• 제목/요약/키워드: RF 모델링

검색결과 147건 처리시간 0.022초

축적형 버랙터의 RF 모델링 기법 (A RF Modeling Technique of Accumulation Mode Varactor)

  • 김지활;이승엽;홍승호;정윤하
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전자공학회 2003년도 하계종합학술대회 논문집 II
    • /
    • pp.699-702
    • /
    • 2003
  • 본 논문에서는 주파수 1∼7GHz 에서 게이트 바이어스가 □ 2.0 ∼ 2.0 V 일때 사용 가능한 축적형 버랙( accumulation mode varactor )의 RF 모델링 기법을 제안하였다. 기존의 모델링 기법은 가변 커패시터가 존재하는 부분에서 임피던스의 실수성분이 일정한 값을 가지는 것으로 모델링 하였으나 소자의 측정결과를 통하여 실수성분이 일정한 값이 아닌 주파수에 따라 변화하는 값임을 알았다. 이를 설명하기 위해서 기존의 모델링 기법에 커패시터와 저항을 하나씩 추가하여 새로운 모델을 구성하고 각각의 파라미터를 추출하였다.

  • PDF

비선형 RF 전력 증폭기의 효율적 다항식 기반 이산 행동 모델링 기법에 관한 연구 (A Study on Efficient Polynomial-Based Discrete Behavioral Modeling Scheme for Nonlinear RF Power Amplifier)

  • 김대근;구현철
    • 한국전자파학회논문지
    • /
    • 제21권11호
    • /
    • pp.1220-1228
    • /
    • 2010
  • 본 논문에서는 비선형 RF 전력 증폭기의 효율적인 다항식 기반의 이산 신호 모델링 방법을 제시하였다. 비선형 RF 증폭기의 입, 출력 신호의 샘플링 과정을 통하여 이산 비선형 모델을 추출하는 과정을 기술하고, 테일러 급수와 메모리 다항식 구조를 이용한 다항식 기반의 비선형 이산 모델에서 모델 인자인 샘플률, 비선형 차수, 최대 메모리 깊이의 변화에 따른 모델의 오차를 분석하였다. 다항식 기반의 비선형 모델에서 오차는 샘플률, 비선형 차수, 최대 메모리 깊이에 대하여 특정 값 이후부터 일반적으로 수렴하는 특성을 보인다. 이에 모델 인자값에 따른 시스템의 복잡성을 고려하는 효율적인 이산 신호 모델링 기법을 제시하였다. 모델링 효율 지수를 정의하고, 이를 활용하여 최적의 모델 인자 값을 추출하는 방법을 제시하였다. 제시한 방법을 WiBro, WCDMA 등의 다양한 신호를 가지는 RF 전력 증폭기의 모델링에 적용하고, 제시한 방법의 효율성을 검증하였다. 제안된 기법은 빠른 속도의 모델링과 저렴한 가격의 디지털부를 사용할 수 있게 하여 차후 광대역 송신기에서의 빠른 속도와 낮은 가격의 디지털 전치 왜곡기 구성 등에 활용될 수 있을 것으로 사료된다.

RF-DSRC 링크초기접속 모델링 및 분석 (Modeling and Analysis of Link Initialization Access of RE-DSRC)

  • 이민희;곽수진;정종인;이상선
    • 한국ITS학회 논문지
    • /
    • 제4권2호
    • /
    • pp.23-31
    • /
    • 2005
  • 고속으로 이동하는 차량에 대한 정보수집 및 제공 등의 서비스를 구현해야 하는 지능형 교통시스템(WS : Intelligent Transponation System)은 단거리전용 무선통신(RF-DSRC : Radio Frequency Dedicated Short Range Communication)과 같은 특수목적의 통신시스템이 필수적이다. RF-DSRC를 사용하기 위해서는 먼저 차량 탑재장치(OBE : On-Board Equipment)는 슬롯화된 알로하방식에 의해 할당된 접속요구슬롯(ACTS$\cdot$Activation Slot)내의 접속요구채널(ACTC$\cdot$Activation Channel)을 이용하여 링크초기접속 요구를 한다. 링크초기접속은 통신 시스템의 성능을 결정하는 중요한 요소임에도 불구하고, 링크 초기접속에 대한 수학적 모델링 연구는 미흡한 상태이다. 본 논문에서는 RF-DSRC에 대한 링크초기접속에 관한 수학적 모델링을 제시하고, 모델링의 성능을 분석하기 위한 제시된 부하(G)를 RF-DSRC의 특성에 맞게 정의하여 링크초기접속 확률을 계산하였다.

  • PDF

RF IC 설계를 위한 새로운 CMOS RF 모델 (A New CMOS RF Model for RF IC Design)

  • 박광민
    • 대한전자공학회논문지SD
    • /
    • 제40권8호
    • /
    • pp.555-559
    • /
    • 2003
  • 본 논문에서는 CMOS 소자의 RF 동작을 정확히 예측하기 위해 Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스 효과와 표피효과 및 근접효과를 포함한 RF IC 설계를 위한 새로운 CMOS RF 모델을 처음으로 제시하였다. Si 표면에서의 메탈 라인 사이의 커패시턴스는 레이아웃에 기초하여 모델링하였으며, 표피효과는 메탈 라인의 등가회로에 병렬회로를 부가하여 사다리꼴 등가회로로 구현하였다. 근접효과는 사다리꼴 등가회로에서 교차 결합된 인덕턴스 사이의 상호 인덕턴스를 부가함으로써 모델링하였다. 제안된 RF 모델은 BSIM 3v3에 비해 측정 데이터와 잘 일치하였으며, GHz 영역에서 소자 동작의 주파수 종속성을 잘 보여주었다.

