Abstract
In this paper, the dependence of silicide properties such as sheet resistance and cross-sectional profile on the dopants for source/drain and gate has been characterized. There was little difference of sheet resistance among the dopants such as As, P, BF$_2$ and B$_{11}$ just a(ter formation of NiSi using RTP (Rapid Thermal Process). However, the silicide properties showed strong dependence on the dopants when thermal treatment was applied after silicidation. BF$_2$ implanted silicon showed the most stable property, while As implanted one showed the worst. The main reason of the excellent property of BF$_2$ sample is believed to be tile retardation of hi diffusion by the flourine. Therefore, retardation of Ni diffusion is highly desirable for high performance Ni-silicide technology.y.
본 논문에서는 소스/드레인 및 게이트의 불순물에 따른 실리사이드의 의존성을 면저항과 단면 특성 등의 분석을 통하여 연구하였다. 급속 열처리 후에는 As, P, BF₂, B/sub 11/ 등과 같은 불순물에 대한 먼저항의 차이가 거의 나지 않았다. 하지만 실리사이드 형성 후히 고온 열처리시에 그 특성이 매우 크게 변화하였다. BF₂를 주입한 시편에서의 특성이 가장 좋게 나타난 반면, As를 주입한 실리사이드의 특성이 가장 열화되었다. BF₂를 주입한 시편에서의 실리사이드 특성 향상은 flourine에 의한 니켈의 확산 방지 때문인 것으로 여겨진다. 그러므로 실리사이드의 성능 향상을 위해 Ni의 확산을 방지시키는 것이 매우 필요하다.