An Analysis of Bias-Dependent S11-Parameter in Multi-Finger MOSFETs

The gate bias dependence of kink phenomenon with a large deviation from the resistance circle in Smith chart is observed in the frequency response of $S_{11}$-parameter for large multi-finger RF MOSFETs. For the first time, this bias dependence is analyzed by measuring magnitude and phase of $S_{11}$-parameter, input resistance and input capacitance. As a result, $V_{gs}$ dependent $S_{11}$-parameter is largely changed by the magnitude of input capacitance as well as dominant pole and zero frequencies of input resistance. At $V_{gs}=0V$, the kink phenomenon occurs in the high frequency region because of very small phase difference of $S_{11}$-parameter and high pole frequency of input resistance. However, the kink phenomenon at higher $V_{gs}$ is generated in the low frequency region owing to large phase difference and low pole frequency.

Multi-Finger MOSFET의 바이어스 종속 S11-파라미터 분석

매우 큰 사이즈를 가진 multi-finger RF MOSFET의 $S_{11}$-parameter에서 스미스차트의 저항 circle 라인을 벗어나는 kink 현상의 게이트 바이어스 종속 특성이 관찰되었다. 이러한 바이어스 종속성은 $S_{11}$-parameter의 크기와 위상, 입력저항, 입력 커패시턴스의 주파수 응답곡선을 측정하여 최초로 분석되었다. 그 결과 입력 커패시턴스의 크기와 입력저항의 dominant pole과 zero 주파수에 의해 $V_{gs}$ 종속 kink 현상이 크게 변하는 것을 알 수 있다. $V_{gs}=0V$일 때 매우 적은 $S_{11}$-parameter 위상차와 입력저항의 높은 pole 주파수에 의해 고주파영역에서 kink 현상이 나타난다. 하지만 $V_{gs}$가 높아지면 $S_{11}$-parameter 위상차가 크게 증가하고 pole 주파수가 낮아져 저주파영역에서 kink 현상이 발생하게 된다.