• 한국전자파학회논문지
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• 제14권2호
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• pp.148-156
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• 2003

본 논문은 3 GPP 규격을 바탕으로 한 W-CDMA UE 시스템의 RF 성능관련 내용을 다루고 있으며 송수신 파라미터를 RF 성능관점에서 유출하였다. 최적의 UE성능을 얻기 위해 송신기에 대해서는 ACLR, EVM, 피크코드영역 에러, 스펙트럼 방사 마스크, 주파수 오차 안정도, 송신전력제어 범위와 같은 성능 요구사항을 고찰하였고 수신기에 대해서는 수신 감도, 블록킹 특성, 잡음지수, 인접채널 선택도, 수신 ACC 범위 등이 고려되었다. 요구된 파라미터들을 근거로 UE RF 트랜시버를 구현하였고 실제 측정 시나리오에 따라서 RF 성능평가를 수행하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.276-283
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• 2003

본 논문은 IMT-2000 단말기용 전력증폭기의 선형성을 증가시키기 위해 기존의 선형화 기법을 사용하는 대신 선형성이 우수한 Infineon 사의 SiGe HBT를 이용하여 IMT-2000 단말기용 2단 전력증폭기를 설계하고 제작하였다. HBT의 비선형 모델은 Gummel-Poon 모델을 이용하였으며, 등가모델을 이용하여 회로 시뮬레이터인 ADS를 사용하여 DC I-V 특성과 입ㆍ출력측의 S-파라미터 특성을 살펴보았다. 시뮬레이션한 S-파라미터를 이용하여 2단 전력증폭기의 첫째단은 고이득 조건으로 정합하고, 둘째단은 고출력 조건으로 정합하였다. 시뮬레이션 결과를 바탕으로 hybrid 형태로 제작한 2단 전력증폭기는 IMT-2000 상향 주파수 대역인 1920∼1980MHz에서 27.1dBm의 출력전력과 18.9dB의 전력이득, 20dB의 ACLR, 34%의 전력부가효율을 얻었다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제9권4호
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• pp.32-42
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• 2010

본 논문에서는 카르테시안 벡터 모듈레이터 전치왜곡기의 선형성 개선을 극대화하기 위해서 전치왜곡기 설계시 고려해야할 파라미터들을 제시하였으며 비선형시작점 조정회로를 사용한 개선된 카르테시안 벡터 모듈레이터 진처왜곡기를 제안하였다. 전치왜곡기의 성능을 확인하기 위해서 2.5 GHz 대역 모바일 WiMax 1FA 신호를 입력으로 하는 15 W 전력 증폭기에 제안한 전치왜곡기를 적용하였다. 측정결과, -45.3 dBc의 ACLR을 얻었으며 기존의 다이오드를 사용한 전치왜곡기에 비해서 선형성 개선 구간이 넓어졌을 뿐만 아니라 기존의 전치왜곡기에 비해 약 4 dB 개선된 결과를 얻었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제3권1호
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• pp.47-54
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• 2003

New efficiency enhancement techniques have been devised and implemented to InGaP/GaAs HBT MMIC power amplifiers for W-CDMA mobile terminals applications. Two different types of bias current control circuits that select the efficient quiescent currents in accordance with the required output power levels are proposed for overall power efficiency improvement. A dual chain power amplifier with single matching network composed of two different parallel-connected power amplifier is also introduced. With these efficiency enhancement techniques, the implemented MMIC power amplifiers presents power added efficiency (PAE) more than 14.8 % and adjacent channel leakage ratio(ACLR) lower than -39 dBc at 20 dBm output power and PAE more than 39.4% and ACLR lower than -33 dBc at 28 dBm output power. The average power usage efficiency of the power amplifier is improved by a factor of more than 1.415 with the bias current control circuits and even up to a factor of 3 with the dual chain power amplifier.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제9권2호
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• pp.78-84
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• 2009

This paper represents the effects of drain bias on the linearity and efficiency of an analog pre-distortion power amplifier(PA) for wideband code division multiple access(WCDMA) repeater applications. For verification, an analog predistorter(APD) with three-branch nonlinear paths for memory-effect compensation is implemented and a class-AB PA is fabricated using a 30-W Si LOMaS. From the measured results, at an average output power of 33 dBm(lO-dB back-off power), the PA with APD shows the adjacent channel leakage ratio(ACLR, ${\pm}$5 MHz offset) of below -45.1 dBc, with a drain efficiency of 24 % at the drain bias voltage($V_{DD}$) of 18 V. This compared an ACLR of -36.7 dEc and drain efficiency of 14.1 % at the $V_{DD}$ of 28 V for a PA without APD.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제7권2호
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• pp.62-69
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• 2008

