Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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v.13
no.4
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pp.307-317
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1997
Samples of fine particle $(d_P<2.5 \mum)$ were taken in Chongju area using a dichotomous sampler. The data set was collected on fifty-eight different days with 24 hour sampling period from October 27, 1995 through August 25, 1996. The samples were analyzed using a proton induced x-ray emission (PIXE) for Na, Mg, Al, Si, S, Cl, K, Ca, Ti, V, Cr, M, Fe, Ni, Cu, Zn, Br and Pb. Values of Fe, Ca, Si, Cu, K and Cl exhibit marked seasonal variations. Mean concentrations for this study had the following order S > Cl > Si > K > Al > Fe on fine particle. Concentrations of Ca, Si and Fe were higher during the spring season compared with any other season. These phenomena may be attributable to soil dust. Cl and K were higher in the winter, which may be explained by combustion of fossil fuel. Higher values for Cu and Zn in the Winter may be due to the combustion and incineration.
Pb(Fe1/2Nb1/2)O3 and (1-x)Pb(Fe1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3 ceramics were prepared by the precalcination method. Their structural and dielectric properties were investigated. The amount of perovsikte phase was increased by the precalcination and the dielectric properties of ceramics were improved. Additions of PbTiO3 were found to increase the tetragonality (c/a) of crystal lattice and Tc. In the middle region of (1-x)Pb(Fe1/2Nb1/2)O3-xPbTiO3, duffuse phase transitions (DPT) were observed.
${\alpha}-Fe_{2}O_{3}$ films were prepared by ultrasonic spray pyrolysis (USP) on $SiO_{2}$ coated Si wafers using iron acetylacetonate as an iron precursor. The crystallographic properties and surface morphologies of the films were characterized by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM), respectively. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was carried out to determine the Fe oxidation states. In order to observe stability of the films to temperature, the resistance variation of the films with an ambient temperature was measured. The effects of substrate temperature on the structural and electrical properties of the ${\alpha}-Fe_{2}O_{3}$ films were studied. The films were densified from the substrate temperature of $350^{\circ}C$. The grain size of the films grown at $400^{\circ}C$ was shown to be increased abruptly comparing with that of $350^{\circ}C$. The films showed a low resistance variation between the ambient temperature of $300^{\circ}C$ and $350^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.04a
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pp.3-6
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2002
Effect of Ag additive element on microstructure of $Fe_{87-x}Zr_7B_6Ag_x$, magnetic thin films on Si(001) substrates has been investigated using Transmission Electron Microscopy(TEM) and X-ray Diffraction(XRD). All samples with additive Ag element were made by DC-sputtering and subjected to annealing treatments of $300^{\circ}C{\siim}600^{\circ}C$ for 1 hr. TEM and XRD showed that perfectly amorphous state in Ag-free Fe-based films was observed in as-deposited condition. The as-deposited Fe-based films with the presence of Ag constituent have a mixture of Fe-based amorphous and nano-sized Ag crystalline phases. In this case, additive element, Ag was soluted into Fe-based matrix. With the increase in additive element, Ag, insoluble nano-crystalline Ag particles were dispersed in the Fe-based amorphous matrix. Crystallization of Fe-based amorphous phase in the matrix of $Fe_{82}Zr_7B_6Ag_5$ thin films occurred at an annealing temperature of $400^{\circ}C$. Upon annealing, the amorphous-Ag crystalline state of Fe-Zr-B-Ag films was transformed into the mixture of Ag crystalline phase + Fe-based amorphous phase + ${\alpha}$-Fe cluster followed by the crystallization process of ${\alpha}$-Fe nanocrystalline + Ag crystalline phases.
Aluminum nitride (AlN) thin films were deposited on Si substrates by using polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layers, in which the AlN film was grown by pulsed reactive magnetron sputtering. Characteristics of grown AlN films were investigated experimentally by means of FE-SEM, X-ray diffraction, and FT-IR, respectively. The columnar structure of AlN thin films was observed by FE-SEM. X-ray diffraction pattern proved that the grown AlN film on 3C-SiC layers had highly (002) orientation with low value of FWHM (${\Theta}=1.3^{\circ}$) in the rocking curve around (002) reflections. These results were shown that almost free residual stress existed in the grown AlN film on 3C-SiC buffer layers from the infrared absorbance spectrum. Therefore, the presented results showed that AlN thin films grown on 3C-SiC buffer layers can be used for various piezoelectric fields and M/NEMS applications.
