• 제목/요약/키워드: Seed layer

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상수리 나무중 Polyphenol 성분들의 분포에 관한 연구 (Studies on the Distribution of Polyphenols in the Parts of Quercus acutissima)

  • 문자영;조성희
    • 분석과학
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    • 제11권6호
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    • pp.478-484
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    • 1998
  • 상수리나무(Quercus acutissima, 3년생)의 잎, 줄기, 뿌리, 껍질, 및 열매에 각각 존재하고 있는 polyphenol 성분의 분포를 thin layer chromatography와 column chromatography를 이용하여 조사하였다. 총 25종류의 polyphenol 성분을 분리하였는데, 이들 중 잎에서 15개, 줄기에서 11개, 뿌리와 껍질에서 각각 7개를 분리하였으며, 열매에서는 4개의 성분을 분리하였다. 분리한 polyphenol 성분들 중에는 catechin 성분이 모든 부위에서 비교적 많이 분포하고 있었으며 일부 flavonoid 성분들도 확인되었다. 잎을 제외한 모든 부위에서 3종류의 polyphenol isomer의 존재를 확인했으며, 잎에서는 monomer와 oligomer성 polyphenol의 존재를 확인했으나 polymeric polyphenol이 확인되지 않았다. Quercus acutissima에서 polyphenol의 총함량은 껍질에서 상대적으로 가장 많았고, 다음으로는 뿌리, 잎, 열매의 순으로 많이 분포하였으며, 줄기에서 가장 적은 양이 확인되었다.

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전류인가 방법이 3D-SiP용 Through Via Hole의 Filling에 미치는 영향 (The Effects of Current Types on Through Via Hole Filling for 3D-SiP Application)

  • 장근호;이재호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제13권4호
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    • pp.45-50
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    • 2006
  • 3D package의 SiP에서 구리의 via filling은 매우 중요한 사항으로 package밀도가 높아짐에 따라 via의 크기가 줄어들며 전기도금법을 이용한 via filling이 연구되어왔다. Via filling시 via 내부에 결함이 발생하기 쉬운데 전해액 내에 억제제, 가속제등 첨가제를 첨가하고 펄스-역펄스(PRC)의 전류파형을 인가하여 결함이 없는 via의 filling이 가능하다. 본 연구에서는 건식 식각 방법 중 하나인 DRIE법을 이용하여 깊이 $100{\sim}190\;{\mu}m$, 직경이 각각 $50{\mu}m,\;20{\mu}m$인 2가지 형태의 via을 형성하였다. DRIE로 via가 형성된 Si wafer위에 IMP System으로 Cu의 Si으로 확산을 막기 위한 Ta층과 전해도금의 씨앗층인 Cu층을 형성하였다. Via시편은 직류, 펄스-역펄스의 전류 파형과 억제제, 가속제, 억제제의 첨가제를 모두 사용하여 filling을 시도하였고, 공정 후 via의 단면을 경면 가공하여 SEM으로 관찰하였다.

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RF용 MCM-D 기판 내장형 인덕터 (Embedded Inductors in MCM-D for RF Appliction)

  • 주철원;박성수;백규하;이희태;김성진;송민규
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제7권3호
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    • pp.31-36
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    • 2000
  • RF(radio Frequency)용 MCM(Multichip Module)-D 기판 내장형 인덕터를 개발하였다. MCM 기술은 고밀도 패키징 기술로서 주로 디지털회로에 많이 적용되어 왔으나, 최근에는 아날로그회로 및 디지털회로가 혼재된 혼성신호 및 초고주파 회로에도 적용되고 있다. 혼성신호에서는 능동소자 주변에 많은 수의 수동소자가 연결되므로 MCM-D 기판에 수동소자를 내장시키면 원가절감과 시스템의 크기 축소 및 경량화를 이를 수 있을 뿐 아니라, 성능과 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 본 논문에서 MCM-D 기판은 Cu/감광성 BCB(Benzocyclobutene)를 각각 금속배선 및 절연막 재료로 사용하였고, 금속배선은 Ti/Cu를 각각 1000 $\AA$/3000 $\AA$으로 스퍼터한 후 fountain 방식으로 전기 도금하여 3 $\mu\textrm{m}$ Cu를 형성하였으며, 인덕터는 coplanar구조로 하여 기존의 반도체 공정을 이용하여 MCM-D기판에 인덕터를 안정적으로 내장시키고 전기적 특성을 측정하였다.

