• 한국산업정보학회:학술대회논문집
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• 한국산업정보학회 2002년도 추계공동학술대회
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• pp.363-370
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• 2002

RF에서 동작하는 초미세 공정 MOS 트랜지스터의 기판 효과에 따른 기판 회로망과 물리적 의미를 가지는 파라미터 추출법이 고려되었다. 제안된 기판 회로망에는 단일의 저항과 링-형태의 기판 콘택에 의해 생성된 인덕터가 포함되었다. 모델 파라미터는 최적화 과정 없이 단절된 게이트와 공통-벌크 구성을 갖는 MOS 트랜지스터에서 측정된 S-파라미터로부터 추출된다. 제안된 기술은 다양한 크기의 MOS 트랜지스터에 적용되어졌다. 추출된 기판 회로망을 이용한 가상실험 결과와 측정치는 약 300Hz까지 일치함을 검증하였다.

• Advances in materials Research
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• 제1권1호
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• pp.37-49
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• 2012

In this paper, we present modeling and characterization of CNT-based TSVs to be used in high-frequency RF applications. We have developed an integrated model of CNT-based TSVs by incorporating the quantum confinement effects of CNTs with the kinetic inductance phenomenon at high frequencies. Substrate parasitics have been appropriately modeled as a monolithic microwave capacitor with the resonant line technique using a two-polynomial equation. Different parametric variations in the model have been outlined as case studies. Furthermore, electrical performance and signal integrity analysis on different cases have been used to determine the optimized configuration for CNT-based TSVs for high frequency RF applications.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2000년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.57-57
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• 2000

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2000년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.58-58
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• 2000

• 한국전자파학회논문지
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• 제16권10호
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• pp.1010-1019
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• 2005

본 논문에서는 투톤(two-tone) 신호가 입력된 RF 전력 증폭기의 출력단에서 관찰되는 메모리 효과를 신경망회로를 이용하여 모델링 하였다. 입력 신호의 톤 간격과 전력 레벨의 변화에 따른 출력 전력의 IMD(Inter-Modulation Distortion) 비대칭성을 측정하여 고출력 RF 전력 증폭기의 메모리 효과를 확인하였으며, 서로 다른 중심 주파수에서의 메모리 효과도 실험적으로 확인하였다. 투톤 입력 신호 테스트에 기초한 전력 증폭기의 모델링 방법으로 TDNN(Tapped Delay Line-Neural Network)방식을 적용하였으며 이 방식이 다른 여러 가지 모델링 방법과 비교하여 매우 신뢰할만한 정확성을 가짐을 보였다.

• 전기전자학회논문지
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• 제27권4호
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• pp.650-656
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• 2023

본 논문은 NS-3 기반의 5G 시스템 레벨 시뮬레이터를 활용하여 mmWave 대역의 채널 모델을 구현하고, RF 성능 검증을 통해 구현한 모델의 신뢰성과 유효성을 분석한다. mmWave 대역의 RF 성능 검증을 위한 채널 모델은 3GPP TR 38.901에서 정의하는 채널의 특성, 빔포밍, 안테나 구성, 시나리오 등의 파라미터를 고려하여 구성한다. 또한, 시뮬레이션 결과는 3GPP 표준에서 허용하는 범위 내에 있음을 확인하고, REM(Radio Environment Map)을 활용하여 실내 환경 시나리오에서 신뢰성을 증명한다. 따라서 본 연구에서 구현한 채널 모델은 실제 5G 네트워크의 설계 및 구축에 적용이 가능하며, 다양한 파라미터 변경으로 RF 성능을 평가하고 검증하는 방법을 제시한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권12호
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• pp.33-39
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• 2006

나노 스케일 벌크 MOSFET의 RF 비선형 특성을 넓은 bias영역에 걸쳐 정확히 예측하기 위하여 내된 비선형 요소들을 가진 엠피리컬 비선형 모델이 새롭게 구축되었다. 먼저, 나노 스케일 벌크 MOSFET에 적합한 파라미터 추출방법을 사용하여 측정된 S-파라미터로부터 bias 종속 내부 파라미터 곡선을 추출하였다. 그 후에 비선형 캐패시턴스 및 전류원 방정식들은 추출된 bias 종속 곡선들과 3차원 fitting함으로서 엠피리컬하게 구하여졌다. 이와 같이 모델된 S-파라미터는 60nm MOSFET의 측정치와 20GHz 까지 아주 잘 일치하였으며, 이는 엠피리컬 나노 MOSFET 모델의 정확도를 증명한다

• 전자공학회논문지
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• 제54권5호
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• pp.11-16
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• 2017

RF MOSFET에서 관찰된 입력 저항의 주파수 종속 특성이 단순화된 입력 등가회로로부터 유도된 pole과 zero 주파수 수식을 사용하여 자세히 분석되었다. 이러한 이론적 분석을 사용하여 저주파에서 입력저항의 감소현상이 포화영역에서 소스와 pinch-off 영역 사이의 채널저항으로부터 발생되는 것을 발견하였다. 이와 같이 저주파에서 입력저항이 감소하는 채널 저항 효과는 채널저항을 변화시키면서 소신호 등가회로 모델링을 수행하여 물리적으로 입증되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 학술대회 논문집 정보 및 제어부문
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• pp.261-264
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• 2004

In this paper, we identify the memory effect of high power(125W) laterally diffused metal oxide-semiconductor(LDMOS) RF Power Amplifier(PA) by two tone IMD measurement. We measure two tone IMD by changing the tone spacing and the power level. Different asymmetric IMD is founded at different center frequency measurements. We propose the Tapped Delay Line-Neural Network(TDNN) technique as the modeling method of LDMOS PA based on two tone IMD data. TDNN's modeling accuracy is highly reasonable compared to the memoryless adaptive modeling method.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제11권2호
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• pp.83-91
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• 2012

TV 대역 White Space 송수신기에서 스펙트럼 센싱을 위한 RF 에너지 검출기 구조를 제안하였다. 제안된 에너지 검출기는 RF 능동 필터 구조에 기반하며, RF 저잡음 증폭기에 고역통과필터를 포함하는 피드포워드 루프를 추가함으로써 원하는 RF 주파수 성분만 통과시키고 그 외의 대역은 감쇄시키는 동작을 수행한다. 본 연구에서는 기존의 구조가 갖는 단점인 단측파 대역만 억압할 수 있는 문제를 해결하고자 양측파 대역을 동시에 억압할 수 있는 새로운 구조를 제안하였고, 간단한 시스템 모델링을 통해 구성요소의 Non-ideality에 의한 RF 에너지 검출기 성능에 대한 영향을 평가하였다. 또한, 시스템 시뮬레이션을 통해 양측파대역이 효과적으로 감쇄되어 RF 에너지 검출기로서 동작할 수 있음을 보였다.