Chae, Gil Jo;Walker, Bright;Kim, Kang Dae;Cho, Shinuk;Seo, Jung Hwa
한국진공학회:학술대회논문집
/
한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
/
pp.391.2-391.2
/
2014
Solution-processible hybrid bipolar field effect transistors (HBFETs) with balanced hole and electron mobilities were fabricated using a combination of the organic p-type poly (3-hexylthiophene) (P3HT) layer and inorganic n-type ZnO material. The hole and electron mobilities were first optimized in single layer devices by using acetonitrile as a solvent additive to process the P3HT and annealing to process the ZnO layer. The highest hole mobility of the P3HT-only-devices with 5% acetonitrile was 0.15 cm2V-1s-1, while the largest electron mobility was observed in the ZnO-only-devices annealed at $200^{\circ}C$ and found to be $7.2{\times}10-2cm2V-1s-1$. The inorganic-organic HBFETs consisting of P3HT with 5% acetonitrile and ZnO layer annealed at $200^{\circ}C$ exhibited balanced hole and electron mobilities of $4.0{\times}10-2$ and $3.9{\times}10-2cm2V-1s-1$, respectively. The effect on surface morphology and crystallinity by adding acetonitrile and thermal annealing were investigated through X-ray diffraction and atomic force microscopy (AFM). Our findings indicate that techniques demonstrated herein are of great utility in improving the performance of inorganic-organic hybrid devices
Haleem, Naushath Mohamed;Rajapakse, Athula D.;Gole, Aniruddha M.
Journal of Power Electronics
/
제18권6호
/
pp.1901-1911
/
2018
This study presents a circuit model for simulating the switching transients of insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) with inductive load switching. The modeling approach used in this study considers the behavior of IGBTs and freewheeling diodes during the transient process and ignores the complex semiconductor physics-based relationships and parameters. The proposed circuit model can accurately simulate the switching behavior due to the detailed consideration of device-circuit interactions and the nonlinear nature of model parameters, such as internal capacitances. The developed model is incorporated in an IGBT loss calculation module of an electromagnetic transient simulation program to enable the estimation of switching losses in voltage source converters embedded in large power systems.
A method of frequency multipling of square waveforms is described and an integrable frequency multiplier which is fully compatible with IC technology, and made use of only bipolar transistors and resistors is proposed. The circuit is composed of only integrable time delay circuits and exclusive OR gates. Hence the circuit shows some useful characteristics.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
/
pp.293-293
/
2005
The differences between floating and grounded body effects in polycrystalline silicon thin-film transistors (polysilicon TFTs) are investigated by making a body contact. The
floating body effects such as kink effect, subthreshold slope change, and body current
characteristics are explained and modeled by impact ionization, which causes source body turn on, and activates the parasitic bipolar junction transistors (BJTs). These effects become crucial for channel lengths of 4㎛ or shorter. Our data show that making a body contact reduces kink effects significantly and identifies impact ionization mechanism in polysilicon TFTs.
This paper presents preliminary results on the degradation of BJTs(Bipolar Junction Transistors) and MOSFETs(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) by 1MeV electron beam. Exposure experimental results show that the change of minority-carrier life time in base region dominates the behavior of BJTs and that the buildup of charges in oxide region can affect the value of threshold voltage for MOSFETs. It was possible to correlate the decrease of the minority-carrier life time of BJTs with irradiation dose, while the shift of MOSFETs' threshold voltage was not only a function of charge buildup in oxide region.
A new analytical model for the base current of Si/SiGe/Si heterojunction bipolar transistors(HBTs) has been developed. This model includes the hole injection current from the base to the emitter, and the recombination components in the space charge region(SCR) and the neutral base. Distinctly different from other models, this model includes the following effects on each base current component by using the boundary condition of the excess minority carrier concentration at SCR boundaries: the first is the effect of the parasitic potential barrier which is formed at the Si/SiGe collector-base heterojunction due to the dopant outdiffusion from the SiGe base to the adjacent Si collector, and the second is the Ge composition grading effect. The effectiveness of this model is confirmed by comparing the calculated result with the measured plot of the base current vs. the collector-base bias voltage for the ungraded HBT. The decreasing base current with the increasing the collector-base reverse bias voltage is successfully explained by this model without assuming the short-lifetime region close to the SiGe/Si collector-base junction, where a complete absence of dislocations is confirmed by transmission electron microscopy (TEM)[1].The recombination component in the neutral base region is shown to dominate other components even for HBTs with a thin base, due to the increased carrier storage in the vicinity of the parasitic potential barrier at collector-base heterojunction.
