Xylose와 cellobiose를 모두 발효할 수 있는 효모를 선발한 결과 Pichia stipitis CBS 5775와 5776이 가장 우수하였다. P.stipitis CBS 5776은 glucose, xylose 및 cellobiose에서 각각 0.4, 0.36 및 0.23g/g substrate의 에탄올 수율을 나타내었다. 혼합당에서의 발효 결과 glucose는 xylose와 cellobiose 이용에 대하여 catabolite regulation을 일으켜서 glucose가 다 소비된 후에 다른 기질이 소비되었다. 그러나 xylose와 cellobiose는 동시에 소비되었다. 혼합기질에서의 에탄올 수율은 단일기질에서의 각각의 수율의 합과 거의 유사하였다.
A new approach for groundwater treatment combines a permeable Fe(0) barrier to breakdown higher chlorinated solvents like PCE and TCE with a downgradient aerobic biological treatment system to biotransform less chlorinated solvents, such as DCE and vinyl chloride (VC). The expected bacterial performance downgradient of an Fe(0) barrier was evaluated through laboratory batch experiments with a toluene-degrading mixed culture that cometabolically transforms cis-1,2-DCE and VC. The amount of cis-1,2-DCE (initially at 2,000 ppb) and VC (initially at 2,000 ppb) transformed was controlled by the initial toluene (20,000 ppb) concentration. VC was removed much more effectively than Cis-1,2-DCE, and a higher toluene concentration in comparison to the co-substrate concentrations was needed for complete co-substrate removal. Overall, the coupling of an Fe(0) barrier and subsequent biodegradation appears feasible for remediation of complex mixtures of chlorinated solvents and petroleum hydrocarbons in groundwater
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1504-1507
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2009
In this paper, the etching behavior of ZnO in $CF_4$ plasma mixed Ar was investigated. Previously, the etch rate in $CF_4$/Ar plasma was reported that it is slower than that in Cl containing plasma. But, plasma included Cl atom can produce the by-product such as $ZnCl_2$. In order to solve this film contamination, no Cl containing etching gas is required. We controlled the etching parameter such as source power, substrate bias power, and $CF_4$/Ar gas ratio to acquire the fast etch rate using a ICP etcher. We accomplished the etching rate of 144.85 nm/min with the substrate bias power of 200W. As the energetic fluorine atoms were bonded with Zinc atoms, the fluoride zinc crystal ($ZnF_2$) was observed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS).
야생버섯 및 재배버섯들 중에서 생장이 우수한 균주를 선발하기 위하여 PDA 배지 상에서 생육이 빠른 9 균주를 선발하였다. 톱밥배지에서 균주별 균사체의 생장을 알아보기 위하여 참나무 톱밥과 미강 80% : 20% (w/w) 비율로 혼합한 배지에서 선발된 치마버섯(No. 7), 상황버섯(No. 29), 아까시재목버섯(No. 39), 영지(No. 52) 균주를 접종하여 14일간 배양한 결과, 영지(No. 52) 균주의 균사체 생장이 가장 우수한 것으로 나타났으며, 기질 건조 후 취급비율도 영지버섯 균사체를 배양한 배지에서 가장 우수하였다. 수확후배지(SM)와 참나무 톱밥(OS) 혼합비율 50% : 50% (w/w), 60% : 40% (w/w), 80% : 20% (w/w)로 배지를 제조하여 선발 균주인 영지(No. 52) 균주를 접종하여 배양한 결과, 균사체의 직경은 수확후배지(SM) : 참나무 톱밥(OS) = 60% : 40% (w/w) 혼합배지에서 균사체 생육과 취급비율이 우수한 것으로 나타났다. 영지(No. 52) 균주를 접종하여 배양한 균사체 소재 사각시편의 압축강도는 300.7 - 302.4 kgf로 스티로폼에 비하여 약 4배 정도 강도가 우수하였으나 탄력성은 없는 것으로 확인되었다. 위와 같은 결과는 버섯농가의 고민거리인 수확후배지를 활용한 균사체 복합소재 개발을 통하여 수확후배지의 새활용을 위한 높은 가능성을 확인하였으며, 향후 기초적인 자료로 활용도가 높으리라 기대된다.
An immunosensor based on surface plasmon resonance (SPR) with enhanced performance was developed through a mixed self-assembled monolayer. A mixture of 16-mercaptohexadecanic acid (16-MHA) and 1-undecanethiol with various molar ratios was self-assembled on gold (Au) surface and the carboxylic acid groups of 16-MHA were then coordinated to Zn ions by exposing the substrate to an ethanolic solution of $Zn(NO_3)_2\cdot 6H_2O$. The antibody was immobilized on the SPR surface by exposing the functionalized substrate to the desired solution of antibody in phosphate-buffered saline (PBS) molecules. The film formation in series was confirmed by SPR and atomic force microscopy (AFM). The functionalized surface was applied to develop an SPR immunosensor for detecting human serum albumin (HSA) and the estimated detection limit (DL) was 4.27 nM. The limit value concentration can be well measured between ill and healthy conditions.
