• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권1호
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• pp.40-45
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• 2008

We developed small molecular organic nonvolatile $4F^2$ memory cells using metal layer evaporation followed by $O_2$ plasma oxidation. Our memory cells sandwich an upper ${\alpha}$-NPD layer, Al nanocrystals surrounded by $Al_2O_3$, and a bottom ${\alpha}$-NPD layer between top and bottom electrodes. Their nonvolatile memory characteristics are excellent: the $V_{th},\;V_p$ (program), $V_e$ (erase), memory margin ($I_{on}/I_{off}$), data retention time, and erase and program endurance were 2.6 V, 5.3 V, 8.5 V, ${\approx}1.5{\times}10^2,\;1{\times}10^5s$, and $1{\times}10^3$ cycles, respectively. They also demonstrated symmetrical current versus voltage characteristics and a reversible erase and program process, indicating potential for terabit-level nonvolatile memory.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.404-407
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• 2003

Among the ferroeletric thin films that have been widely investigated for ferroelectric random access memory (FRAM) applications, the $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT) thin film is appropriate as a memory capacitor material due to its excellent fatigue endurance. SBT thin films were etched in high-density $Cl_2/Ar$ in inductively coupled plasma. The maximum etch rate of SBT film is $1834\;{\AA}/min$ under $Cl_2/(Cl_2+Ar)$ of 30 %, rf power of 700 W, dc-bias voltage of -250 V, chamber pressure of 11 mTorr and gas flow rate of 20 sccm.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 F
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• pp.2088-2090
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• 1998

A low-cost electronic starter is developed to decrease ignition failure significantly through successive starting trial and to prevent overheating at the end of fluorescent lamp life. Moreover, it has an additional feature of being capable of ignition at the recovered lamp voltage without any circuit correction. The developed electronic starter is consisted of four parts - a half wave rectifier circuit, a timer circuit, a switching circuit and a protection circuit. The protection circuit made up of a transistor and capacitors utilizing capacitive characteristics, carries out successive starting trial and end-of-life protection. Lamp ignition is completed within 0.5 seconds with taking advantage of a high preheating current from the half-wave rectifier circuit. Nevertheless, its performance is proved to be very excellent through a standard switching endurance test.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제24권4호
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• pp.325-327
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• 2011

In this paper, nonvolatile nano-floating gate memory devices are fabricated with ZnO nanowires and Al nanoparticles on a $SiO_2/Si$ substrate. Al nanoparticles used as floating gate nodes are formed by the sputtering method. The fabricated device exhibits a threshold voltage shift of -1.5 V. In addition, we investigate the endurance and retention characteristics of the nano-floating gate memory device.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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• pp.501-502
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• 2006

In this paper, new and aging sample of MCCB and ELCB are investigated the main performance test such as short circuit test, mechanical and electrical endurance test, dielectric test and surge current test. The surface conditions of new and aging sample are analyzed by SEM, TGA and DSC. The ELCB occurred badness mainly in short circuit test and surge current test. The badness cause of short circuit test was confirmed due to imperfect contact of contact part.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2020년도 전력전자학술대회
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• pp.253-254
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• 2020

High Voltage Direct Current (HVDC) 시스템은 고압 직류송전을 위한 시스템이다. 고압 직류 송전을 위해서는 전력변환기가 교류전력을 직류전력으로 변환해주어야 하는데, 최근에는 모듈형 멀티레벨 컨버터(Modular Multilevel Converter, MMC)가 많이 적용되고 있다. MMC는 다수의 서브모듈이 직렬로 구성되어 있으며 DC-link단에 대용량 커패시터가 없다. MMC의 심각한 사고 중에 하나는 DC측 전력케이블의 단락사고로 시스템에 따라서 수십 kA 정도의 사고전류가 AC측 CB(Circuit Breaker)가 열리기 전까지 수십 ms에서 수백 ms동안 흐른다. 만약 하프브릿지 회로의 서브모듈로 구성된 컨버터에 별도 보호장치가 없으면 단락전류는 서브모듈의 하단 다이오드를 통해서 흐르게 되어 소손되게 된다. 이를 방지하기 위해 단락전류를 바이패스(by-pass) 시키기 위한 별도의 사이리스터를 추가하는데 이 기기의 사양은 DC 단락 전류를 충분히 견딜 수 있어야 한다. 본 논문에서는 사이리스터의 서지 전류 내력을 평가하기 위해 사양을 분석하고 시뮬레이션과 실험을 통해서 검증하였다.

