Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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2007.06a
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pp.193-198
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2007
The NiSi is very promising candidate for the metallization in 60nm CMOS process such as FUSI(fully silicided) gate and source/drain contact because it exhibits non-size dependent resistance, low silicon consumption and mid-gap workfunction. Ni film was first deposited by using ALD (atomic layer deposition) technique with Bis-Ni precursor and $H_2$ reactant gas at $220^{\circ}C$ with deposition rate of $1.25{\AA}/cycle$. The as-deposited Ni film exhibited a sheet resistance of $5{\Omega}/{\square}$. RTP (repaid thermal process) was then performed by varying temperature from $400^{\circ}C$ to $900^{\circ}C$ in $N_2$ ambient for the formation of NiSi. The process window temperature for the formation of low-resistance NiSi was estimated from $600^{\circ}C$ to $800^{\circ}C$ and from $700^{\circ}C$ to $800^{\circ}C$ with and without Ti capping layer. The respective sheet resistance of the films was changed to $2.5{\Omega}/{\square}$ and $3{\Omega}/{\square}$ after silicidation. This is because Ti capping layer increases reaction between Ni and Si and suppresses the oxidation and impurity incorporation into Ni film during silicidation process. The NiSi films were treated by additional thermal stress in a resistively heated furnace for test of thermal stability, showing that the film heat-treated at $800^{\circ}C$ was more stable than that at $700^{\circ}C$ due to better crystallinity.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.52
no.9
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pp.371-377
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2003
We perform the physical analysis such that Si/W composition ratios and phosphorus distribution change in the W/S $i_{x}$ thin films according to phosphorus concentration of polysilicon and W $F_{6}$ flow rate for the formation of WS $i_{x}$ polycide used as a gate electrode. We report that these physical characteristics have effects on the contact resistance between word line and bit line in DRAM devices. RBS measurements show that for the samples having phosphorus concentrations of 4.75 and 6.0${\times}$10$^{2-}$ atoms/㎤ in polysilicon, by applying W $F_{6}$ flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm, Si/W composition ratio has increases to 2.05∼2.24 and 2.01∼2.19, respectively. SIMS analysis give that phosphorus concentration of polysilicon for both samples have decreases after annealing, but phosphorus concentration of WS $i_{x}$ thin film has increases by applying W $F_{6}$ flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm. The contact resistance between word line and bit line in the sample with phosphorus concentration of 6.0 ${\times}$ 10$^{20}$ atoms/㎤ in polysilicon is lower than the sample with 4.75 ${\times}$ 10$^{20}$ atoms/㎤ After applying W $F_{6}$ flow rates decreases from 4.5 to 3.5 sccm, the contact resistance has been improved dramatically from 10.1 to 2.3 $\mu$$\Omega$-$\textrm{cm}^2$.
Journal of the Institute of Electronics and Information Engineers
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v.53
no.12
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pp.15-19
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2016
The gate bias dependence of kink phenomenon with a large deviation from the resistance circle in Smith chart is observed in the frequency response of $S_{11}$-parameter for large multi-finger RF MOSFETs. For the first time, this bias dependence is analyzed by measuring magnitude and phase of $S_{11}$-parameter, input resistance and input capacitance. As a result, $V_{gs}$ dependent $S_{11}$-parameter is largely changed by the magnitude of input capacitance as well as dominant pole and zero frequencies of input resistance. At $V_{gs}=0V$, the kink phenomenon occurs in the high frequency region because of very small phase difference of $S_{11}$-parameter and high pole frequency of input resistance. However, the kink phenomenon at higher $V_{gs}$ is generated in the low frequency region owing to large phase difference and low pole frequency.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.348-348
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2011
Carbon nanotube (CNT) field effect transistors and sensors use CNT as a current channel, of which the resistance varies with the gate voltage or upon molecule adsorption. Since the performance of CNT devices depends very much on the CNT/metal contact resistance, the CNT/electrode contact must be stable and the contact resistance must be small. Depending on the geometry of CNT/electrode contact, it can be categorized into the end-contact, embedded-contact (top-contact), and side-contact (bottom-contact). Because of difficulties in the sample preparation, the end-contact CNT device is seldom practiced. The embedded-contact in which CNT is embedded inside the electrode is desirable due to its rigidness and the low contact resistance. Fabrication of this structure is complicated, however, because each CNT has to be located under a high-resolution microscope and then the electrode is patterned by electron beam lithography. The side-contact is done by depositing CNT electrophoretically or by precipitating on the patterned electrode. Although this contact is fragile and the contact resistance is relatively high, the side-contact by far has been widely practiced because of its simple fabrication process. Here we introduce a simple method to embed CNT inside the electrode while taking advantage of the bottom-contact process. The idea is to utilize a eutectic material as an electrode, which melts at low temperature so that CNT is not damaged while annealing to melt the electrode to embed CNT. The lowering of CNT/Au contact resistance upon annealing at mild temperature has been reported, but the electrode in these studies did not melt and CNT laid on the surface of electrode even after annealing. In our experiment, we used a eutectic Au/Al film that melts at 250$^{\circ}C$. After depositing CNT on the electrode made of an Au/Al thin film, we annealed the sample at 250$^{\circ}C$ in air to induce eutectic melting. As a result, Au-Al alloy grains formed, under which the CNT was embedded to produce a rigid and low resistance contact. The embedded CNT contact was as strong as to tolerate the ultrasonic agitation for 90 s and the current-voltage measurement indicated that the contact resistance was lowered by a factor of 4. By performing standard fabrication process on this CNT-deposited substrate to add another pair of electrodes bridged by CNT in perpendicular direction, we could fabricate a CNT cross junction. Finally, we could conclude that the eutectic alloy electrode is valid for CNT sensors by examine the detection of Au ion which is spontaneously reduced to CNT surface. The device sustatined strong washing process and maintained its detection ability.
