• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권4호
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• pp.1-9
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• 2002

DRAM에서 셀 파라메터들의 확률 분포를 고려하여 데이터 보유 시간에 대한 분포 특성을 계산하였다. 셀 파라메터와 셀 내부 전압의 과도 특성으로부터 데이터 보유 시간의 식을 유도하였다. 접합 공핍 영역에서 발생하는 누설 전류의 분포 특성은 재결합 트랩의 에너지 분포로, 셀 캐패시턴스 분포 특성은 유전체 성장에서 표면 반응 에너지의 분포 특성으로, 그리고 sense amplifer의 감도를 각각의 독립적인 확률 변수로 보고, monte carlo 시뮬레이션을 이용하여, 셀 파라메터 값들의 확률적 분포와, DRAM 셀들의 데이터 보유 시간에 대하여cumulative failure bit의 분포함수를 계산하였다 특히 sense amplifier의 감도 특성이 데이터 보유 시간 분포의 tail bit에 상당히 영향을 미침을 보였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.1173-1176
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• 2004

In a previous work we reported the bistable property by doping a chiral material in a splay cell. The bistable states are the splay state and the metastable 180$^{\circ}$twist state. The retention time of the metastable state can be changed by the variation of d/p (cell gap over pitch), cell gap, pretilt angle, azimuthal anchoring force, liquid crystal material, and so on. In this paper we will present uniform bend transition and twist retention time improvement in a multi-domain BCSN LC cell by using the multi cell gap method.

• KSBB Journal
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• 제10권5호
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• pp.598-603
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• 1995

현재 국내 주정공장에서 사용되고 있는 타파오카를 액화 및 당화시켜 얻은 당화액과 당화액에서 분 리된 고형분으로 회분실험과 total cell retention c culture 실험을 하였다. 당화액에 의한 회분 실험결과 에탄올 수율은 0.48 g-ethanol/g- (reducing s sugar)으로서 약 $180g/\ell$의 환원당이 36시간만에 거의 다 소모되어 약 $84g/\ell$의 에탄올이 생성되었다. 이 때 최종 효모농도는 $8.5{\times}107$ cellsjml(약$2.30g/\ell$) 이었다. 원료 중 환원당농도가 $224g/\ell$이고 희석속도가 $0.18h^{-1}$ 인 total cell retention culture 실험에서는 효모농도가 약 $40g/\ell$, 잔류 환원당농도 가 약 $15g/\ell$로서 포도당은 거의 소모된 것으로 나 타났다. 에탄올농도는 약 $81.4g/\ell$로서 이의 부피 생산성이 약 $14.7g/\ell$-h이었다. 원료 중 환원당농도가 $205g/\ell$ 이고 희석속도가 $0.2h^{-1}$이며 bleed가 있 는 cell retention culture 실험에서는 효모의 농도가 약 $22g/\ell$까지 증가하였고 에탄올농도는 $685g/\ell$부근에서 진통하였으며 생산성은 약 $13.6g/\ell$-h이 다. 약 $12g/\ell$의 잔류 환원당 중에 약 $4.5g/\ell$의 포도당이 포함되어 있었다. 타피오카 당화액으로부터 분리된 고형분을 사용한 실험을 통하여 고형분도 기 질로서 효용가치가 어느 정도 있는 것으로 판명되었으며 당화액 발효조와 별도로 고형분 발효조의 개발도 필요한 것으로 생각되었다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제3권2호
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• pp.69-75
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• 2003

Cell transistor and data retention time characteristics were studied in 90 nm design rule 512M-bit DRAM, for the first time. And, the characteristics of cell transistor are investigated for different STI gap-fill materials. HDP oxide with high compressive stress increases the threshold voltage of cell transistor, whereas the P-SOG oxide with small stress decreases the threshold voltage of cell transistor. Stress between silicon and gap-fill oxide material is found to be the major cause of the shift of the cell transistor threshold voltage. If high stress material is used for STI gap fill, channel-doping concentration can be reduced, so that cell junction leakage current is decreased and data retention time is increased.

• BMB Reports
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• 제49권1호
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• pp.3-10
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• 2016

microRNAs (miRNAs) are key regulators of cell state transition and retention during stem cell proliferation and differentiation by post-transcriptionally downregulating hundreds of conserved target genes via seed-pairing in their 3' untranslated region. In embryonic and adult stem cells, dozens of miRNAs that elaborately control stem cell processes by modulating the transcriptomic context therein have been identified. Some miRNAs accelerate the change of cell state into progenitor cell lineages—such as myoblast, myeloid or lymphoid progenitors, and neuro precursor stem cells—and other miRNAs decelerate the change but induce proliferative activity, resulting in cell state retention. This cell state choice can be controlled by endogenously or exogenously changing miRNA levels or by including or excluding target sites. This control of miRNA-mediated gene regulation could improve our understanding of stem cell biology and facilitate their development as therapeutic tools. [BMB Reports 2016; 49(1): 3-10]