• 한국추진공학회지
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• 제19권4호
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• pp.94-101
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• 2015

장기체공 무인기용 동력원으로 활용될 태양전지-연료전지 복합 동력원 통합 전 단계로 태양전지와 연료전지 개별 시스템에 대한 구성과 평가를 수행하였다. 태양전지 시스템은 Sunpower사의 C60 태양 전지를 활용한 모듈, 상용 태양광 MPPT 제어기, 그리고 리튬-폴리머 배터리를 이용하여 구성하고 평가하였다. 연료전지 시스템 운용을 위하여 $NaBH_4$ 가수분해를 이용한 수소공급장치의 재시동 특성을 확인하였다. 태양전지 시스템에 속한 배터리의 성능이 평균 -2.9 V/hour임을 확인하였다. 수소공급장치의 재시동 특성이 운용임무 조건에서 안정적인 성능이 나타남을 확인하였다. 본 연구를 통하여 제시된 임무조건에서의 각 단일시스템의 성능이 적합함을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.427-427
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• 2012

Ferroelectric-gate field effect transistor based memory using a nanowire as a conducting channel offers exceptional advantages over conventional memory devices, like small cell size, low-voltage operation, low power consumption, fast programming/erase speed and non-volatility. We successfully fabricated ferroelectric nonvolatile memory devices using both n-type and p-type Si nanowires coated with organic ferroelectric poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene) [P(VDF-TrFE)] via a low temperature fabrication process. The devices performance was carefully characterized in terms of their electrical transport, retention time and endurance test. Our p-type Si NW ferroelectric memory devices exhibit excellent memory characteristics with a large modulation in channel conductance between ON and OFF states exceeding $10^5$; long retention time of over $5{\times}10^4$ sec and high endurance of over 105 programming cycles while maintaining ON/OFF ratio higher $10^3$. This result offers a viable way to fabricate a high performance high-density nonvolatile memory device using a low temperature fabrication processing technique, which makes it suitable for flexible electronics.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.269-275
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• 2003

저전압 프로그래밍이 가능한 플래시메모리를 실현하기 위하여 0.35$\mu\textrm{m}$ CMOS 공정 기술을 이용하여 터널링산화막, 질화막 그리고 블로킹산화막의 두께가 각각 2.4nm, 4.0nm, 2.5nm인 SONOS 트랜지스터를 제작하였으며, SONOS 메모리 셀의 면적은 1.32$\mu$$m^2$이었다. 질화막의 두께를 스케일링한 결과, 10V의 동작 전압에서 소거상태로부터 프로그램상태로, 반대로 프로그램상태에서 소거상태로 스위칭 하는데 50ms의 시간이 필요하였으며, 최대 메모리윈도우는 1.76V이었다. 그리고 질화막의 두께를 스케일링함에도 불구하고 10년 후에도 0.5V의 메모리 윈도우를 유지하였으며, 105회 이상의 프로그램/소거 반복동작이 가능함을 확인하였다. 마지막으로 부유게이트 소자에서 심각하게 발생하고있는 과도소거현상이 SONOS 소자에서는 나타나지 않았다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제6권2호
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• pp.68-73
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• 2006

We propose a damascene gate FinFET with Si nanocrystals implemented on bulk silicon wafer for low voltage flash memory device. The use of optimized SRON (Silicon-Rich Oxynitride) process allows a high degree of control of the Si excess in the oxide. The FinFET with Si nanocrystals shows high program/erase (P/E) speed, large $V_{TH}$ shifts over 2.5V at 12V/$10{\mu}s$ for program and -12V/1ms for erase, good retention time, and acceptable endurance characteristics. Si nanocrystal memory with damascene gate FinFET is a solution of gate stack and voltage scaling for future generations of flash memory device. Index Terms-FinFET, Si-nanocrystal, SRON(Si-Rich Oxynitride), flash memory device.