• Title/Summary/Keyword: RF Noise

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On-Chip 나선형 인덕터의 품질계수 향상을 통한 저잡음 RF 전치부 설계 (A Design of Low Noise RF Front-End by Improvement Q-factor of On-Chip Spiral Inductor)

  • 고재형;정효빈;최진규;김형석
    • 전기학회논문지
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    • 제58권2호
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    • pp.363-368
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    • 2009
  • In the paper, we confirmed improvement Noise figure of the entire RF front-end using spiral inductor with PGS(Patterned Ground Shield) and current bleeding techniques. LNA design is to achieve simultaneous noise and input matching. Spiral inductor in input circuit of LNA inserted PGS for betterment of Q-factor. we modeling inductor using EM simulator, so compared with inductor of TSMC 0.18um. We designed and simulation the optimum structure of PGS using Taguchi's method. We confirmed enhancement of noise figure at LNA after substituted for inductor with PGS. Mixer designed using current bleeding techniques for reduced noise. We designed LNA using inductor with PGS and Mixer using current bleeding techniques, so confirmed improvement of noise figure.

A Low Close-in Phase Noise 2.4 GHz RF Hybrid Oscillator using a Frequency Multiplier

  • 문현원
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제20권1호
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    • pp.49-55
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    • 2015
  • This paper proposes a 2.4 GHz RF oscillator with a very low close-in phase noise performance. This is composed of a low frequency crystal oscillator and three frequency multipliers such as two doubler (X2) and one tripler (X3). The proposed oscillator is implemented as a hybrid type circuit design using a discrete silicon bipolar transistor. The measurement results of the proposed oscillator structure show -115 dBc/Hz close-in phase noise at 10 kHz offset frequency, while only dissipating 5 mW from a 1-V supply. Its close-in phase noise level is very close to that of a low frequency crystal oscillator with little degradation of noise performance. The proposed structure which is consisted of a low frequency crystal oscillator and a frequency multiplier provides new method to implement a low power low close-in phase noise RF local oscillator.

저잡음 증폭기를 위한 프로그램 가능한 고주파 Built-In Self-Test회로 (Programmable RF Built-ln Self-Test Circuit for Low Noise Amplifiers)

  • 류지열;노석호
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2005년도 춘계종합학술대회
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    • pp.1004-1007
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    • 2005
  • 본 논문에서는 저잡음 증폭기 (Low Noise Amplifier, LNA)를 위한 프로그램 가능한 RF (고주파) BIST (Built-In Self-Test) 회로를 제안한다. 개발된 BIST 회로는 온 칩 형태로 DC 측정만을 이용하여 LNA의 RF 변수들을 측정할 수 있다. BIST 회로는 프로그램 가능한 커패시터 뱅크 (programmable capacitor banks)를 가진 test amplifier와 RF 피크 검출기로 구성되어 있다. 이러한 온 칩 회로는 각각 GSM, Bluetooth 및 IEEE802.11g의 응용을 위해 세 가지 주파수 대, 즉 1.8GHz, 2.4GHz 및 5GHz에서 사용할 수 있도록 프로그램 되어있고, LNA가 가지는 RF 사양들, 즉 입력 임피던스 및 전압이득 등을 DC 전압으로 변화시켜주는 역할을 한다.

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LNA를 위한 새로운 프로그램 가능 고주파 검사용 설계회로 (New Programmable RF DFT Circuit for Low Noise Amplifiers)

  • 류지열;노석호
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제44권4호
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    • pp.28-39
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    • 2007
  • 본 논문에서는 저잡음 증폭기 (LNA)를 위한 새로운 구조의 프로그램 가능한 고주파 검사용 설계회로 (RF DFT)를 제안한다. 개발된 RF DFT 회로는 DC 측정만을 이용하여 LNA의 RF 변수를 측정할 수 있으며, 최근의 RFIC 소자에 매우 유용하다. DFT 회로는 프로그램 가능한 커패시터 뱅크 (programmable capacitor banks)와 RF 피크 검출기를 가진 test amplifier를 포함하며, 측정된 출력 DC 전압을 이용하여 입력 임피던스와 전압이득과 같은 LNA 사양을 계산할 수 있다. 이러한 온 칩 DFT 회로는 GSM, Bluetooth 및 IEEE802g 표준에 이용할 수 있는 3가지 주파수 대역, 즉 1.8GHz, 2.4GHz, 5.25GHz용 LNA에서 사용할 수 있도록 자체적으로 프로그램 할 수 있다. 이 회로는 간단하면서도 저렴하다

디지털 TRS 기지국의 RF 시스템 수신부를 위한 저잡음증폭기와 대역통과필터의 설계 및 제작 (Design and Implementation of LNA and BPF for RF System in Digital TRS Base Station (I) ; Receiving Part)

  • 구인모;이상설
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제10권6호
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    • pp.900-909
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    • 1999
  • 디지털 TRS 기지국 RF 시스템을 개발한다. 결정된 사양과 블걱도에 따라 기지국의 수신부 RF 회로를 설계한다. 고주파 대역통과필터 및 저잡음 증폭기, 자동 레벨 제어 감쇠기, 주파수 합성기 등의 주요 모듈을 설계/제작하고 , 이들 각 모듈의 연동을 주 기판을 설계/제작한다. 또한 수신부에서 중요한 고주파 신호의 스퓨리어스 잡음 및 시스템의 잡음을 억제할 수 있는 방안을 강구한다. 설계/제작된 RF 시스템의 각 구성 모듈 및 전체 수신부의 성능을 시험하여 설계 사양과 일치하는가를 확인한다.

