70nm NMOSFET fabrication with ultra-shallow n+-p junctions using low energy As<+>(2) implantations (낮은 에너지의 As<+>(2) 이온 주입을 이용한 얕은 n+-p 접합을 가진 70nm NMOSFET의 제작)
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- Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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- v.38 no.2
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- pp.9-9
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- 2001
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