• 대한전자공학회논문지TC
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• 제45권11호
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• pp.55-60
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• 2008

본 논문에서는 CRLH(Composite Righ/Left Handed) 전송선과 PIN 다이오드를 이용한 이중대역 RF 스위치를 제안하였다. 일반적인 RF 스위치가 RH(Right Handed) 전송선 및 PIN 다이오드로 구성되는 것과는 달리, 제안된 RF 스위치는 CRLH 전송선을 이용함으로써 이중대역 특성을 만족하였다. 설계된 CRLH전송선은 Open-Stub를 이용하여 PIN 다이오드 패키지 인덕턴스로 인한 격리도 감소를 해결하였다. RF 스위치는 GSM 주파수 대역인 900MHz와 DCS 주파수 대역인 1.8GHz의 이중 대역에서 설계 및 제작하였다.

• 한국항공우주학회지
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• 제33권4호
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• pp.41-46
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• 2005

본 연구에서는 고 전력의 RF 신호용 직접 접촉식 스위치에서 문제가 되고 있는 접촉부위에서의 미소용접에 의한 점착 현상을 감소시키기 위해, 고 융점 금속인 텅스텐(W)과 몰리브덴(Mo)을 스위치 접촉 부위에 코팅하여 스위치의 성능을 분석하였다. 스위치의 삽입손실과 신호격리도, 전력 손실 등의 변화를 네트워크 분석기, 전력 측정기 등을 통하여 측정하였다. 측정결과로부터 RF 신호 전송에 있어서 낮은 입력 전력에서는 고융점 금속이 금(Au)보다 접촉저항이 더 크지만 입력 전력이 커지면 비교적 낮은 비저항의 고융점 금속을 사용하는 것이 고전력 전송 및 수명 연장에 있어서 유리함을 밝혀냈다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제45권4호
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• pp.7-12
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• 2008

본 논문에서는 comb drive를 이용하여 수평 방향 저항 접촉 방식의 RF MEMS 스위치 개발을 소개한다. 무선통신 트랜시버에서 사용되는 FEM에서 사용될 수 있는 높은 안전성과 좋은 RF 특성을 가지는 스위치의 개발을 목표로 한다. 따라서 작은 삽입손실 특성을 가지기 위해 comb drive를 이용하여 큰 접촉 힘을 발생시키고, 큰 격리도 특성을 가지기 위해 스위치 off 상태에서 작은 정전용량을 갖도록 한다. 그리고 단결정 실리콘을 스위치의 구조물로 사용함으로써 기계적인 안전성을 갖도록 한다. 개발된 RF MEMS 스위치는 26 V의 동작 전압을 가지며, 2 GHz에서 0.44 dB 이하의 삽입손실과 60 dB 이상의 격리도 특성을 가진다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제13권5호
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• pp.21-26
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• 2014

본 논문은 LTE 대역과 현재 서비스 중인 이동통신 대역에 모두 적용 가능한 주파수 재구성 안테나에 대하여 제안하였다. 일반적인 PIFA 구조로 High-band를 만족시키고 방사체의 단락핀 끝에 RF 스위치를 부착함으로써 스위치 상태에 따라 주파수가 선택된다. 재구성 안테나는 RF 스위치가 SW1 상태일 때는 $VSWR{\leq}3:1$ 기준으로 782-907 MHz의 대역폭을 가지며 GSM 대역에서 동작한다. SW2 상태에서는 738-861 MHz의 대역폭을 가지며 LTE 대역에서 동작한다. 제안된 안테나의 이득은 SW1 상태일 때 0.04-4.68 dBi를 나타내었으며, SW2의 경우 이득은 0.92-1.53 dBi의 우수한 특성을 나타내며 H-plane에서 전방향성 방사패턴을 가진다. 이와 같은 우수한 특성으로 인하여 본 논문에서 제안된 RF 스위치를 이용한 이동통신 단말기용 재구성 안테나는 LTE-Advanced 모바일 단말기에 적용 가능 할 것으로 판단된다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권3호
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• pp.416-423
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• 2012

Ansoft HFSS와 Serenade를 사용하여, 적층형 저역통과필터(LPF)와 RF 다이오드 스위치를 설계하였다. RF diode switch의 등가회로를 참고한 시뮬레이션은 송신모드 (Transmit mode)일 때 다이오드를 인덕터(Inductor)로 등가 회로화 하였고, 수신모드(Receive mode) 일때는 다이오드를 커패시터(Capacitor)로 변환하여 시뮬레이션 하였다. 적측형 RF diode 설계는 소자 와 수축률 변화를 고려하여 수행하였다.

