Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
/
v.40
no.11
/
pp.45-53
/
2003
This paper describes a Unified Voltage Generator that merges the pumping capacitors of boosted voltage generator (VPP) and substrate voltage generator (VBB) for DRAM. This unified voltage generator simultaneously supplies VPP and VBB voltages by using one pumping capacitor and one oscillator. The proposed generator is realized by 0.14${\mu}{\textrm}{m}$DRAM process. The generator reduces the power consumption to 30%, the area of total generator to 40% and the area of pumping capacitor to 29.6%, and improves the pumping efficiency to 13.2% at 2.0V supply voltage. In addition, the generator adopts the charge recycling technique for precharging the pumping capacitor during the period of precharge, thatcan reduces the precharge current to 75%.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
/
v.11
no.10
/
pp.1899-1909
/
2007
A cross-coupled charge pump with internal pumping capacitor, witch is advantages from a point of minimizing TFT-LCD driver IC module, is newly proposed in this paper. By using a NMOS and a PMOS diode connected to boosting node from VIN node, the pumping node is precharged to the same value each pumping node at start pumping operation. Since the lust-stage charge pump is designed differently from the other stage pumps, a back current of pumped charge from charge pumping node to input stage is prevented. As a pumping clock driver is located the font side of pumping capacitor, the driving capacity is improved by reducing a voltage drop of the pumping clock line from parasitic resistor. Finally, a layout area is decreased more compared with conventional cross-coupled charge pump by using a stack-MIM capacitors. A proposed charge pump for TFT-LCD driver IC is designed with $0.13{\mu}m$ triple-well DDI process, fabricated, and tested.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
/
v.10
no.7
/
pp.1266-1274
/
2006
A non-overlap boosted-clock charge pump(NBCCP) with internal pumping capacitor, an advantageous circuit from a minimizing point of TFT-LCD driver IC module, is proposed in this paper. By using the non-overlap boosted-clock swinging in 2VDC voltage, the number of pumping stages is reduced to half and a back current of pumping charge from charge pumping node to input stage is also prevented compared with conventional cross-coupled charge pump with internal pumping capacitor. As a result, pumping current of the proposed NBCCP circuit is increased more than conventional cross-coupled charge pump, and a layout area is decreased. A proposed DC-DC converter for TFT-LCD driver IC is designed with $0.18{\mu}m$ triple-well CMOS process and a test chip is in the marking.
Park, Chan-Kun;Kim, Jong-Yun;Jeon, Nae-Suck;Park, Jeung-Hwan;Lee, Sung-Geun
Proceedings of the KIEE Conference
/
2000.07b
/
pp.1199-1201
/
2000
This paper proposes a harmonics reducing circuit for fluorescent lamp inverters using hybrid type smoothing circuit with pumping and smoothing capacitors. A waveform of full-wave rectification used as a direct current power supply at fluorescent lamp inverters contains a lot of harmonic wave from inrush current which is generated near the maximum of input voltage with purse shape when voltage smoothing capacitor is charged. Therefore, in order to suppress inrush current which will result in harmonic wave. this paper proposes a method to control abrupt charging current by use of charging voltage at pumping capacitor. The suppression of harmonics generation at lamp current is confirmed through simulations.
Kim, Young-Hee;Lee, Da-Sol;Jin, Hongzhou;Lee, Do-Gyu;Ha, Pan-Bong
The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
/
v.12
no.3
/
pp.312-320
/
2019
In this paper, we design a 512Kb eFlash IP using 110nm eFlash cells. We proposed eFlash core circuit such as row driver circuit (CG/SL driver circuit), write BL driver circuit (write BL switch circuit and PBL switch select circuit), read BL switch circuit, and read BL S/A circuit which satisfy eFlash cell program, erase and read operation. In addition, instead of using a cross-coupled NMOS transistor as a conventional unit charge pump circuit, we propose a circuit boosting the gate of the 12V NMOS precharging transistor whose body is GND, so that the precharging node of the VPP unit charge pump is normally precharged to the voltage of VIN and thus the pumping current is increased in the VPP (boosted voltage) voltage generator circuit supplying the VPP voltage of 9.5V in the program mode and that of 11.5V in the erase mode. A 12V native NMOS pumping capacitor with a bigger pumping current and a smaller layout area than a PMOS pumping capacitor was used as the pumping capacitor. On the other hand, the layout area of the 512Kb eFlash memory IP designed based on the 110nm eFlash process is $933.22{\mu}m{\times}925{\mu}m(=0.8632mm^2)$.
