Optimization of 4H-SiC DMOSFETs by Adjustment of the Dimensions and Level of the p-base Region (P형 우물 영역의 도핑 농도와 면적에 따른 4H-SiC 기반 DMOSFET 소자 구조의 최적화)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.23 no.7
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- pp.513-516
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- 2010