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헛개나무 잎과 과병추출물의 몇가지 가능성 (Some Functional Properties of Extracts from Leaf and Fruit Stalk of Hovenia dulcis)

  • 정창호;심기환
    • 한국식품저장유통학회지
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    • 제7권3호
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    • pp.291-296
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    • 2000
  • 헛개나무 추출물을 이용하여 항산화, 아질산염소거 및 알콜분해 효과 등을 조사한 결과는 다음과 같다. 헛개나무 잎과 과병의 용매별 추출수율을 측정한 결과 잎은 물층, 과병에서는 메탄올층에서 각각 높게 나타났으며, 에탄올 추출물을 헥산, 클로로포름, 에틸아세테이트, 부탄올 및 물과 같은 용매를 이용하여 계통분획한 후 추출수율은 잎과 과병 모두 물분획층에서 높게 나타났다. 메탄올 에탄올, 헥산, 클로로포름 및 물 추출물을 이용하여 항산화 효과 및 아질산염소거 효과를 측정한 결과 에탄올 추출물에서 높은 활성을 나타내었으며, 에탄올 추출물을 계통분획하여 항산화 및 아질산염소거 효과를 측정한 결과 에틸아세테이트 분획층에서 활성이 높게 나타났다. 헛개나무의 부위별 알콜분해효과는 잎과 과병에서 높게 나타났고, 잎과 과병의 알콜분해효과는 시간이 경과함에 따라 증가하였다.

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펄스-역펄스 전착법을 이용한 SiP용 via의 구리 충진에 관한 연구 (Electroplating of Copper Using Pulse-Reverse Electroplating Method for SiP Via Filling)

  • 배진수;장근호;이재호
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제12권2호
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    • pp.129-134
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    • 2005
  • SiP의 3D패키지에 있어서 구리도금은 매우 중요한 역할을 한다 이러한 구리 도금의 조건을 알아보기 위하여 조건이 다른 전해질에서 전기화학적 I-V특성을 분석하였다. 첨가제로 억제제와 촉진제의 특성을 분석하였다. 3D 패키지에 있어서 직경 50, 75, $100{\mu}m$의 via를 사용하였다. Via의 높이는 $100{\mu}m$로 동일하였다. Via의 내부는 확산방지층으로 Ta을 전도성 씨앗층으로 Cu를 magnetron 스퍼터링 방법으로 도포하였다. 직류, 펄스, 펄스-역펄스 등 전류의 파형을 변화시키면서 구리 도금을 하였다. 직류만 사용하였을 경우에는 결함 없이 via가 채워지지 않았으며 펄스도금을 한 경우 구리 충진이 개선을 되었으나 결함이 발생하였다. 펄스-역펄스를 사용한 경우 결함 없는 구리 충진층을 얻을 수 있었다.

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수열합성법을 이용한 산화아연 나노와이어의 에피택시 성장 (Epitaxial Growth of ZnO Nanowires on Sapphire (001) Substrates Using a Hydrothermal Process)

  • 함다슬;정병언;양명훈;이종관;최영빈;강현철
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제31권7호
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    • pp.502-509
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    • 2018
  • Epitaxial ZnO nanowires (NWs) were synthesized on sapphire (001) substrates using a hydrothermal process. The effects of the pH value of the precursor solution on the structural and optical properties of the resulting NWs was studied. The epitaxial relationship and the domain matching configuration between the sapphire (001) substrate and the as-grown ZnO NWs were determined using synchrotron X-ray diffraction measurements. The (002) plane of $w{\ddot{u}}rtzite$ ZnO NW grows in the surface normal direction parallel to the sapphire (001) direction. However, three types of in-plane domain matching configurations were observed, such as the on-position, $30^{\circ}$-rotated position, and ${\pm}8.5^{\circ}$-rotated position relative to the on-position, which might be attributed to inheriting the in-plane domain configuration of the ZnO seed layer.

수열합성법으로 합성된 산화구리 나노막대의 일산화질소 가스 감지 특성 (Nitrogen Monoxide Gas Sensing Properties of CuO Nanorods Synthesized by a Hydrothermal Method)

  • 박수정;김효진;김도진
    • 한국재료학회지
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    • 제24권1호
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    • pp.19-24
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    • 2014
  • We report the nitrogen monoxide (NO) gas sensing properties of p-type CuO-nanorod-based gas sensors. We synthesized the p-type CuO nanorods with breadth of about 30 nm and length of about 330 nm by a hydrothermal method using an as-deposited CuO seed layer prepared on a $Si/SiO_2$ substrate by the sputtering method. We fabricated polycrystalline CuO nanorod arrays at $80^{\circ}C$ under the hydrothermal condition of 1:1 morality ratio between copper nitrate trihydrate [$Cu(NO_2)_2{\cdot}3H_2O$] and hexamethylenetetramine ($C_6H_{12}N_4$). Structural characterizations revealed that we prepared the pure CuO nanorod array of a monoclinic crystalline structure without any obvious formation of secondary phase. It was found from the gas sensing measurements that the p-type CuO nanorod gas sensors exhibited a maximum sensitivity to NO gas in dry air at an operating temperature as low as $200^{\circ}C$. We also found that these CuO nanorod gas sensors showed reversible and reliable electrical response to NO gas at a range of operating temperatures. These results would indicate some potential applications of the p-type semiconductor CuO nanorods as promising sensing materials for gas sensors, including various types of p-n junction gas sensors.