본 논문에서는 구동단의 IMD 특성과 최종단의 IMD 특성을 조절하여 선형성을 개선하는 방법에 대하여 제안을 하였다. WCDMA 4FA의 입력 신호를 사용하였을 때 평균 전력 50W에서 약 -48dBc@5MHz offset의 ACLR 특성을 얻었다. 제안된 역위상화 선형화 기법은 추가적인 선형회로 없이 구동 증폭단을 이용하여 전치왜곡 효과를 얻을 수 있었다. 이러한 점은 기존 analog predistortion 방식과 feedforward 방식의 단점을 보완하였음에 큰 의미를 가진다.

• 전기학회논문지
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• 제64권3호
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• pp.433-437
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• 2015

We have designed and fabricated a low power and high linearity up down convertor for wireless repeaters using $0.35{\mu}m$ SiGe Bipolar CMOS technology. Repeater is composed of a wideband up/down converting mixer, programmable gain amplifiers (PGA), input buffer, LO buffer, filter driver amplifier and integer-N phase locked loop (PLL). As of the measurement results, OIP3 of the down conversion mixer and up conversion mixer are 32 dBm and 17.8 dBm, respectively. The total dynamic gain range is 31 dB with 1 dB gain step resolution. The adjacent channel leakage ratio (ACLR) is 59.9 dBc. The total power consumption is 240 mA at 3.3 V.

• ETRI Journal
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• 제42권5호
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• pp.773-780
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• 2020

A 40 nm complementary metal oxide semiconductor carrier-aggregated drive amplifier with high linearity is presented for sub-GHz Internet of Things applications. The proposed drive amplifier consists of two high linear amplifiers, which are composed of five differential cascode cells. Carrier aggregation can be achieved by switching on both the driver amplifiers simultaneously and combining the two independent signals in the current mode. The common gate bias of the cascode cells is selected to maximize the output 1 dB compression point (P1dB) to support high-linear wideband applications, and is used for the local supply voltage of digital circuitry for gain control. The proposed circuit achieved an output P1dB of 10.7 dBm with over 22.8 dBm of output 3rd-order intercept point up to 0.9 GHz and demonstrated a 55 dBc adjacent channel leakage ratio (ACLR) for the 802.11af with -5 dBm channel power. To the best of our knowledge, this is the first demonstration of the wideband carrier-aggregated drive amplifier that achieves the highest ACLR performance.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제6권5호
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• pp.724-730
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• 2002

디지털 통신시스템에서는 인접채널에 대한 간섭을 최대한 줄이기 위하여 필연적으로 선형 전력증폭기가 요구된다. 선형 전력증폭기는 매우 다양하며, 그 중에서도 전방제환 전력증폭기는 구조상 광 대역이면서 선형화 정도가 매우 우수하기 때문에 많이 이용된다. 전방궤환 전력증폭기는 지연 선로의 손실로 인하여 전체효율이 감소한다. 본 논문에서는 이러한 지연 선로를 손실이 매우 작은 지연 여파기를 사용함으로써 효율과 선형성을 동시에 개선하였다. 측정 결과, ACLR이 약 17.43(dB) 개선되었으며, 이것은 지연 여파기를 사용함으로써 3.44(dB) 더 개선되었음을 나타낸다.

• 한국항해항만학회지
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• 제26권3호
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• pp.295-302
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• 2002

현재의 디지털 통신시스템은 매우 다양한 디지털 변조방식을 채택하고 있다. 이러한 통신시스템에서는 인접채널에 대한 간섭을 최대한 줄이기 위해서 필연적으로 선형 전력증폭기를 요한다. 선형 전력증폭기는 매우 다양한데 그 중에서 전방궤환 전력증폭기는 구조상 광대역이면서 선형화 정도가 매우 우수하다. 전방궤환 전력중폭기에 사용되는 지연선로의 손실로 인하여 전체효율이 감소한다. 본 논문에서는 이러한 지연선로를 손실이 매우 작은 지연필터를 사용함으로써 효율과 선형성을 동시에 개선하였다. 측정된 결과 ACLR이 약 17.43dB 개선되었으며 이것은 지연필터를 사용함으로써 2.54dB 더 개선되었음을 나타낸다.