• 한국항해항만학회지
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• 제28권5호
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• pp.429-434
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• 2004

본 논문은 순차적으로 전압 인가된 RF MEMS 스위치를 이용하여 재구성 슬롯 안테나를 설계하였다. MEMS 스위치의 구동전압은 하부 전극과 상부 스위치 사이의 에어캡 높이에 따른 스위치의 특성을 ANSYS 시뮬레이션으로 분석하였다. MEMS 스위치의 구동전압은 하부전극과 상부 스위치 사이의 에어캡 높이와 스위치 형상에 의해 결정된다. 설계된 MEMS 스위치의 길이는 각각 240$\mu\textrm{m}$, 320 $\mu\textrm{m}$, 400 $\mu\textrm{m}$ 이고, 에어캡은 6$\mu\textrm{m}$이었다. 설계된 슬롯 안테나는 전체크기가 10 mm x 10 mm이며, 슬롯의 크기는 길이가 500 $\mu\textrm{m}$, 폭이 200 $\mu\textrm{m}$이었다. 그리고 CPW 급전선은 전체의 길이는 5 mm이며, 입구에서의 CPW는 30-80-30 $\mu\textrm{m}$이괴, 슬롯에서의 CPW는 150-300-150 $\mu\textrm{m}$이다. 세안된 소사의 공진주파수의 튜닝은 RF MEMS 스위치에 DC 바이어스를 인가함으로서 안테나의 전기적인 길이를 변화시켜 이루어진다. 설계된 슬롯 안테나를 시뮬레이션, 제조 및 측정을 하였다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2018년도 전력전자학술대회
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• pp.75-77
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• 2018

최근 다양한 산업응용분야에서 가변커패시터의 필요성은 점점 증가하고 있다. 특히 고전력 RF플라즈마 시스템에서 임피던스 정합 회로에 사용되는 가변커패시터는 빠른 고전압 차단능력이 요구된다. 본 논문에서는 RF플라즈마 시스템의 임피던스 정합 회로에 활용되는 단방향 스위치를 사용한 전기적 가변 캐패시터 (Electrical Variable Capacitor, 이하 EVC) 회로의 전압 스트레스를 저감하는 방법에 대해서 제안한다. 제안된 방법은 13.56Mhz의 주파수와 1kW이상의 고전력 RF플라즈마 시스템에서 단방향 스위치의 전압 스트레스를 양방향스위치를 사용한 EVC 회로를 활용하여 저감한다. 본 논문에서 제안된 방법으로 전압 스트레스가 감소하여 EVC 회로를 고전력 초고속 RF플라즈마 시스템의 임피던스 정합 회로에 좀 더 효과적 으로 적용할 수 있게 된다. 시뮬레이션 및 실험을 통해 EVC 회로의 스위치에 걸리는 전압 스트레스가 40%이상 저감되는 것을 검증하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.952-958
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• 2000

다양한 구조위 트랜스미션 라인과 힌지들을 갖는 고주파용 마이크로머신드 용량성 스위치들이 새롭게 디자인되었고 전기도금 기술, 저온 공정기술, 그리고 건식 식각기술들을 이용하여 제작되었다. 특히, 집적화된 용량성 스위치들이 높은 스위칭 on/off ratio와 on 캐패시턴스를 갖도록 하기 위하여 고유전율을 갖는 SrTiO3라는 상유전체를 절연체로 사용하였다. 제작된 스위치들은 8V의 구동전압, 0.08dB의 삽입손실, 42dB의 높은 isolation, 600의 on/off ratio, 그리고 50pF의 on 캐패시턴스의 특성들을 갖는다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.378-378
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• 2013

칼코겐화물의 일부는 전류 등의 에너지 입력에 따라 결정구조가 비정질 및 결정 사이에서 가역적으로 변화하며 상변화에 따라 전기 저항이 바뀌는 특성을 가지고 있다. 이와 같은 칼코겐화물 상변화 재료의 장점을 이용하여 프로그래머블 스위치를 구현할 수 있다. 그러나 상변화 재료만을 이용하는 프로그래머블 스위치는 전기신호 누설의 문제점이 발생한다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 지난 연구에서는 문턱 스위칭 칼코겐화물을 포함하는 다층구조 스위치를 제안하였다. 본 연구에서는 프로그래머블 스위치의 구성물질로서 문턱 스위칭 특성을 보이는 GeTe 박막의 특성을 보고한다. RF magnetron sputtering 방식을 이용하여 GeTe 박막을 증착하고 온도에 따른 결정화 양상 및 표면 형상 변화를 관찰하였다. GeSbTe 박막의 경우 $100^{\circ}C$ 근방에서 결정화가 시작되었고, 온도가 증가할수록 결정화가 급격히 진행되었다. 반면 GeTe 박막에서는 온도 증가에 따른 결정화가 거의 일어나지 않았다. 이러한 결과로부터 GeTe 합금 박막은 프로그래머블 스위치의 구성요소로서 문턱 스위칭에 적합한 물질임을 확인할 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권5호
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• pp.1038-1043
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• 2003

Capacitive-coupled 구조의 RF MEMS 스위치를 설계하여 제작하였으며, 특성을 측정하였다. 낮은 구동 전압은 membrane과 신호선 사이의 간격을 작게 만들어 구현하였다. 제작된 스위치의 구동 전압은 최저 11V이며, 2GHz에서 측정한 고주파 특성은 삽입 손실이 0.2dB이고 절연 특성은 40dB이다.