The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
/
v.9
no.1
/
pp.120-131
/
2016
In this paper, a 512b MTP memory IP is designed by using MTP memory cells which are written by the FN (Fowler-Nordheim) tunneling method with only MV (medium voltage) devices of 5V which uses the back-gate bias, that is VNN (negative voltage). The used MTP cell consists of a CG (control gate) capacitor, a TG (tunnel gate) transistor, and a select transistor. To reduce the size of the MTP memory cell, just two PWs (P-wells) are used: one for the TG and the select transistors; and the other for the CG capacitor. In addition, just one DNW (deep N-well) is used for the entire 512b memory cell array. VPP and VNN generators supplying pumping voltages of ${\pm}8V$ which are insensitive to PVT variations since VPP and VNN level detectors are designed by a regulated voltage, V1V (=1V), provided by a BGR voltage generator.
In this paper the operation of a N2 laser using corona-preionization and capacitor transfer type excitation circuit is discussed. The laser tube is 24 cm in length and the distance between the electrodes is 1.5 cm. The charging voltage was kept constant 10 KV. This laser can be operated with a range of repetition rate 1 $\sim$ 30 Hz.
Kim, Yoon-Kyu;Kim, Min-Sung;Park, Heon;Ha, Man-Yeong;Lee, Jung-Hwan;Ha, Pan-Bong;Kim, Young-Hee
ETRI Journal
/
v.37
no.6
/
pp.1188-1198
/
2015
In this paper, a multi-time programmable (MTP) cell based on a $0.18{\mu}m$ bipolar-CMOS-DMOS backbone process that can be written into by using dual pumping voltages - VPP (boosted voltage) and VNN (negative voltage) - is used to design MTP memories without high voltage devices. The used MTP cell consists of a control gate (CG) capacitor, a TG_SENSE transistor, and a select transistor. To reduce the MTP cell size, the tunnel gate (TG) oxide and sense transistor are merged into a single TG_SENSE transistor; only two p-wells are used - one for the TG_SENSE and sense transistors and the other for the CG capacitor; moreover, only one deep n-well is used for the 256-bit MTP cell array. In addition, a three-stage voltage level translator, a VNN charge pump, and a VNN precharge circuit are newly proposed to secure the reliability of 5 V devices. Also, a dual memory structure, which is separated into a designer memory area of $1row{\times}64columns$ and a user memory area of $3rows{\times}64columns$, is newly proposed in this paper.
Soonwoo Kwon;Li Longhua;Dohoon Kim;Panbong Ha;Younghee Kim
Journal of IKEEE
/
v.28
no.1
/
pp.78-89
/
2024
PMIC chips based on a BCD process used in automotive semiconductors require multi-time programmable (MTP) intellectual property (IP) that does not require additional masks to trim analog circuits. In this paper, MTP cell size was reduced by about 18.4% by using MTP cells using PMOS capacitors (PCAPs) instead of NMOS capacitors (NCAPs) in MTP cells, which are single poly EEPROM cells with two transistors and one MOS capacitor for small-area MTP IP design. In addition, from the perspective of MTP IP circuit design, the two-stage voltage shifter circuit is applied to the CG drive circuit and TG drive circuit of MTP IP design, and in order to reduce the area of the DC-DC converter circuit, the VPP (=7.75V), VNN (=-7.75V) and VNNL (=-2.5V) charge pump circuits using the charge pumping method are placed separately for each charge pump.
Kim, Young-Hee;Cha, Jae-Han;Jin, Hongzhou;Lee, Do-Gyu;Ha, Pan-Bong;Park, Mu-Hun
The Journal of Korea Institute of Information, Electronics, and Communication Technology
/
v.13
no.1
/
pp.48-57
/
2020
MCU used in applications such as wireless chargers and USB type-C require MTP memory with a small cell size and a small additional process mask. Conventional double poly EEPROM cells are small in size, but additional processing masks of about 3 to 5 sheets are required, and FN tunneling type single poly EEPROM cells have a large cell size. In this paper, a 110nm MTP cell using a vertical PIP capacitor is proposed. The erase operation of the proposed MTP cell uses FN tunneling between FG and EG, and the program operation uses CHEI injection method, which reduces the MTP cell size to 1.09㎛2 by sharing the PW of the MTP cell array. Meanwhile, MTP memory IP required for applications such as USB type-C needs to operate over a wide voltage range of 2.5V to 5.5V. However, the pumping current of the VPP charge pump is the lowest when the VCC voltage is the minimum 2.5V, while the ripple voltage is large when the VCC voltage is 5.5V. Therefore, in this paper, the VPP ripple voltage is reduced to within 0.19V through SPICE simulation because the pumping current is suppressed to 474.6㎂ even when VCC is increased by controlling the number of charge pumps turned on by using the VCC detector circuit.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.