본 논문은 알루미늄의 양극산화를 통하여 알루미나(Alumina, $Al_2O_3$)를 형성함으로써 알루미나 및 알루미늄의 적층 구조 DRAM 패키지 기판을 구현하였다. 전송선 기반의 설계를 적용하기 위해 2차원 전자장 시뮬레이션을 수행하였다. 분석 결과를 바탕으로 새로운 기판에 적용할 신호선의 폭 및 간격과 알루미나 두께 등의 설계인자를 최적화하였다. 테스트 패턴 제작 및 측정을 통해 설계인자를 검증하였으며, 이를 바탕으로 설계 룰(Design rule)을 정하고 패키지의 개념 설계 및 상세 설계를 진행하여 DDR2 DRAM 패키지 기판을 성공적으로 제작하였다.
본 논문에서는 FEM(유한요소법)을 사용하여 PoP (Package on Package)용 PCB를 unit(유닛)과 substrate(서브스트레이트)로 분리한 warpage 해석과 warpage에 미치는 층별 두께의 영향도 분석과 층별 두께 조건을 다구찌법에 의한 SN비(Signal-to-Noise ratio)로 분석하였다. 해석 결과에 의하면 유닛 PCB는 회로층의 영향이 대단히 높았는데 특히 외층의 영향도가 높았다. 반면에 서브스트레이트 PCB는 회로층의 영향도가 높았으나 유닛 PCB에 비해 상대적으로 낮았으며 오히려 솔더 레지스트의 영향도가 증가하였다. 따라서 유닛 PCB와 서브스트레이트 PCB를 동시에 고려하여 PoP PCB의 층별 구조는 외부와 내부 회로층은 두껍게, 윗면 솔더 레지스트는 얇게 설계하고 바닥면 솔더 레지스트의 두께를 5 ㎛와 25 ㎛ 사이의 두께를 선정하는 바람직하다.
알루미늄 기판 및 양극산화 공정을 사용하여 LED Chip on Board(COB) 패키지를 제작하였다. 선택적 양극산화 공정을 적용하여 알루미늄 기판 상에 알루미나를 형성하고 이를 COB 패키지 절연층으로 사용하였으며, 비아홀 내부가 충진된 구조의 Thermal Via를 구현하였다. 패키지 기판 종류에 따른 열저항 및 발광효율 변화를 파악하기 위해 알루미늄 기판과 알루미나 기판을 제작하고 이를 각각 비교 분석하였다. Thermal Via가 적용된 알루미늄 기판이 51%의 열저항 개선 및 14%의 발광효율 향상 특성을 보여주었다. 이러한 결과는 선택적 양극산화 공정 및 Thermal Via 구조적용으로 COB 패키지의 방열 특성이 향상되었음을 의미한다. 또한 동일한 전력 소모시 LED 칩 개수에 따른 COB 패키지의 열저항 및 발광효율 변화를 분석함으로써 다수 칩의 효율적인 배치가 열저항 및 발광효율을 증가시킬 수 있음을 확인하였다.
알루미늄 양극산화(aluminum anodization)의 선택적인 적용을 통하여 DRAM 소자를 위한 새로운 패키지 기판을 제작하였다. 에폭시 계열의 코어(core)와 구리의 적층 형태로 제작되는 일반적인 패키지 기판과는 달리 제안된 패키지 기판은 아래층 알루미늄(aluminum), 중간층 알루미나(alumina, $Al_2O_3$) 그리고 위층 구리(copper)로 구성된다. 알루미늄 기판에 양극산화 공정을 수행함으로써 두꺼운 알루미나를 얻을 수 있으며 이를 패키지 기판의 유전체로 사용할 수 있다. 알루미나층 위에 구리 패턴을 배치함으로써 새로운 2층 금속 구조의 패키지 기판을 완성하게 된다. 또한 알루미늄 양극산화를 선택적인 영역에만 적용하여 내부가 완전히 채워져 있는 비아(via) 구조를 구현할 수 있다. 패키지 설계 시에 비아 인 패드(via in pad) 구조를 적용하여 본딩 패드(bonding pad) 및 볼 패드(ball pad) 상에 비아를 배치하였다. 상기 비아 인 패드 배치 및 2층 금속 구조로 인해 패키지 기판의 배선 설계가 보다 수월해지고 설계 자유도가 향상된다. 새로운 패키지 기판의 주요 설계인자를 분석하고 최적화하기 위하여 테스트 패턴의 2차원 전자기장 시뮬레이션 및 S-파라미터 측정을 진행하였다. 이러한 설계인자를 바탕으로 모든 신호 배선은 우수한 신호 전송을 얻기 위해서 $50{\Omega}$의 특성 임피던스를 가지는 coplanar waveguide(CPW) 및 microstrip 기반의 전송선 구조로 설계되었다. 본 논문에서는 패키지 기판 구조, 설계 방식, 제작 공정 및 측정 등을 포함하여 양극산화 알루미늄 패키지 기판의 특성과 성능을 분석하였다.
Package for artificial satellite is to produce mass production for high package with reliability certification as well as develop SDRAM (synchronous dynamic RAM) module which has such as miniaturization, mass storage, and high reliability in space environment. It requires sophisticated technology with chip stacking or package stacking in order to increase up to 4Gbits or more for mass storage with space technology. To make it better, we should secure suitable processes by doing design, manufacture, and debugging. Pin type PCB substrate was then applied to QFP-Pin type 3D memory package fabrication. These results show that the 3D memory package for artificial satellite scheme is a promising candidate for the realization of our own domestic technologies.