Kim, Kwang-Joo;Kim, Hee-Kyung;Park, Young-Ran;Ahn, Geun-Young;Kim, Chul-Sung;Park, Jae-Yun
Journal of the Korean Magnetics Society
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v.15
no.2
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pp.96-99
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2005
Phase transition from normal- to inverse-spinel structure has been observed for $Fe_xCo_{3-x}O_4$ thin films as the Fe composition (x) increases from 0 to 2. The samples were fabricated as thin films by sol-gel method on Si(100) substrates. X-ray diffraction measurements revealed a coexistence of two phases, normal and inverse spinel, for $0.76{\le}x{\le}0.93$. The normal-spinel phase is dominant for $x{\le}0.55$ while the inverse-spinel phase for $x{\ge}l.22$. The cubic lattice constant of the inverse-spinel phase is larger than that of the normal-spinel phase. For both phases the lattice constant increases with increasing x. X-ray photoelectron spectroscopy measurements revealed that both $Fe^{2+}$ and $Fe^{3+}$ ions exist with similar strength in the x=0.93 sample. Conversion electron $M\ddot{o}ssbauer$ spectra measured on the same sample showed that $Fe^{2+}$ ions prefer the octahedral $Co^{3+}$ sites, indicating the formation of the inverse-spinel phase. Analysis on the measured optical absorption spectra for the samples by spectroscopic ellipsometry indicates the dominance of the normal spinel phase for low x in which $Fe^{3+}$ ions tend to substitute the octahedral sites.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.12
no.2
s.35
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pp.141-147
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2005
Nanomaterial $TiO_2-SiO_2$ was synthesized by hydrolysis and condensation process using 2-propanol(2-PrOH) and was characterized by FT-IR, DSC, XRD and FE-SEM. FT-IR spectra were measured to investigate Ti-0-Si absorption peak. DSC thermal analysis results appllied to Ozawa equation were used to calculate to activation energy of crystallization. It was found that the changes of X-ray diffraction patterns and FWHM obtained XRD measurement depended on calcination temperature. In FE-SEM analysis, particle size changed by quantity changes of Ti-alkokide.
The thermal stability and elevated temperature mechanical properties of $SiC_P$/Al-11.7Fe-1.3V-1.7Si (Al-11.7Fe-1.3V-1.7Si reinforced with SiC particulates) composites sheets prepared by spray deposition (SD) $\rightarrow$ hot pressing $\rightarrow$ rolling process were investigated. The experimental results showed that the composite possessed high ${\sigma}_b$ (elevated temperature tensile strength), for instance, ${\sigma}_b$ was 315.8 MPa, which was tested at $315^{\circ}C$, meanwhile the figure was 232.6 MPa tested at $400^{\circ}C$, and the elongations were 2.5% and 1.4%, respectively. Furthermore, the composite sheets exhibited excellent thermal stability: the hardness showed no significant decline after annealing at $550^{\circ}C$ for 200 h or at $600^{\circ}C$ for 10 h. The good elevated temperature mechanical properties and excellent thermal stability should mainly be attributed to the formation of spherical ${\alpha}-Al_{12}(Fe,\;V)_3Si$ dispersed phase particulates in the aluminum matrix. Furthermore, the addition of SiC particles into the alloy is another important factor, which the following properties are responsible for. The resultant Si of the reaction between Al matrix and SiC particles diffused into Al matrix can stabilize ${\alpha}-Al_{12}(Fe,\;V)_3Si$ dispersed phase; in addition, the interface (Si layer) improved the wettability of Al/$SiC_P$, hence, elevated the bonding between them. Furthermore, the fine $Al_4C_3$ phase also strengthened the matrix as a dispersion-strengthened phase. Meanwhile, load is transferred from Al matrix to SiC particles, which increased the cooling rate of the melt droplets and improved the solution strengthening and dispersion strengthening.
This study examined the structure and perpendicular magnetization of FePt films grown on Pt/Fe/MgO(100) buffered Si(100) substrates by molecular beam epitaxy. The [Fe(0.17nm)/Pt(0.2nm)]$_N$ multilayers were prepared at room temperature to form a $L1_0$-FePt phase after vacuum annealing. Perpendicular magnetic anisotropy (PMA) was observed in the films after at least 15 repetitions (N = 15) of Fe/Pt deposition and annealing at $300{^{\circ}C}$ for 1 hour. Careful structural analysis of the films was carried out by x-ray diffraction and high-resolution transmission electron microscopy. These results will assist in the development of the low temperature $L1_0$- FePt deposition process, which will be essential for future extremely high density magnetic recording media.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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