Belousov-Zhabotinsky (BZ) reaction containing oxalic acid and acetone as a mixed organic substrate catalyzed by Ce(IV) in a flow system has been investigated. The reaction system is analyzed by varying flow rate, inflow concentrations, and temperature. Interchangeable oscillating patterns are observed in a certain range of concentrations, and above or below the condition a steady state is obtained. The increase in temperature increases the frequency and decreases the amplitude of oscillations. The apparent activation energy for the system is calculated by using the Arrhenius equation, which means that temperature has a greater effect on the reaction. Bifurcation phase diagrams for the system show the region of oscillations or steady states along with a small region of multistability. Further the behavioral trend observed in this system is discussed by mechanistic character of the system.
The metallic nanoparticles (Pt, Au, Ag. Cu, etc.) supported on ceria-titania mixed oxide exhibit a high catalytic activity for the water gas shift reaction ($H_2O\;+\;CO\;{\leftrightarrow}\;H_2\;+\;CO_2$) and the CO oxidation ($O_2\;+\;2CO\;{\leftrightarrow}\;2CO_2$). It has been speculated that the high catalytic activity is related to the easy exchange of the oxidation states of ceria ($Ce^{3+}$ and $Ce^{4+}$) on titania, but very little is known about the ceria titanium interaction, the growth mode of metal on ceria titania complex, and the reaction mechanism. In this work, the growth of $CeO_x$ and Au/$CeO_x$ on rutile $TiO_2$(110) have been investigated by Scanning Tunneling Microscopy (STM), Photoelectron Spectroscopy (PES), and DFT calculation. In the $CeO_x/TiO_2$(110) systems, the titania substrate imposes on the ceria nanoparticles non-typical coordination modes, favoring a $Ce^{3+}$ oxidation state and enhancing their chemical activity. The deposition of metal on a $CeO_x/TiO_2$(110) substrate generates much smaller nanoparticles with an extremely high activity. We proposed a mechanism that there is a strong coupling of the chemical properties of the admetal and the mixed-metal oxide: The adsorption and dissociation of water probably take place on the oxide, CO adsorbs on the admetal nanoparticles, and all subsequent reaction steps occur at the oxide-admetal interface.
Journal of information and communication convergence engineering
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제14권4호
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pp.268-271
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2016
An efficient inductive switching noise suppression technique for mixed-signal integrated circuits (ICs) using standard CMOS digital technology is proposed. The proposed design technique uses a parallel RC circuit, which provides a damping path for the switching noise. The proposed design technique is used for designing a mixed-signal circuit composed of a ring oscillator, a digital output buffer, and an analog noise sensor node for $0.13-{\mu}m$ CMOS digital IC technology. Simulation results show a 47% reduction in the on-chip inductive switching noise coupling from the noisy digital to the analog blocks in the same substrate without an additional propagation delay. The increased power consumption due to the damping resistor is only 67% of that of the conventional source damping technique. This design can be widely used for any kind of analog and high frequency digital mixed-signal circuits in CMOS technology
High Tc superconducting YBa$_{2}$Cu$_{3}$$O_{7-x}$ thin films were prepared on various substrates by off-axis rf magnetron sputtering method to examine the substrate effects on the film structure and its R-T characteristics. The SEM analysis showed that the surface morphology of the grown YBa$_{2}$Cu$_{3}$O.sub 7-x/, film has different characteristic structure with different substrate used. The film on (100) SrTiO$_{3}$ substrate has critical current density of 3*10$^{5}$ A/cm$^{2}$ at 77K under zero magnetic field. The X-ray diffraction measurements revealed that the films on (100) SrTiO$_{3}$ substrate have mixed a-axis and c-axis normal to the substrate surface and the films on (100) MgO and ZrO$_{2}$/sapphire substrates have c-axis normal orientation to the substrate surface. However, YBa$_{2}$Cu$_{3}$$O_{7-x}$ films on (100) sapphire substrates showed no preferential orientation.ion.
Titanium nitride(TiN) thin films have been deposited on PEN(Polyethylene naphthalate) substrate by reactive RF(13.56 MHz) magnetron sputtering in a 25% N2/Ar mixed gas atmosphere. The pulsed DC bias voltage of -50V on substrates was applied with a frequency of 350 kHz, and duty ratio of 40%(1.1 ㎲). The effects of pulsed DC substrate bias voltage on the crystallinity, color, electrical properties of TiNx films have been investigated using XRD, SEM, XPS and measurement of the electrical properties such as electrical conductivity, carrier concentration, mobility. The deposition rates of TiNx films was decreased with application of the pulsed DC substrate bias voltage. The TiNx films deposited without and with pulsed bias of -50V to substrate exhibits gray and gold colors, respectively. XPS depth profiling revealed that the introduction of the substrate bias voltage resulted in decreasing oxygen concentration in TiNx films, and increasing the electrical conductivities, carrier concentration, and mobility to about 10 times, 5 times, and 2 times degree, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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