• 한국항행학회논문지
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• 제26권6호
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• pp.516-521
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• 2022

본 논문에서는 변형된 전계-결합 유도-용량성(ELC; electric field-coupled inductive-capacitive) 공진기와 다중 슬롯 공진기를 이용한 소형 4-비트 chipless RFID(radio frequency identification) 태그를 제안하였다. 변형된 ELC 공진기는 기존의 ELC 공진기에서 인터디지털-커패시터 구조를 사용하여 레이다 단면적(RCS; radar cross section)의 공진 피크 주파수를 낮추었다. 다중 슬롯 공진기는 거꾸로 된 U-모양의 도체에 길이가 다른 3개의 슬롯을 에칭하여 설계하였다. 변형된 ELC 공진기의 RCS 공진 피크 주파수는 3.216 GHz로 설계하였고, 다중 슬롯 공진기는 각각 4.122 GHz, 4.64 GHz, 5.304 GHz로 설계하였다. 제안된 소형 4-비트 태그를 두께 0.8 mm의 50 mm×20 mm 크기의 RF-301 기판에 제작하였다. 실험 결과, 제작된 4-비트 chipless RFID 태그의 공진 피크 주파수는 3.285 GHz, 4.09 GHz, 4.63 GHz, 5.31 GHz로 0.78% ~ 2.16% 범위의 오차를 나타내며 시뮬레이션 결과와 유사하게 측정되었다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제30권6호
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• pp.493-504
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• 2005

본 연구는 상아질 접착제와 레진 시멘트의 적합성 여부를 알아보고자 시행하였다. 발거한 제3대구치의 상아질 표면을 노출시킨 후 Tescera ATL 복합레진 시편을 상아질 접착제 [All Bond 2 (Bisco), Clearfil SE Bond (Kuraray), Adper Prompt L-POP (3M), One-Up Bond F (Tokuyama)]와 레진시멘트 [Choice (Bisco), Panavia F (Kuraray), RelyX ARC (3M), Bistite II DC (Tokuyama)]로 접착하고 미세인장 결합강도 및 주사전자 현미경 관찰을 시행한 결론은 다음과 같다. 1. Clearfil SE Bond와 All-Bond 2가 Prompt L-Pop과 One-Up Bond F 보다 높은 미세인장 결합강도를 보였다(p<0.05). 2. Clearfil SE Bond와 All-Bond 2 사용시 1-step 상아질 접착제보다 혼성층이 두껍고 레진 tag가 길었다.

• 산업기술연구
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• 제39권1호
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• pp.33-39
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• 2019

This paper addresses effects of nanoscale structures on structural colors of micropatterned transparent substrate by light diffraction. Structural colors is widely investigated because they present colors without any chemical pigments. Typically structural colors is presented by diffraction of light on a micropatterned surface or by multiple interference of light on a surface containing a periodic or quasi-periodic nano-structures. In this paper, each structural colors induced by quasi-periodic nano-structures, periodic micro-structures, and nano/micro dual structures is measured in order to investigate effects of nanoscale and microscale structures on structural colors in the transparent substrate. Using pre-fabricated pattern mold and hot-embossing process, nanoscale and microscale structures are replicated on the transparent PMMA(Poly methyl methacrylate) substrate. Nanoscale and microscale pattern molds are prepared by anodic oxidation process of aluminum sheet and by reactive ion etching process of silicon wafer, respectively. Structural colors are captured by digital camera, and their optical transmittance spectrum are measured by UV/visible spectrometer. From experimental results, we found that nano-structures provide monotonic colors by multiple interference, and micro-structures induce iridescent colors by diffraction of light. Structural colors is permanent and unchangeable, thus it can be used in various application field such as security, color filter and so on.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제37권5호
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• pp.527-532
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• 2024

Physically Unclonable Functions (PUFs) provide a high level of security for private keys using unique physical characteristics of hardware. However, fabricating PUF chips requires numerous semiconductor processes, leading to high costs, which limits their applications. In this work, we introduce a low-cost manufacturing method for PUF security chips. First, surface roughening through wet-etching is utilized to create random variables. Additionally, physical vapor deposition is added to further enhance randomness. After PUF chip fabrication, both Hamming distance (HD) and Hamming weight (HW) are extracted and compared to verify the fabricated chip. It is confirmed that the PUF chip using two different multiple process variables demonstrates superior uniqueness and uniformity compared to the PUF security chip fabricated using only a single process variable.

