• KSBB Journal
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• 제11권4호
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• pp.497-503
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• 1996

본 연구에서는 질소원의 종류와 농도 그리고 pH가 플루란 생산에 미치는 영향을 고찰하였다. A Aureobasidium pullulans에 의한 플루란 생산시 가장 좋은 질소원으로는 수율 62%를 얻은 peptone 이었고, 최적 질소원 농도는 유기질소원의 경우 탄 소원/질소의 비가 50j0.15N이었고 그 이상에서는 저해가 일어났다. 훈합질소원 I, II, III을 사용하 였을 때 각각 29.1, 27.4, 26.5g/L의 플루란 생산량 을 보였다. 그러므로, 혼합 질소원을 잘 이용하면 플 루란을 효과적으로 생산할 수 있었다. pH를 조절하 지 않을 때가 pH를 일정하게 할 때보다는 플루란 수율이 높았다. 또, 유가식배양시 탄소원과 질소원을 함께 공급하였을 때가 질소원만을 공급하였을 때 더 큰 플루란 수율을 보였다.

• 전자공학회논문지
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• 제51권7호
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• pp.71-81
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• 2014

본 논문에서는 삼차원 소자 시뮬레이터(Sentaurus)를 이용하여 tri-gate FinFET의 fin과 소스/드레인 구조의 변화에 따른 소자의 성능을 분석하였다. Fin의 구조가 사각형 구조에서 삼각형 구조로 변함에 따라, fin 단면의 전위 분포의 차이로 문턱 전압이 늘어나고, off-current가 72.23% 감소하고 gate 커패시턴스는 16.01% 감소하였다. 소스/드레인 epitaxy(epi) 구조 변화에 따른 성능을 분석하기 위해, epi를 fin 위에 성장시킨 경우(grown-on-fin)와 fin을 etch 시키고 성장시킨 경우(etched-fin)의 소자 성능을 비교했다. Fin과 소스/드레인 구조의 변화가 회로에 미치는 영향을 살펴보기 위해 Sentaurus의 mixed-mode 시뮬레이션 기능을 사용하여 3단 ring oscillator를 구현하여 시뮬레이션 하였고, energy-delay product를 계산하여 비교하였다. 삼각형 fin에 etched 소스/드레인 epi 구조의 소자가 가장 작은 ring oscillator delay와 energy-delay product을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제19권4호
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• pp.207-211
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• 2009

In this study, we attempted to develop a convenient aluminizing process, using Al-Ti mixed slurry as an aluminum source, to control the Al content of the aluminized layer as a result of a one-step process and can be widely adopted for coating complex-shaped components. The aluminizing process was carried out by the heat treatment on disc and rod shaped S45C steel substrates with Al-Ti mixed slurries that were composed of various mixed ratios (wt%) of Al and Ti powders. The surface of the resultant aluminized layer was relatively smooth with no obvious cracks. The aluminized layers mainly contain an Fe-Al compound as the bulk phase. However, the Al concentration and the thickness of the aluminized layer gradually decrease as the Ti proportion among Al-Ti mixed slurries increases. It has also been shown that the Al-Ti compound layer, which formed on the substrate during heat treatment, easily separates from the substrate. In addition, the incorporation of Ti into the substrate surface during heat treatment was not observed.

• 한국결정성장학회지
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• 제19권1호
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• pp.6-10
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• 2009

본 논문에서는 혼합소스(mixed-source) HVPE(hydride vapor phase epitaxy)방법으로 선택성장(SAC: selective area growth) GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드를 r-plane 사파이어 기판 위에 제작하였다. SAG-GaN/AlGaN DH(double heterostructure)는 고온 GaN 버퍼층, Te 도핑된 AlGaN n-클래딩층. Gan 활성층. Mg 도핑된 AlGaN p-클래딩층. Mg 도핑된 GaN p-캡층으로 구성되어있다. GaN/AlGaN 이종접합구조의 발광다이오드의 특성을 알아보기 위해 SEM을 통한 구조적 분석과 전류-전압 측정(I-V: current-voltage measurement), 전류-광출력(EL: electroluminescence) 측정을 통하여 전기적, 광학적 특성을 평가하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제16권4호
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• pp.162-165
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• 2006

혼합소스 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 InGaN/AlGaN의 이종접합구조(heterostructure)의 LED (light emitting diode)를 선택성장(SAG : selective area growth)하였다. InGaN/AlGaN 이종접합구조를 혼합소스 HVPE로 연속 성장하기 위하여 새로운 디자인의 multi-sliding boat를 도입하였다. SAG-InGaN/AlGaN LED의 상온 EL(electroluminescence) 특성은 주입전류가 20mA일 때 중심파장은 425nm였다. Multi-sliding boat를 이용한 혼합소스 HVPE 방법이 질화물 반도체 LED를 성장하는 유용한 방법이 될 수 있음을 확인하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제30권3호
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• pp.96-102
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• 2020

