본 연구는 SBA-15, MCM-41, MCM-48, KIT-6와 같은 메조포러스실리카를 다양한 조건에서 합성하고 이를 이용하여 CMK(Carbon Mesoporous Korea)를 합성한다. 합성된 CMK를 이용하여 메조포러스 구조의 전이금속체를 제조하였다. 각각의 메조포러스실리카에 따라 합성된 CMK의 특성을 분석하고 이를 이용하여 합성된 메조포러스 전이금속체의 특성을 질소흡탈착 등온선, SEM, 저각 X-선 회절분석으로 분석하므로써 최적의 메조포러스 전이금속체의 합성조건을 도출하였다, 실험 결과 가장 우수한 특성을 나타내는 메조실리카는 SBA-15이며, BET 분석으로 SBA-15로부터 합성된 메조포러스 구리 분자체의 비표면적은 $225m^2/g$, 기공크기는 2.91nm로 나타났다.
Jeon, Yukwon;Kwon, Ohchan;Ji, Yunseong;Jeon, Ok Sung;Lee, Chanmin;Shul, Yong-Gun
Korean Chemical Engineering Research
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제57권3호
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pp.425-431
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2019
As rechargeable metal-air batteries will be ideal energy storage devices in the future, an active cathode electrocatalyst is required with bi-functionality on both oxygen reduction reaction (ORR) and oxygen evolution reaction (OER) during discharge and charge, respectively. Here, a class of perovskite cathode catalyst with a micro-tubular structure has been developed by controlling bi-functionality from different Ru and Ni dopant ratios. A micro-tubular structure is achieved by the activated carbon fiber (ACF) templating method, which provides uniform size and shape. At the perovskite formula of $LaCrO_3$, the dual dopant system is successfully synthesized with a perfect incorporation into the single perovskite structure. The chemical oxidation states for each Ni and Ru also confirm the partial substitution to B-site of Cr without any changes in the major perovskite structure. From the electrochemical measurements, the micro-tubular feature reveals much more efficient catalytic activity on ORR and OER, comparing to the grain catalyst with same perovskite composition. By changing the Ru and Ni ratio, the $LaCr_{0.8}Ru_{0.1}Ni_{0.1}O_3$ micro-tubular catalyst exhibits great bi-functionality, especially on ORR, with low metal loading, which is comparable to the commercial catalyst of Pt and Ir. This advanced catalytic property on the micro-tubular structure and Ru/Ni synergy effect at the perovskite material may provide a new direction for the next-generation cathode catalyst in metal-air battery system.
As one of the functional metal parts in steam turbine diaphragm assembly, the hollow-partitioned turbine nozzle (stator) has large and thick geometries, as well as an asymmetric configuration. Therefore it is hard to support a metal blank in the die cavity. To ease this situation and control posture and position of metal blank (workpiece), a blank support structure is newly introduced. The blank support structure is basically composed of enlarged arms from the blank, guide pins and linear bearings. It can help to control the intermediate blank without a critical sliding phenomenon. The operation mechanism of this blank support structure, during thick plate forming for the hollow-partitioned turbine nozzle stator, is first evaluated. A series of FEM-based numerical simulations, with respect to the width of the guide arm as geometric design parameters, are carried out to investigate its applicable range. As the results, it is observed the blank support structure for this thick plate forming can guide the workpiece to have stable posture during the plate forming process.
In this paper, we present a highly-sensitive gate/body-tied (GBT) metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET)-type photodetector using multi-finger structure whose photocurrent increases in proportion to the number of fingers. The drain current that flows through a MOSFET using multi-finger structure is proportional to the number of fingers. This study intends to confirm that the photocurrent of a GBT MOSFET-type photodetector that uses the proposed multi-finger structure is larger than the photocurrent per unit area of the existing GBT MOSFET-type photodetectors. Analysis and measurement of a GBT MOSFET-type photodetector that utilizes a multi-finger structure confirmed that photocurrent increases in ratio to the number of fingers. In addition, the characteristics of the photocurrent in relation to the optical power were measured. In order to determine the influence of the incident the wavelength of light, the photocurrent was recorded as the incident the wavelength of light varied over a range of 405 to 980 nm. A highly-sensitive GBT MOSFET-type photodetector with multi-finger structure was designed and fabricated by using the Taiwan semiconductor manufacturing company (TSMC) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) 0.18 um 1-poly 6-metal process and its characteristics have been measured.