고온 종속 RF MOSFET 캐패시턴스-전압 곡선 추출 및 모델링 (Extraction and Modeling of High-Temperature Dependent Capacitance-Voltage Curve for RF MOSFETs)

  • 고봉혁;이성현
    • 대한전자공학회논문지SD
    • /
    • 제47권10호
    • /
    • pp.1-6
    • /
    • 2010
  • 본 연구에서는 S-파라미터 측정 데이터를 사용하는 RF측정방법으로 short-channel MOSFET의 RF 캐패시턴스 전압(C-V) 곡선을 상온에서 $225^{\circ}C$까지 추출하였으며, 추출된 고온 종속 특성을 엠피리컬하게 모델링하였다. RF C-V 특성곡선의 weak inversion영역에서 온도 변화에 따른 voltage shift가 threshold voltage shift보다 적은 현상이 관찰되었지만, 기존 long-channel C-V 이론 방정식으로 설명할 수 없는 현상임이 입증되었다. 이러한 short-channel C-V 곡선의 고온 종속 모델링을 위해서 새로운 엠피리컬 방정식이 개발되었다. 이 방정식의 정확도는 모델된 C-V곡선과 측정 데이터가 넓은 온도범위에서 잘 일치하는 결과를 관찰함으로써 입증되었다. 또한, 높은 게이트 전압에서는 온도가 증가함에 따라 채널 캐패시턴스 값이 감소하는 것을 확인할 수 있다.

ISAR 영상을 이용한 RF탐색기 측정치 모델링 (RF Seeker Measurement modeling using ISAR Image)

  • 하현종;박우성;정기환;박상섭;고일석;유창경
    • 한국항공우주학회지
    • /
    • 제43권1호
    • /
    • pp.40-48
    • /
    • 2015
  • 본 논문에서는 RF탐색기 측정치인 산란점 모델링 기법에 대해 제안한다. 우선 상대자세 각 따라 변화하는 ISAR 영상(Inverse Synthetic Aperture Radar Image)로부터 기준 산란점을 생성하였다. 다음으로 RF탐색기 측정치의 주요 불확실성 요소인 잡음세기(noise strength), 깜박임(blink), boresight 오차를 기준 산란점에 부가한다. 본 연구에서 제안된 RF탐색기 모델은 다양한 표적추적 필터 알고리듬 개발에 사용할 수 있다.

Two-Tone 입력을 이용한 RF 전력증폭기 메모리 특성의 신경망 모델링 (Neural Network Modeling of Memory Effects in RF Power Amplifier Using Two-tone Input Signals)

  • 황보훈;김원호;나완수;김병성;박천석;양영구
    • 한국전자파학회논문지
    • /
    • 제16권10호
    • /
    • pp.1010-1019
    • /
    • 2005
  • 본 논문에서는 투톤(two-tone) 신호가 입력된 RF 전력 증폭기의 출력단에서 관찰되는 메모리 효과를 신경망회로를 이용하여 모델링 하였다. 입력 신호의 톤 간격과 전력 레벨의 변화에 따른 출력 전력의 IMD(Inter-Modulation Distortion) 비대칭성을 측정하여 고출력 RF 전력 증폭기의 메모리 효과를 확인하였으며, 서로 다른 중심 주파수에서의 메모리 효과도 실험적으로 확인하였다. 투톤 입력 신호 테스트에 기초한 전력 증폭기의 모델링 방법으로 TDNN(Tapped Delay Line-Neural Network)방식을 적용하였으며 이 방식이 다른 여러 가지 모델링 방법과 비교하여 매우 신뢰할만한 정확성을 가짐을 보였다.

$0.13{\mu}m$ RF CMOS 공정용 스케일러블 인덕터 모델링 (Scalable Inductor Modeling for $0.13{\mu}m$ RF CMOS Technology)

  • 김성균;안성준;김병성
    • 대한전자공학회논문지TC
    • /
    • 제46권1호
    • /
    • pp.94-101
    • /
    • 2009
  • 본 논문에서는 RF 집적회로 설계를 위한 $0.13{\mu}m$ RF CMOS용 인덕터 라이브러리를 개발하였다. 스케일러블 모델링을 위해 선폭, 회전수, 내경을 조절하여 다수의 인덕터 패턴을 제작하고, 정확한 패드 효과 보상을 위해 급전 구조를 최적화하였다. 제작된 패턴의 S-파라미터 측정 데이터를 이용하여 각 소자별로 이중-$\pi$ 등가회로 소자값을 추출한 뒤 이 값들을 인덕터의 물리적 설계 변수의 함수로 표현하는 스케일러블 모델링을 수행하였다. 개발된 라이브러리는 표준(standard) 구조와 대칭(symmetric) 구조를 가지는 두 종류의 스케일러블 인덕터 모델을 제공하며, 모델 유효 주파수는 30GHz 또는 자기공진주파수까지이다. 표준구조 인덕터의 경우 $0.12{\sim}10.7nH$의 인덕턴스를, 대칭구조 인덕터의 경우는 $0.08{\sim}13.6nH$의 인덕턴스를 갖는다. 본 연구를 통해 최종적으로 10%이하의 오차를 가지는 RF CMOS용 인덕터 라이브러리를 완성하였다.