본 논문에서는 6H-SiC (0001) 기판 위에 AlN 에피층을 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법에 의해 성장하였다. 시간당 5 nm의 성장률로 0.5 ㎛ 두께의 AlN 에피층을 얻었다. FE-SEM과 EDS 결과를 통해 6H-SiC (0001) 기판 위에 성장된 AlN 에피층 표면을 조사하였다. HR-XRD와 계산식을 통해 전위 밀도를 예측하였다. 1.4 × 10⁹ cm^-2의 나사 전위 밀도와 3.8 × 10⁹ cm^-2의 칼날 전위 밀도를 가지는 우수한 결정질의 AlN 에피층을 확인하였다. 혼합소스 HVP E 방법에 의해 성장된 6H-SiC 기판 위의 AlN 에피층은 전력소자 등에 응용이 가능할 것으로 판단된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제29권3호
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• pp.83-90
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• 2019

본 논문에서는 전력 반도체 소자용 Mg-doped AlN 에피층을 혼합 소스 수소화물 기상 에피택시 방법에 의해 성장하였다. p형 재료로는 Mg을 사용하였다. 소자응용을 위한 기초 기판으로서 역할을 하기 위하여 GaN 에피층이 성장된 기판과 GaN 에피층이 성장되어 패턴이 형성된 사파이어 기판 위에 Mg-doped AlN 에피층을 선택 성장하였다. Mg-doped AlN 에피층의 표면과 결정 구조는 FE-SEM 및 HR-XRD에 의해 조사하였다. XPS 스펙트럼과 라만 스펙트럼 결과로부터 혼합소스 HVPE 방법에 의해 성장된 Mg-doped AlN 에피층은 전력소자 등에 응용이 가능할 것으로 판단된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제31권3호
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• pp.103-111
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• 2021

고체 재료인 Si, Al 그리고 Ga을 혼합하는 혼합소스 수소화물기상 방법에 의해 육각형 Si 결정을 성장하였다. 새로 고안된 상압의 혼합소스 수소화물기상 방법에서는 1200℃의 고온에서 GaCl_n, AlCl_n 그리고 SiCl_n 가스 사이의 상호작용에 의해 핵이 형성된다. 또한 Si과 HCl 가스의 급격한 반응에 의해 높은 분압을 가진 전구 기체를 발생시키는 구조로 설계 되었다. 주사 전자 현미경(FE-SEM), 에너지 분산형 X-선 분광법(EDS), 고해상도 X-선 회절(HR-XRD) 그리고 라만 스펙트럼을 통하여 육각형 Si 결정의 특성을 확인하였으며, Si 산업 분야에서 새로운 소재로서 응용성이 기대된다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2002년도 추계학술대회 논문집
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• pp.89-93
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• 2002

Hydrogen - Oxygen gas has obtained from water electrolysis reaction. It is mixed gas havingconstant volume ratio 2:1 Hydrogen and Oxygen, and it is used as a source of thermal energy by combustion reaction. This gas has betterristics in the field of economy, efficiency of energy, and environmental intimacy than used both of acetylene gas and LPG for gas welding machin. So nowdays many studies of Water-Electrolyzed gas are progressed, and commercially used as a source of thermal energy for gas welding In the industry. For Water-Electrolyzed Source, it was used diode rectifier or SCR rectifier for get DC source. This method which is not looking to improve a source for impossible current control or voltage and limited control intervals. In this paper, it was relized and designed in source of pulse type for complementing existing-DC source type, also by experiment it was acquired producting characteristics of Hydrogen -Oxygen Gas through feature of source

• 한국균학회지
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• 제25권4호통권83호
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• pp.297-304
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• 1997

흰목이균, 공생균, 혼합균(흰목이균과 공생균)의 xylanase 생산 최적 탄소원은 xylose이었고 흰목이균, 공생균의 질소원은 $KNO_3$, 혼합균의 질소원은 $(NH_4)_2SO_4$이었다. Xylanase 생산 최적 배양일수는 흰목이균과 혼합균은 5일, 공생균은 6일이었으며 최적온도는 흰목이균과 공생균이 $40^{\circ}C$, 혼합균이 $45^{\circ}C$이었다. Xylanase 생산 최적 pH는 흰목이균과 공생균이 pH 6.0, 혼합균이 pH 7.0이었으며, 금속이온의 영향은 흰목이균에서는 $Hg^{2+}$, 혼합균에서는 $Pb^{2+}$를 제외하고는 금속이온이 저해적으로 나타났다. 흰목이균, 공생균, 혼합균의 xylanase 열안전성은 $50^{\circ}C$까지 80% 이상 안정하였으며, 기질(Birchwood) 특이성에 관해서는 Birchwood로부터의 xylan이 가장 활성이 높았다. 흰목이균, 공생균, 혼합균의 xylanase 기질농도는 20mg/ml, 반응시간은 45분까지 활성이 급속히 상승하다가 그후 매우 완만한 반응속도를 나타내므로서 이를 기초로 하여 Km값을 얻은 결과, 흰목이균은 $6.25{\times}10^{-5}\;M$, 혼합균은 $5.2{\times}10^{-2}\;M$, 공생균은 $5.6{\times}10^{-2}\;M$로 흰목이균, 혼합균, 공생균 순으로 효소 기질과의 친화력이 약하였다.