The Influence of the $SiH_4/NH_3$ Ratios on the Characteristics of Nonvolatile MNOS Memories during the PECVD Silicon Nitride Film deposition
(PECVD 질화막 증착시 $SiH_4/NH_3$ 유량비가 비휘발성 MNOS 기억소자의 특성에 미치는 영향)
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- Proceedings of the KIEE Conference
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- 1992.07b
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- pp.832-834
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- 1992