1 |
K. R. Han and J. H. Lee, Jpn. J. Appl. Phys., 47, 2687 (2008).
DOI
|
2 |
J. S. Lee, J. Y. Yang, and J. P. Hong, Appl. Phys. lett., 95, 052109 (2009).
DOI
|
3 |
B. J. Park, K. A. Cho, and S. S. Kim, J. Nanotechnology, 9, 3 (2009).
|
4 |
J. S. Lee, J. Y. Yang, and J. P. Hong, Appl. Phys. Lett., 95, 052109 (2009).
DOI
|
5 |
K. I. Han, Y. M. Park, S. Kim, S. H. Choi, K. J. Kim, I. H. Park, and B. G. Park, IEEE Trans. Electron Devices, 54, 359 (2007).
DOI
|
6 |
G. Molas, G. Bocquet, M. Jalaguier, E. Gely, M. Masarotto, L. Colonna, J. P. Grampeix, H. Martin, F. Brianceau, P. Vidal, V. Kies, R. Yckache, K. De Salvo, B. Ghibaudo, G. Baron, T. Bongiorno, and C. Lombardo (IEEE International Memory Workshop, Monterey, 2009) p. 1.
|