new maglev actuator is composed of two C-core electromagnetic cores separated with two permanent magnets. Compared to the conventional hybrid maglev actuators, the new actuator has unique flux paths such that bias flux paths are separated with control flux paths. The control flux paths have minimum reluctances only developed by air gaps, so the currents to produce control fluxes can be minimized. The gravity load can be compensated with the permanent magnet bias fluxes developed at off-centered air gap positions while external disturbances are controlled with control fluxes by currents. The consumed power to operate this levitation system can be minimized. 1-D magnetic circuit model is developed for this model such that the flux densities and magnetic forces are extensively analyzed. 3-D finite element model is also developed to analyze the performances of the maglev actuator.
A new permanent magnet biased hybrid maglev actuator is developed. Compared to the classical hybrid maglev actuators, the new maglev has unique flux paths such that bias fluxes are separated with control flux paths. The control flux paths have minimum reluctances only developed by air gaps, so the currents to produce control fluxes can be minimized. The consumed power to operate this maglev system can also be minimized. The gravity load can be compensated with the static magnetic forces developed by the permanent magnet bias fluxes while external disturbances are controlled with the bidirectional AC magnetic forces developed by control fluxes by currents. 1-D circuit model is developed for this model such that the flux densities and magnetic forces are extensively analyzed. 3-D finite element model is also developed to analyze the performances of the maglev actuator.
본 논문은 6 ㎓의 주파수를 2체배 하여 12 ㎓의 신호원을 얻는 광대역 능동 주파수 2체배기를 PHEMT를 사용하여 제작하였다. 설계된 주파수 체배기는 핀치오프 영역의 바이어스점을 가지며, 동작주파수 영역에서 무조건 안정인 특성을 갖도록 하기 위하여 입력매칭단과 바이어스 라인 사이에 직렬 RC회로를 제안하였다. 측정 결과0 ㏈m의 입력전력에 대하여 12 KHz 1,7 ㏈m의 2차 고조파 출력을 얻었고, 6 ㎓에서 -27.5 dBc의 기본주파수 억압과 -18 ㏈c의 3차 고조파 억압특성을 보였으며, 1.8 ㎓의 3 ㏈ 대역폭을 나타내었다.
본 논문에서는 위성중계기용 Ku-대역 증폭기에 사용되어질 수 있는 온도보상회로에 대하여 기술하였다. 위성중계기용 증폭기에서 요구하는 온도 규격과 다양한 온도보상 방식의 장단점을 살펴본 후 위성중계기용 증폭기에 적합한 온도보상회로로서 능동 바이어스 회로, 감쇄기를 이용한 온도보상회로, ALC Loop를 이용한 온도 보상회로를 선정하여 각자의 회로를 설계하였다. 각각의 온도보상회로는 설계 결과와 일치하는 실험 결과를 얻을 수 있었다. 이러한 결과는 실제 Ku-대역 위성중계기용 능동부품인 채널증폭기, 저잡음 증폭기, 중간 주파수 증폭기 등에 사용되어졌으며, 설계 규격을 만족하는 결과를 얻을 수 있었다.
본 논문에서는 INMARSAT-B형 위성통신용 광대역 수신단을 저잡음증폭기와 고이득증폭기로 구성하였다. 저잡음증폭기의 입력단 정합회로는 저항 결합회로의 형태로 설계하였으며, 전원회로는 저잡음 특성이 우수한 자기 바이어스 회로를 사용하였다. 수신단 이득을 향상시키기 위해서 고이득증폭기는 양단 정합된 단일 증폭기 형태로 제작하였으며, 바이어스 안정화 저항을 사용하여 회로의 전압강하 및 전력손실을 가능한 줄이고 온도 안정성을 고려하여 능동 바이어스 회로를 사용하였으며, 스퓨리어스를 감쇠시키기 위해서 저잡음증폭기와 고이득증폭기사이에 대역통과 필터를 사용하였다. 1525~1575 MHz 대역에서 60 dB 이상의 이득, 1.8:1 이하의 입.출력 정재파비를 나타내었으며, 특히 1537.5 MHz에서 입력신호의 크기가 -126.7 dBm일 때1.02 kHz 떨어진 점에서의 C/N비가 45.23 dB/hz의 측정결과를 나타냄으로써 설계시 목표로 했던 사양을 모두 만족시켰다.
본 논문에서는 기존 CMOS 수동 스위치를 사용한 switched - line 타입 위상변화기의 수동 스위치를 공통게이트 증폭기(양방향 증폭기)로 대체한 60 GHz CMOS 양방향 능동 위상변화기를 제안한다. 양방향 능동 위상변화기는 양방향 증폭기 블록과 수동 delay line 네트워크 블록으로 구성된다. 양방향 증폭기 블록은 순방향과 역방향의 특성이 같도록 설계하기 위해 공통 게이트 증폭기(CGA) 구조가 적합하며, 입력단과 출력단의 매칭은 대칭으로 이루어진다. 또한, 통합 바이어스 회로를 이용하여 1개의 바이어스 전압($V_{DS}$)만으로도 증폭의 방향(순방향, 역방향)과 크기를 조절할 수 있도록 구성하였다. 수동 delay line 네트워크 블록은 마이크로스트립 라인으로 구성하였다. 동부 하이텍 1P8M 130-nm CMOS 공정을 이용하여 90도, 180도 1-bit 양방향 능동 위상변화기를 각각 설계하였고, 시뮬레이션 결과 60 GHz에서 평균 -3 dB의 삽입 손실을 얻었으며, 각각 90도 180도의 위상차를 얻었다.
The objective of this paper is to present a quantitative analysis leading to the assessment of optimum terminating impedances in the design of active frequency multipliers. A brief analysis of the basic principal of the GaAs FET frequency multiplier is presented. The analysis is outlined in bias optimization and drive power determination. Utilizing the equivalent circuit model of GaAs FET, we have simulated the optimized load impedance for the maximum output of the active frequency multipliers. The C-class and reverse C-class frequency doublers have been fabricated and the load impedances have been measured. The experimental results are in good agreement with the estimated results in the simulation with the accuracy of 90%.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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