이 논문에서는 패키지 인덕턴스를 고려한 다중 단자에서의 전도성 실리콘 기판에서의 커플링을 모델링하고 정량적으로 특성화한다. 이것을 위해 2단자 커플링 모델로부터 추출할 수 있는 모델 파라미터를 일반적인 구조에 적용할 수 있도록 개선하였다. 그리고 다중 단자의 노이즈 소스에 의한 기판 커플링 특성을 위해 기판의 주파수 의존적인 특성을 정확히 반영하는 2단자 기판 커플링 모델을 선형적으로 결합함으로써 일반적인 구조에 적용될 수 있도록 확장하였다. 또한 패키지 인덕턴스는 시스템의 특성 주파수를 높은 주파수 영역으로 이동시킴으로써 결과적으로 기판 커플링을 증가시키므로 정확한 분석이 요구된다. 따라서 기판 커플링 모델에 패키지 인덕턴스 성분을 추가하고 이를 정량적으로 분석함으로써 설계 초기 단계에서 패키지의 영향과 기판 커플링의 영향을 동시에 고려한 회로 성능 분석이 가능하도록 하였다. 그러므로 이 논문에서 제안한 방법은 복잡한 혼성 신호 회로의 성능 분석에 매우 유용하게 이용될 수 있다.
본 논문에서는 비아 절단 구조를 제안하고 2층 구조의 DRAM 패키지 기판 설계에 적용하여 낮은 임피던스를 가지는 파워 분배망(Power Distribution Network)을 구현하였다. 제안한 신규 비아 구조는 비아의 일부가 절단된 형태이고 본딩 패드와 결합하여 넓은 배선 면적을 필요로 하지 않는 장점을 가진다. 또한 비아 절단 구조를 적용한 설계에서는 본딩 패드에서 VSSQ까지의 배선 경로를 효과적으로 단축시킴으로써 PDN 임피던스를 개선시킬 수 있다. DRAM 패키지 기판 상의 윈도우 영역 형성과 동시에 비아의 일부 영역이 제거되므로 비아 절단 구조 제작을 위한 추가적인 공정은 없다. 또한 비아 홀 내부를 솔더 레지스트로 채움으로써 버(Burr) 발생을 최소화하였으며, 이를 패키지 기판 단면 촬영을 통해 검증하였다. 비아 절단 구조의 적용 및 VDDQ/VSSQ 배치에 의한 PDN 임피던스 변화를 검증하기 위해서 3차원 전자장 시뮬레이션 및 네트워크 분석기 측정을 통해 기존 방식을 적용한 패키지 기판과 비교 검증을 진행하였다. 신규 DRAM 패키지 기판은 대부분의 주파수 범위에서 보다 우수한 PDN 임피던스를 가졌으며, 이는 제안한 비아 절단 구조와 파워/그라운드 설계 배치가 PDN 임피던스 감소에 효과적임을 증명한다.
Clamp type transferring mechanism for package substrate's wet processes was newly developed instead of conventional roller type transferring mechanism. Clamp type transferring mechanism has the advantages of reducing the panel deflection and of minimizing the contact problem between the panel and the transferring mechanism. Individual clamp of the mechanism has two distinct mechanical functions which are perfectly fixing a panel during the transferring and generating adequate tension for the panel. To determine the mechanical parameters of the clamp, panel deflection simulation was conducted and the result was verified by the panel deflection measurement. Also, fixing angle of a clamp could be determined by the free body force analysis of individual clamp. Finally clamp type transferring mechanism was actually manufactured and the transferring performance was verified during the water spraying condition of the package substrate's wet processes.
MCP(Multi-chip Package)는 두 개 이상의 Chip을 적층하여 하나의 패키지로 합친 제품이다. MCP를 만들기 위해서는 두 개 이상의 Chip이 동일한 Substrate에 적층되기 때문에 다수의 조립 공정이 필요하다. Package 공정에서는 Lot들이 동일한 특성을 가지는 Chip으로 구성되고 MCP를 구성하는 Chip의 특성은 Layer sequence에 의해 결정된다. MCP 생산 공정에서 WIP Balance 뿐만 아니라 Throughput을 달성하기 위해서는 Chip의 Layer sequence가 중요하다. 본 논문에서는 Chip들의 Layer sequence의 제약 조건을 고려한 스케쥴링 방법론을 제안한다.
패키지 기판의 지름 $100{\mu}m$ 이하 미세 드릴 구멍의 경우 습식 디스미어 공정만으로는 구멍 내부의 스미어를 효과적으로 제거할 수 없다. 본 연구에서는 습식 디스미어 공정의 이전 단계에서 대기압 플라즈마를 처리하여 소수성의 기판 표면을 친수성으로 개질하고자 하였다. 대기압 플라즈마 공정은 리모트 DBD 방식의 전극을 이용하여 패키지 제조 공정에 적합한 인라인 형태의 장비로 구성되었다. 대기압 플라즈마를 처리한 결과 접촉각 기준으로 $71^{\circ}$의 소수성 절연 필름 표면이 $30^{\circ}$ 정도의 친수성 표면으로 개질되었다. 대기압 플라즈마 처리 유무에 따른 습식 디스미어 공정의 특성을 평가하기 위하여 절연 필름의 두께, 드릴 구멍 지름, 표면 조도의 변화를 측정하였는데, 대기압 플라즈마 처리 시 기판 전면에서 공정 특성의 균일도가 향상되는 것을 확인하였다. 또한 대기압 플라즈마 처리 유무에 따른 드릴 구멍의 SEM 사진 분석 결과 대기압 플라즈마 처리 시 구멍 내부의 스미어가 효과적으로 제거됨을 실험적으로 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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