짧은 채널 효과의 억제를 위한 ISRC (Inverted-Sidewall Recessed-Channel)구조를 갖는 0.1$\mu\textrm{m}$ nMOSFET의 특성
(Supperession of Short Channel Effects in 0.1$\mu\textrm{m}$ nMOSFETs with ISRC Structure)
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- 전자공학회논문지D
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- 제34D권8호
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- pp.35-40
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- 1997