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제10권2호
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• pp.118-129
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• 2010

A lower-threshold-voltage (LVth) SRAM cell with an elevated cell biasing scheme, which enables to reduce the random threshold-voltage (Vth) variation and to alleviate the stability-degradation caused by word-line (WL) and cell power line (VDDM) disturbed accesses in row and column directions, has been proposed. The random Vth variation (${\sigma}Vth$) is suppressed by the proposed LVth cell. As a result, the LVth cell reduces the variation of static noise margin (SNM) for the data retention, which enables to maintain a higher SNM over a larger memory size, compared with a conventionally being used higher Vth (HVth) cell. An elevated cell biasing scheme cancels the substantial trade-off relationship between SNM and the write margin (WRTM) in an SRAM cell. Obtained simulation results with a 45-nm CMOS technology model demonstrate that the proposed techniques allow sufficient stability margins to be maintained up to $6{\sigma}$ level with a 0.5-V data retention voltage and a 0.7-V logic bias voltage.

• 한국생물공학회:학술대회논문집
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• 한국생물공학회 2000년도 추계학술발표대회 및 bio-venture fair
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• pp.233-236
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• 2000

Bacillus thuringiensis (bt)는 생물학적 살충제 시장에서 가장 널리 사용되는 미생물 살충제이다. Bt의 고농도로 세포배양을 하면 생물반응기에서 원하는 생산물의 농도를 이룰 수 있을 뿐만 아니라 생산물의 생성속도도 이룰 수 있다. 이런 목적 하에서 우리는 세라믹 막 모듈을 반응기 내부에 장착한 새로운 형태의 생물반응기를 개발하였다. 이 새로운 형태의 생물반응기에서 포도당 제한 상태하의 운전을 통해서 bt의 세포와 포자 수율을 현저하게 증가시킬 수 있었다. 최대로 $1.2\;{\times}\;10^{10}\;CFU/ml$의 포자 수율을 달성할 수 있었다. 세라믹 막 모듈 생물반응기에서 포도당 제한 상태 하에서 bt의 성장특성을 연구하였다. 포도당 제한 상태에서는 세포의 성장은 선형 (linear) 성장특성을 보였는데 이것은 간단한 비구조적 수학적 모델의 결과와 잘 일치하였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제8권1호
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• pp.98-103
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• 2008

1T1C DRAM has been facing technological and physical constraints that make more difficult their further scaling. Thus there are much industrial interests for alternative technologies that exploit new devices and concepts to go beyond the 1T1C DRAM technology, to allow better scaling, and to enlarge the memory performance. The technologies of DRAM cell are changing from 1T1C cell type to capacitor-less 1T-gain cell type for more scalable cell size. But floating body cell (FBC) of 1T-gain DRAM has weak retention properties than 1T1C DRAM. FET-type 1T-FeRAM is not adequate for long term nonvolatile applications, but could be a good alternative for the short term retention applications of DRAM. The proposed nonvolatile refresh scheme is based on utilizing the short nonvolatile retention properties of 1T-FeRAM in both after power-off and power-on operation condition.

• Biotechnology and Bioprocess Engineering:BBE
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• 제6권1호
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• pp.1-5
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• 2001

The potential use of spin filter device to retain Propionibacterium acidipropionici in the bioreactor under continuous mode of fermentation, and improve acid productivity, was examined. The yield of propionic acid based on lactose concentration was 51% in batch and 54% in continuous (dilution rate = 0.05 h(sup)-1) operation. The yield in continuous fermentation with cell retention using spin filter of 10 micron size (dilution rate = 0.05 h(sup)-1) was even higher at 70% (w/w). The volumetric productivity under batch and continuous mode of operation were 0.312g L(sup)-1 h(sup)-1 and 0.718g L(sup)-1 h(sup)-1 respectively. Continuous fermentation with cell retention demonstrated even higher volumetric productivities at 0.98g L(sup)-1 h(sup)-1 with out clogging problems. It could be used for utilization of cheese whey to produce propionic acid at higher yield and productivities.

• 전자공학회논문지
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• 제50권4호
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• pp.239-245
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• 2013

멀티 레벨 낸드 플레쉬 메모리에서 주위 셀의 문턱 전압상태에 따른 데이터 유지 특성을 연구하였다. 열을 가해 셀의 데이터 보전특성을 판정하는 열적 열하 특성에서 주목하는 셀의 문턱 전압이 변화하는데 문턱전압의 변화는 선택된 셀 주위에 있는 셀들이 가장 낮은 문턱 전압 상태로 있는 셀들의 수가 많을수록 커진다. 그 이유는 전하의 손실이 이루어지는 낸드 플레쉬 셀의 본질적인 특성 뿐 아니라, 주위 셀 사이의 측면 전계 때문이다. 전계에 대한 모사 결과로부터 전계의 증가 현상을 발견할 수 있고, 이로 인한 전하의 손실이 소자 스케일 다운에 따라 더 증가함을 알 수 있다.