금속이온은 토양이나 퇴적물 내의 광물에 수착되어 고착화될 수 있다. 여기서는 광물 표면의 화학적 특성과 금속이온의 수착에 관련된 이론 및 수착 연구를 위한 X-선 흡수 미세구조(extended X-ray absorption fine structure, EXAFS) 분석방법에 대해 알아보고 금속이온의 광물표면 수착에 관한 원자 단위 연구 결과를 정리하였다. 광물표면의 특성과 금속이온의 수착에 관한 원자 단위 이론의 이해는 원자 단위 분광법의 분석을 수행하는데 있어서 기초가 된다. 여기에 정리된 원자 단위 수착상 연구 결과는 외부권 착물, 내부권 착물, 표면침전뿐 아니라 공침전, 삼성분 착물, 수착반응 시간의 효과, 탈착가능성을 포함한다.
Jang, Young In;Lee, Sang Hyuk;Seo, Jae Hwa;Yoon, Young Jun;Kwon, Ra Hee;Cho, Min Su;Kim, Bo Gyeong;Yoo, Gwan Min;Lee, Jung-Hee;Kang, In Man
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제17권2호
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pp.223-229
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2017
This paper analyzes the effect of a dual-metal-gate structure on the electrical characteristics of AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors. These structures have two gate metals of different work function values (${\Phi}$), with the metal of higher ${\Phi}$ in the source-side gate, and the metal of lower ${\Phi}$ in the drain-side gate. As a result of the different ${\Phi}$ values of the gate metals in this structure, both the electric field and electron velocity in the channel become better distributed. For this reason, the transconductance, current collapse phenomenon, breakdown voltage, and radio frequency characteristics are improved. In this work, the devices were designed and analyzed using a 2D technology computer-aided design simulation tool.
We synthesized new dye sensor based on indole compound. Through the UV-vis absorptions, we analyzed chemosensing properties to explain metal binding properties. The peak absorptions increased at 472 nm when added metal cations($Cd^{2+}$, $Cu^{2+}$, $Hg^{2+}$, $Fe^{2+}$, $Zn^{2+}$, $Ni^{2+}$ and $Cr^{3+}$) and gradually decreased the peak at 516 nm. Thus, this UV-Vis absorption behavior clearly showed the metal binding reaction. To measure energy level of used dye sensor, HOMO/LUMO energy value was calculated with cyclovaltagramm(CV) and using computational calculation method, in which we estimated the optimum structure of dye sensor. CV and computational calculation method, both compared to find suitable geometric structure. (with almost same energy values.) From the computational calculation, dye sensor has plane structure. So, Amine and ketone in the dye sensor faced each other and makes position to bind metal cations. In addition, these positions was supported pull-push electron system and generated MLCT process, when the dye sensor was bonded with the metal cations and resulted chemosensing properties. Through the electrochemical and computational calculation method analyze, we proposed the chemosensing principles that the dye sensor bind the metal cation between ketone and amine. Finally, the formation type of metal ion bindings was determined by Job's plot measurements.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제18권1호
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pp.13-15
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2017
Low emissivity glass for high transparency in the visible range and low emissivity in the IR (infrared) range was fabricated and investigated. The multilayers were have been fabricated, and consisted of two outer oxide layers and a middle layer of Ag as a metal layer. Oxide layers were formed by rf sputtering and metal layers were formed using by an evaporator at room temperature. SiInZnO (SIZO) film was used as an oxide layer. The OMO (oxide-metaloxide) structures of SIZO/Ag/SIZO were analyzed by using transmittance, AFM (atomic force microscopye), and XRD (X-ray diffraction). The OMO multilayer structure was designed to investigate the effect of Ag layer thickness on the optical property of the OMO structure.
본 논문에서는 이중 게이트 junctionless MOSFET 의 성능 최적화를 위하여 다중 게이트 형태를 적용하여 평가한다. 금속 게이트들 사이의 일함수가 서로 다르므로 다중 게이트 구조를 적용할 경우 금속게이트 길이에 따라 소스와 드레인 주변의 전위를 조절할 수 있다. 동작 전류와 누설 전류 그리고 동작 전압은 게이트 구조에 의해 조절이 가능하며 이로 인한 동작 특성 최적화가 가능하다. 본 연구에서는 반도체 소자 시뮬레이션을 통하여 junctionless MOSFET 의 최적화를 구현하고 분석하는 연구를 수행 한다.
The L-bending of inner-structure bonded sandwich sheet metal is examined by using a bending die attached to the material testing machine. The specimen is composed of top and bottom layers and a middle layer of pyramid-core structure and each layer is bonded by brazing. The variables chosen for experiments were clearance between punch and die, location of bend line on the specimen surface and clamping type of specimen during L-bending. Effects of these variables on deformation of specimen around die-corner radius were investigated. It was shown that the irregular shapes of recess are formed in the inner layer of bended parts and they greatly depend on working conditions.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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