본 연구는 강력한 초음파 음계를 형성시키는 것을 목적으로한 반사형 초음파 집속기에 관한 것이다. 이 집속기는 초음파반사의 임계각이 일어난 점을 경계로 하는 전반사가 일어나는 반사면만을 이용한 회전 기물체로 구성하였다. 그리고 초음파를 발생한 변환기의 형태에 따라 평판형 변환기에 적용되는 내측면 반사체와 원간형 변환기에 운용된 외측면 반사체의 2종으로 구분하여 집속기를 설계제작하고 측정하였다. 이 반사형 집속기는 plastics lens에 의한 투과형 집속기에 비하여 여러가지 장점을 갖이고 있다. 즉 재질에 유리나 금속을 사용하므로 높은 온도의 매체중은 물론 강력한 음계내에서 적용도가 크고 또 전반사를 이용하므로 집속효율이 커서 강력한 초음파 음계를 필요로 한 공업용 초음파 집속기로 이용될 것으로 사료된다.
본 논문은 전류제어형각성저항 회로를 사용한 새로운 삼치전가산기의 구성에 관하여 논한다. 부성저항특성을 이용하여 먼저 특수한 반가산기를 설계하고 이에 의하여 전가산기를 구성한다. 이평가계기는 부성저항 회로와 쇼트키-베리어 다이오드를 사용한 삼자정 회로에 의해 구성되며, 두 입력신호가 모두 "2"일 경우 Sum과 Carry 출력이 각각 "0"과 "1"의 간을 갖는다. 여기에 제안한 전가산기는 종래의 전가산기에 비하여 게이트 수가 감소되고, 속도가 개선된다. 회로소자는 트랜지스터와 쇼트키-베리어 다이오드, 저항만을 사용하여 IC화하는데 편리하게 하였다.
이 논문은 종래의 자자 Display에서 문자의 종류가 많으면, 입력부분이 방대해지고, character generator가 극히 복잡해지는 두가지 문제점을 동시에 해결을 주는 새로운 방식을 제안하였다. 이 방식은 동일한 기량요소가 조합되는 이자에 따라 크기와 위치문희이 자동적으로 가변되어 조합되어 나오는 것으로서, 입력기본요소의 특징 code의 추출로써 조합되는 문우의 form을 예측하고, 그들 form 특징으로써, 기본요소를 control한다. 그 결과, 24기본요소로서 14,364우가 발생되며, 장치가 극히 간단하고, 조합문자의 품질이 양호하다. 이 장처는 종래의 방법으로 했을때와 비교하면 장치가 약 500분 지 1로 적어진다.
이온의 충돌에 위한 주입자의 저온광산식 주입방법과 아울러 그 장치의 구조를 초개하였다. 본주입작용은 희석된 건기의 푸라주마분국기내에서의 저에너지 입자의 충돌과 기판의 예용가열에 의한 방사증식철산의 원리에 봉로 기인되고 있다. 본법입방식에 의해서 각종주입자를 영도체들속에 법입시켜 본 결과도 또한 나타나 있다.
티넬다이오드를 마이크로 웨이브 발진기로 동작시키면서 출력이 복사되어 이동물체에서 반사할때 변화신호를 티넬다이오드에 주입하여 부성저항영역에서 혼합시키는 경우 이동물체를 포함하는 전체계의 임퍼턴스와 발진조건, 주파수 변환 이론을 고찰했다. 터넬다이오드름 2.035GHz, 0.1mw로 발진시키고 이동물체반사신호와 등가인 신호발생기는 125MHz 낮게 발광시켰다. 입연신호크기에 따른 변환손실은 대신호주입 경우 약 67db였다.
목론문은 회로망해석의 첫 과정으로 필요로 하는 주어진 회로의 수본과 보목을 구체적으로 생성하는 위상수학적방법을 연구하려고 노력했고 또한 다른 방법들과의 효률을 비교한 예를 제시했다. 이 결과는 다른 어떤 방법들보다 더욱 효률적이고 전기회로망의 위상수학적 해석에 있어서 근본적인 역할를 할 것으로 믿는다.