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A Low Noise and Low Power RF Front-End for 5.8-GHz DSRC Receiver in 0.13 ㎛ CMOS

  • Choi, Jae-Yi;Seo, Shin-Hyouk;Moon, Hyun-Won;Nam, Il-Ku
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제11권1호
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    • pp.59-64
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    • 2011
  • A low noise and low power RF front-end for 5.8 GHz DSRC (Dedicated Short Range Communication) receiver is presented. The RF front-end is composed of a single-to-differential two-stage LNA and a Gilbert down-conversion mixer. In order to remove an external balun and 5.8 GHz LC load tuning circuit, a single-to-differential LNA with capacitive cross coupled pair is proposed. The RF front-end is fabricated in a 0.13 ${\mu}m$ CMOS process and draws 7.3 mA from a 1.2 V supply voltage. It shows a voltage gain of 40 dB and a noise figure (NF) lower than 4.5 dB over the entire DSRC band.

CMOS Direct-Conversion RF Front-End Design for 5-GHz WLAN

  • Oh, Nam-Jin
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제8권3호
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    • pp.114-118
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    • 2008
  • Direct-conversion RF front-end for 5-GHz WLAN is implemented in $0.18-{\mu}m$ CMOS technology. The front-end consists of a low noise amplifier, and low flicker noise down-conversion mixers. For the mixer, an inductor is included to resonate out parasitic tail capacitances in the transconductance stage at the operating frequency, thereby improves the flicker noise performance of the mixer, and the overall noise performance of the front-end. The receiver RF front-end has 6.5 dB noise figure, - 13 dBm input IP3, and voltage conversion gain of 20 dB with the power consumption of 30 mW.

위상잡음 제거에 의한 광섬유망에서의 높은 안정도의 RF 전송 (Highly Stable RF Transfer over a Fiber Network by Fiber-induced Phase Noise Cancellation)

  • 이원규;이대수;김영범;권택용
    • 한국광학회지
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    • 제17권6호
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    • pp.514-518
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    • 2006
  • 높은 안정도를 가지는 100 MHz의 RF 신호를 23 km의 광섬유망을 통하여 전송하였다. 진동과 온도 변화에 의하여 생기는 광섬유 전송과정에서의 위상 잡음을 측정하고 이를 보상하는 회로를 구성하였다. 광섬유 잡음이 제거되었을 때, RF 신호 전송의 상대주파수 불안정도는 1초 평균시간에서 $6{\times}10^{14}$, 10000초 평균시간에서 $2{\times}10^{-17}$으로서 기준 RF 신호의 안정도와 거의 같은 수준으로 광섬유를 통하여 RF를 전송할 수 있었다. 잡음 보상에 의하여 단측파대 위상잡음은 푸리에 주파수 1 kHz 이하에서 20 dB 이상 감소하였다.

텔레비전 유휴 주파수 대역을 지원하는 저잡음 및 고선형 특성의 RF 수신기 설계 (TV White Space Low-noise and High-Linear RF Front-end Receiver)

  • 김창완
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제22권1호
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    • pp.91-99
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    • 2018
  • 본 논문에서는 텔레비전 유휴 주파수 대역(470 MHz ~ 698 MHz)에서 적용 가능한 우수한 수신감도와 높은 선형 특성을 동시에 확보할 수 있는 RF 수신기 구조와 회로 구조를 제안하였다. 제안하는 RF 수신기는 $0.13-{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계되었으며, 저잡음 증폭기, 고주파 대역 통과 필터, 고주파 증폭기, 수동 하향 주파수 변환기, 그리고 기저 대역 통과 필터로 구성되어 있다. 높은 수신감도를 얻기 위해 저잡음 증폭기와 고주파 증폭기를 적용하였으며, 인접 채널에 위치하는 인터피어러를 고주파 대역에서 필터링하기 위해 MOS 스위치와 커패시터를 이용한 고주파 대역 통과 필터와 수동 하향 주파수 변환기를 동시에 사용하였다. 제안된 4차 저역통과 필터는 공통-게이트 증폭기에 기존의 바이쿼드 셀을 적용하여 -24dB/oct 필터링 특성을 얻었다. 모의 실험결과로부터 설계된 RF 수신기는 56 dB의 전압이득, 2 dB 이하의 잡음 지수, -2.3 dBm의 IIP3 (out-of-channel) 성능을 제공하며, 1.5 V 전원으로부터 37 mA를 소모 한다.

GSM 휴대폰 TDMA 잡음 전달 특성 분석을 통한 통화 품질 개선에 관한 연구 (A Study on Improvement of QoS through Analyzing Transmission Characteristics of TDMA Noise in the GSM Mobile Set)

  • 하정욱;오태훈;강진석;윤영중
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제19권4호
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    • pp.470-476
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    • 2008
  • 본 논문에서는 GSM(Global System for Mobile communication) 휴대폰에서 TDMA(Time Division Multiple Access) 잡음의 원인 및 TDMA 잡음원의 판별 방법에 대해서 기술한다. TDMA 잡음의 원인은 Rf(Radio Frequency) 에너지 결합과 버스트 리플(Burst ripple)에 의한 저주파 에너지 결합으로 구성된다. TDMA 잡음원의 판별 방법을 출력(TDMA 잡음 측정)과 시스템(오디오 경로)의 주파수 응답을 통해 제안한다. 특히 RF 에너지 결합에 대해 삽입 손실($S_{21}$) 분석 방법과 개선 방법을 제안한다. RF 에너지 결합을 줄이기 위해 커패시터(40 pF)가 해결법이고, 결과적으로 TDMA 잡음이 10 dB가 줄어들었다.