In this paper, MOS-triggered silicon-controlled rectifier (SCR)-based electrostatic discharge (ESD) protection circuits for mobile application in 3.3 V I/O and SCR-based ESD protection circuits with floating N+/P+ diffusion regions for inverter and light-emitting diode driver applications in 20 V power clamps were designed. The breakdown voltage is induced by a grounded-gate NMOS (ggNMOS) in the MOS-triggered SCR-based ESD protection circuit for 3.3 V I/O. This lowers the breakdown voltage of the SCR by providing a trigger current to the P-well of the SCR. However, the operation resistance is increased compared to SCR, because additional diffusion regions increase the overall resistance of the protection circuit. To overcome this problem, the number of ggNMOS fingers was increased. The ESD protection circuit for the power clamp application at 20 V had a breakdown voltage of 23 V; the product of a high holding voltage by the N+/P+ floating diffusion region. The trigger voltage was improved by the partial insertion of a P-body to narrow the gap between the trigger and holding voltages. The ESD protection circuits for low- and high-voltage applications were designed using $0.18{\mu}m$ Bipolar-CMOS-DMOS technology, with $100{\mu}m$ width. Electrical characteristics and robustness are analyzed by a transmission line pulse measurement and an ESD pulse generator (ESS-6008).
We demonstrate that the performance of amorphous indium-gallium-zinc-oxide (IGZO) thin-film transistors (TFT) can be optimized by controlling the interfaces between IGZO and sandwiching insulators and by proper deposition of IGZO layer. Specifically, contact and channel resistances are decreased by reducing IGZO bulk resistance and optimizing dry-etch process, respectively. Field-effect mobility ($\mu_{FE}$) and subthreshold gate swing (S) are further enhanced by fine-tuning IGZO deposition condition.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.21
no.10
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pp.885-888
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2008
We present simulation results on DC characteristics of AlGaN/GaN HEMTs having trench shaped source/drain Ohmic electrodes. In order to reduce the contact resistance in the source and drain region of the conventional AlGaN/GaN HEMTs and thereby to increase their DC output power, we applied narrow-shaped-trench electrode schemes whose size varies from $0.5{\mu}m$ to $1{\mu}m$ to the standard AlGaN/GaN HEMT structure. As a result, we found that the drain current was increased by 13 % at the same gate bias condition and the transconductance (gm) was improved by 11 % for the proposed AlGaN/GaN HEMT, compared with those of the conventional AlGaN/GaN HEMTs.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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v.36D
no.5
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pp.54-61
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1999
We suggested a macro medel for MOS transistors, which incorporates the distributed substrate resistance by using a method which utilizes external diodes on SPICE MOS model. By fitting the simulated s-parameters to the measures ones, we obtained a model set for the W=200TEX>$\mu\textrm{m}$ and L=0.8TEX>$\mu\textrm{m}$ NMOS transistor, and also analyzed the effects of distributed substrate resistance in the RF range. By comparing the physical parameters calculated from simulated s-parameters such as ac resistances and capacitances with the measured ones, we confirmed the validity of the simulation results. For the frequencies below 10GHz, it seems appropriated to use a simple macro model which utilizes the existing SPICE MOS model with junction diodes, after including one lumped resistor each for gate and substrate nodes.
Reiss, G.;Bruckl, H.;Thomas, A.;Justus, M.;Meyners, D.;Koop, H.
Journal of Magnetics
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v.8
no.1
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pp.24-31
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2003
The discoveries of antiferromagnetic coupling in Fe/Cr multilayers by Grunberg, the Giant Magneto Resistance by Fert and Grunberg and a large tunneling magnetoresistance at room temperature by Moodera have triggered enormous research on magnetic thin films and magnetoelectronic devices. Large opportunities are especially opened by the spin dependent tunneling resistance, where a strong dependence of the tunneling current on an external magnetic field can be found. We will briefly address important basic properties of these junctions like thermal, magnetic and dielectric stability and discuss scaling issues down to junction sizes below 0.01 $\mu\textrm{m}$$^2$with respect to single domain behavior, switching properties and edge coupling effects. The second part will give an overview on applications beyond the use of the tunneling elements as storage cells in MRAMs. This concerns mainly field programmable logic circuits, where we demonstrate the clocked operation of a programmed AND gate. The second 'unconventional' feature is the use as sensing elements in DNA or protein biochips, where molecules marked magnetically with commercial beads can be detected via the dipole stray field in a highly sensitive and relatively simple way.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.40
no.11
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pp.1-8
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2003
In this paper, the dependence of silicide properties such as sheet resistance and cross-sectional profile on the dopants for source/drain and gate has been characterized. There was little difference of sheet resistance among the dopants such as As, P, BF$_2$ and B$_{11}$ just a(ter formation of NiSi using RTP (Rapid Thermal Process). However, the silicide properties showed strong dependence on the dopants when thermal treatment was applied after silicidation. BF$_2$ implanted silicon showed the most stable property, while As implanted one showed the worst. The main reason of the excellent property of BF$_2$ sample is believed to be tile retardation of hi diffusion by the flourine. Therefore, retardation of Ni diffusion is highly desirable for high performance Ni-silicide technology.y.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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