Zeolite Membrane for High Temperature Gas Separation

  • Li, G.;Kikuchi, E.;Matsukata, M.
    • 한국막학회:학술대회논문집
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    • 한국막학회 2004년도 Proceedings of the second conference of aseanian membrane society
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    • pp.86-89
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    • 2004
  • The present study reports the preparation of a compact ZSM-5 membrane showing high thermal stability and high separation factors, especially n-/i-butane isomers at high temperatures. ZSM-5 membrane was prepared on a porous $\alpha$-Al$_2$O$_3$ tube (an average pore diameter, ca. 100 nm) at 18$0^{\circ}C$ by the seed-assisted crystallization method. The XRD and SEM results showed that a thin zeolite layer (ca. 1 ${\mu}{\textrm}{m}$) was formed on the support surface. The single gas permeances of $N_2$, H$_2$, SF$_{6}$, n-butane, and i-butane were taken at 27$0^{\circ}C$. i-Butane permeance hardly changed after repeated thermal treatments up to 40$0^{\circ}C$, indicating the membrane is thermally stable. On the other hand, other single gas permeances increased when the membrane was further dried at 40$0^{\circ}C$, indicating thermal pretreatment at 27$0^{\circ}C$ could not remove all the adsorbed species in the membrane. i-Butane and SF$_{6}$ permeances were significantly lower than the permeances of smaller molecules, indicating that the membrane has a low concentration of defects. The ideal selectivities at 27$0^{\circ}C$ were 61 for $H_2$/i-butane and 47 for $H_2$/SF$_{6}$. The temperature dependency of n/i-butane ideal selectivities and separation factors for an equimolar n/i-butane mixture was studied. The ideal selectivity showed a maximum of 36 at 30$0^{\circ}C$. The separation factors increased with temperature and reached around 12 at 300-40$0^{\circ}C$, which were much higher than those reported in the literature.ature.

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SoP-L 기술 기반의 반도체 기판 함몰 공정에 관한 연구 (Study on the Buried Semiconductor in Organic Substrate)

  • 이광훈;육종관;박세훈;유찬세;이우성;김준철;강남기;박종철
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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    • pp.33-33
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    • 2007
  • SoP-L 공정은 유전율이 상이한 재료를 이용하여 PCB 공정이 가능하고 다른 packaging 방법에 비해 공정 시간과 비용이 절약되는 잠정이 있다. 본 연구에서는 SoP-L 기술을 이용하여 Si 기판의 함몰에 판한 공정의 안정도와 함몰 시 제작된 때턴의 특성의 변화에 대해 관찰 하였다. Si 기판의 함몰에 Active device를 이용하여 특성의 변화를 살펴보고 공정의 안정도를 확립하려 했지만 Active device는 측정 시 bias의 확보와 특성의 민감한 변화로 인해 비교적 측정이 용이하고 공정의 test 지표를 삼기 위해 passive device 를 구현하여 함몰해 보았다. Passive device 의 제작 과정은 Si 기판 위에 spin coating을 통해 PI(Poly Imide)를 10um로 적층한 후에 Cr과 Au를 seed layer로 증착을 하였다. 그리고 photo lithography 공정을 통하여 photo resister patterning 후에 전해 Cu 도금을 거쳐 CPW 구조로 $50{\Omega}$ line 과 inductor를 형성하였다. 제작 된 passive device의 함몰 전 특성 추출 data와 SoP-L공정을 통한 함몰 후 추출 data 비교를 통해 특성의 변화와 공정의 안정도를 확립하였다. 차후 안정된 SoP-L 공정을 이용하여 Active device를 함몰 한다면 특성의 변화 없이 size 룰 줄이는 효과와 외부 자극에 신뢰도가 강한 기판이 제작 될 것으로 예상된다.

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수열합성법에 의한 Y-ZnO 나노구조물의 제작과 특성

  • 허성은;이병호;이황호;김창민;김원준;;이세준;김득영
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.200.2-200.2
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    • 2013
  • Yttrium (Y)이 도핑 된 ZnO 나노 구조물을 수열합성법으로 제작하였다. 먼저 졸겔법으로 SiO2/Si 기판 위에 seed layer (Y-doped ZnO ; Y0.02Zn0.98O)를 제작하였으며 5번의 코팅을 진행하여 박막의 두께는 약 180 nm로 측정이 되었다. 그 후 진공 분위기에서 RTA를 이용하여 $500^{\circ}C$에서 3분간 열처리가 진행되었다. 이어서 수열합성법으로 mole 농도를 0.5~1.0 M 범위에서 변화시키며 YZO 시료를 제작하였다. X-ray diffraction (XRD)을 통해서 Y2O3 또는 결함과 관련된 피크는 관찰이 되지 않았으며, 모든 구조물에서 압축응력이 존재하는 알 수 있었으며, field emission scanning electron microscope (FESEM)에서 나노 구조물의 크기와 형태는 수열합성법의 mole 농도에 많은 영향을 받는 것으로 나타났다. Hall effect 측정을 통해서 모든 구조물은 n-type 전도 특성을 가지는 것으로 나타났다. 또한 광학적 특성인 photoluminescence (PL)에서는 수열합성법의 화학식을 고려할 때 Zn가 rich한 상태에서는 Zn interstitial로 존재하는 것으로 나타났고, mole 농도가 높아 질수록 free exciton에 의한 재결합인 UV emission이 우세하게 나타났다.

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