• 대한치과교정학회지
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• 제26권5호
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• pp.497-507
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• 1996

산부식된 법랑질표면의 오염은 브라켓의 레진 접착력에 영향을 미친다고 보고되어 왔다. 이 연구의 목적은 인산액이 법랑질과 반응하여 수용성염 및 불수용성염을 형성하는 경우와 부식표면이 타액오염된 경우에, 이의 수세시간이 브라켓의 레진접착 전단결합강도에 미치는 영향을 관찰하기 위하여 시행되었다. 치과 교정치료를 목적으로 발거된 총 234개의 상하악 소구치를 대상으로 $37\%$ 인산액으로 60초간 부식한 군, $20\%$ 인산액으로 50초간 부식 한 군, $37\%$ 인산액으로 60초간 부식 하고 타액오염시킨 군으로 나누고, 인산부식군은 각각 0초, 5초, 10초, 20초간 수세하고, 타액오염 군은 0초, 20초,30초 수세하거나, 재부식후 5초, 10초, 20초간 수세한후 레진접착제로 브라켓을 접착하였다. 5각군의 법랑질표면을 주사전자현미경과으로 검경하고, 전단결합강도를 측정하여 비교검토한 결과 다음의 결과를 얻었다. 1) 산부식후 수세를 하지않으면 레진접착제의 전단결합강도가 현저히 감소 하였다. 2) $37\%$ 인산부식액으로 부식시키고 5초, 10초, 및 20초간 수세한후의 접착레진 전단결합강도 사이에는 차이가 없었다. 3) $20\%$ 인산액으로 부식시키고 5초, 10초, 및 20초간 수세한 후의 전단결합강도사이에는 차이가 없었으나, 5초간 수세후의 전단결합강도는 측정치의 변이가 매우컸다. 4) 부식후 타액으로 오염된 법랑질 표면은 5초, 20초간 및 30초간 수세후 및 재부식 한 후의 브라켓접착레진의 전단결합강도사이에 차이가 없었으나, 5초간 수세만한 군의 전단결합강도는 변이가 매우컸다. 이상의 결과에 의하면 수용성 염이 생성되는 농도의 인산액으로 부식하고 5초간 수세후 불수용성 염이 생성되는 농도의 인산액으로 10초간 수세후에, 그리고 타액오염된 부식표면을 재부식없이 20초간 수세후에 브라켓을 접착하면 임상적으로 유용한 부라켓 접착레진의 전단 결합강도를 얻을수 있을 것으로 추정된다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권6호
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• pp.304-307
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• 2013

Reverse engineering of semiconductor devices utilizes delayering processes, in order to identify how the interconnection lines are stacked over transistor gates. Cu metal has been used in recent fabrication technologies, and de-processes becomes more difficult with the shrinking device dimensions. In this article, reverse engineering technologies to reveal the Cu interconnection lines and Cu via-plugs embedded in dielectric layers are investigated. Stacked dielectric layers are removed by $CF_4$ plasma etching, then the exposed planar Cu metal lines and via-plugs are selectively delineated by wet chemical solution, instead of the commonly used plasma-based dry etch. As a result, we have been successful in extracting the layouts of multiple layers within a system IC, and this technique can be applicable to other logic IC, analog IC, and CMOS IC, etc.

• 대한산업공학회지
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• 제27권4호
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• pp.394-405
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• 2001

Since most real-world application data involve continuous-valued attributes, properly addressing the discretization process for constructing a decision tree is an important problem. A continuous-valued attribute is typically discretized during decision tree generation by partitioning its range into two intervals recursively. In this paper, by removing the restriction to the binary discretization, we present a hybrid multi-interval discretization algorithm for discretizing the range of continuous-valued attribute into multiple intervals. On the basis of experiment using semiconductor etching machine, it has been verified that our discretization algorithm constructs a more efficient incremental decision tree compared to previously proposed discretization algorithms.

• 통합자연과학논문집
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• 제2권1호
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• pp.41-44
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• 2009

Photonic crystals containing multiple rugate structure are prepared by electrochemical etchings. Typically etched rugate PSi prepared in this study. Etching is carried out in a Teflon cell by using a two-electrode configuration with a Pt mesh counter electrode. They exhibit sharp photonic band gaps in the optical reflectivity spectrum. This reflectivity can be tuned to appear anywhere in the visible to near-infrared spectral range, depending on the programmed etch waveform. We study the method of full width half maxima and reflectivity index control by using amplitude.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1269-1271
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• 2008

We find some array mura are caused by S/D bridge or channel open in 4 mask process. The gray tone PR thickness non-uniformity is the main reason of these defects. By the adjustment of exposure and dry etch parameters, S/D bridge and channel open ratio drops by 10.87%.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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• pp.808-810
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• 2005

Inexpensive large area arrays of thin film transistors (TFTs) on flexible substrates will enable many new display products that cannot be cost effectively manufactured by conventional means. This paper presents a new approach for low cost manufacturing of electronic devices using roll-to-roll (R2R) processes exclusively. It was developed in partnership by Hewlett Packard Laboratories and Iowa Thin Film Technologies (ITFT), a solar cell manufacturer. The approach combines ITFT's unique processes for vacuum deposition and etching of semiconductors, dielectrics and metals on continuous plastic webs with a method HP has invented for the patterning and aligning the multiple layers of a TFT with sub-micron accuracy and feature size.