본 논문에서는 package된 BJT의 RF 등가회로 모델을 optimization과정 없이 직접 추출하는 방법을 개발하였다. 먼저, open 과 short package 구조를 사용하여 plastic package의 기생성분을 측정된 S-파라미터로부터 정확히 제거하였다. 이와 같이 package do-embedding된 S-파라미터로부터 package lead와 chip pad 사이의 bonding wire 인덕턴스와 chip pad 캐패시턴스를 직접 추출하는 간단한 방법을 구축하였다. 그 후에 내부 BJT소자의 소신호 모델변수들은 RF 등가회로로부터 유도된 Z나 Y-파라미터 방정식을 이용하여 결정하였다. 이 방법으로 모델화된 packaged BJT의 S-파라미터는 측정 데이터와 아주 잘 일치하였으며 이는 새로운 추출방법의 정확성을 증명한다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
/
제13권5호
/
pp.516-521
/
2013
This paper investigates the two dominant but intertwined current blocking mechanisms of Switching and Kirk Effect in pure ternary InAlAs/InGaAs/InAlAs Double Heterojunction Bipolar Transistors (DHBTs). Molecular Beam Epitaxy (MBE) grown, lattice-matched samples have been investigated giving substantial experimental results and theoretical reasoning to explain the interplay between these two effects as the current density is increased up to and beyond the theoretical Kirk Effect limit for devices of emitter areas varying from $20{\times}20{\mu}m^2$ to $1{\times}5{\mu}m^2$. Pure ternary InAlAs/InGaAs/InAlAs DHBTs are ideally suited for such investigations because, unless corrective measures are taken, these devices suffer from appreciable current blocking effect due to their large conduction band discontinuity of 0.5 eV and thus facilitating the observation of the two different physical phenomena. This enhanced understanding of the interplay between the Kirk and Switching effect makes the DHBT device design and optimization process more effective and efficient.
The effects of the conditions of the collector formation on electrical characteristics of the packaged SiGe hetero-junction bipolar transistors (HBT) were investigated. While the DC characteristics of SiGe HBTs such as IV characteristic, forward current gain, Early voltage, and breakdown voltage were hardly changed after packaging, the AC characteristics such as $f_{\tau}\; and\; f_{max}$ were degraded severely. With the rise of the collector concentration, the break-down voltage decreased but the $f_{\tau}$ increased. Additionally, $\beta$ and $f_{\tau}$ values were kept high in the range of elevated collector current due to the increase of the critical current density for the onset of the Kirk effect. The devices As implanted before the collector deposition showed lower breakdown voltage and higher $f_{\tau}$ than the others, which seems to be originated from the As up-diffusion resulting in the thinner collector.
2차원 n-p-n 바이폴라 트랜지스터의 수치해석을 위한 프로그램(BIPOLE)을 개발하였다. 이 프로그램은 SRH와 Auger 재결합 기구들과 불순물 농도와 전계강도에 대한 운송자 이동도의 의존성과 밴드 갭 축소 효과들을 포함하고 있다. Poisson 방정식에는 Newton법을 또 정공과 전자의 연속 방정식에는 발산이론을 이용하여 여러가지 물리적인 제한없이 기본 반도체 방정식들에 대한 유한차분 공식들을 만들었다. 선형화된 방정식들의 계수 행렬은 희소 대칭 M 행렬이었는데 그 해를 구하기 위해 ICCG법과 Gummel의 알고리즘을 적용하였다. 이 프로그램 BIPOLE를 n-p-n 트랜지스터의 여러가지 정상 상태 문제에 적용시켰다. 그 응용의 보기로서 공통 에미터 전류이득의 변화, 에미터 용량에 대한 확산용량이 미치는 영향과 입출력 특성곡선들을 계산해 보았다. 전위 분포와 전자와 정공 농도분포와 같은 계산 결과를 3차원 컴퓨터 그래픽으로 도시하였다. 이 프로그램은 장차 2차원 트랜지스터의 교류 및 왜곡 현상의 수치해석의 기초로 이용될 것이며, 이 프로그램에 관심있는 모든 분들께 공급될 것이다.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.