압축성 plasma내에서 sheath로 둘러쌓인 원주형도체에 의한 전자파의 산란에 관하여 해석적인 방법으로 조사하였다. 전자파가 입사하는 경우에 대하여 total scattering cross section과 back scattering cross section을 구하였으며 computer로 계산한 수치결과를 graph로 제시하였다.
GaAs Schottky Barrier Gate 전계효과트랜지스터의 잡음동작을 잡음등가회로를 사용하여 연구하였으며, 부가구인 잡음근원은 pinch-off영역에서 GaAs FET bias에 의하여 구현되었다. 이것이 바로 intervalley 산란잡음과 hot electron에 의한 잡음이었다. 본 논문의 잡음등가회로에서는 carrier의 포화속도와 기생저항의 영향을 고려한 parameter를 정하였다.
현대 정보사회를 이끌어가는 컴퓨터의 효과적인 활용을 위하여 한글의 컴퓨터가 무엇보다도 시급하지만 한글의 특수성인 모아쓰기로 인하여 용이한 일이 아니다. 한글의 특수성을 분석하여 13×14 Dot Matrix방식의 한글문자 발생장치를 제작하여 소프트웨어 프로그램에 의한 컴퓨터의 한글 입출력을 가능하게 하였다.
본 논문은 FET의 핀치오프특성을 이용하여 직렬인버어터회로를 구성하고 그것의 출력특성을 게이트바이어스 주파수 및 부하의 변동에 따라 분석하였다. 상기 회로는 SCR직렬인버어터회로에서 생기기 쉬운 게이트바이어스주파수 및 부하의 변동에 따른 출력의 불안정을 제거하였다. 그러나 FET직렬인버어터의 전류용량이 적어 경부하에 적당하다.
Fe O 와 V O 를 적당한 mole비로 혼합하여 H -CO 분위기 중 1,100℃에서 10시간씩 5∼6회 반복소성하여 Fe V O Spinel을 제조하였다. 제조된 시편의 온도에 대한 저항률을 측정하고 이로부터 활성화에너지를 구해서 시편의 도전기구를 고찰하고, x, 주위온도, 시편의 두께 및 인가전압 상승률에 대한 I-V 특성곡선을 얻어서 부성저항 발생기구의 해명을 시도하였다. Fe V -O spinel의 도전은 주로 B자리의 Fe 와 F 사이의 전자 hopping에 기인되며, 부성저항은 filament형의 통전로에 기인되는 열적현상이라 생각된다.