JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제10권1호
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pp.1-10
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2010
This paper proposes a two-phase clocked adiabatic static CMOS logic (2PASCL) circuit that utilizes the principles of adiabatic switching and energy recovery. The low-power 2PASCL circuit uses two complementary split-level sinusoidal power supply clocks whose height is equal to $V_{dd}$. It can be directly derived from static CMOS circuits. By removing the diode from the charging path, higher output amplitude is achieved and the power consumption of the diode is eliminated. 2PASCL has switching activity that is lower than dynamic logic. We also design and simulate NOT, NAND, NOR, and XOR logic gates on the basis of the 2PASCL topology. From the simulation results, we find that 2PASCL 4-inverter chain logic can save up to 79% of dissipated energy as compared to that with a static CMOS logic at transition frequencies of 1 to 100 MHz. The results indicate that 2PASCL technology can be advantageously applied to low power digital devices operated at low frequencies, such as radio-frequency identifications (RFIDs), smart cards, and sensors.
For small capacity rectifier circuits such as these for consumer electronics and appliances, capacitor input type rectifier circuits are generally used. Consequently, various harmonics generated within the power system become a serious problem. Various studies of this effect have been presented previously. The absence of switching devices makes systems more tolerant to over-load, and brings low radio noise benefits. We propose a power factor correction scheme using a LC resonant in commercial frequency without switching devices. In this method, It makes a sinusoidal wave by widening conduction period using the current resonance in commercial frequency, Hence, the harmonic characteristics can be significantly improved, where the lower order harmonics, such as the fifth and seventh orders are much reduced. The result are confirmed by the theoretical and expermental implementations
For small capacity rectifier circuits such as these for consumer electronics and appliances. capacitor input type rectifier circuits are generally used Consequently. various harmonics generated within the power system become a serious Problem. Various studies of this effect have been presented previously. However. most of these employ switching devices, such as FETs and the like. The absence of switching devices makes systems more tolerant to over -load, and brings low radio noise benefits. We propose a power factor correction scheme using a LC resonant in commercial frequency without switching devices. In this method. It makes a sinusoidal wave by widening conduction period using the current resonance in commercial frequency. Hence, the harmonic characteristics can be significantly improved. where the lower order harmonics. such as the fifth and seventh orders are much reduced. The result are confirmed by the theoretical and expermental implementations.
본 논문은 유비쿼터스 사회의 도래에 대비하여 국내 소출력 무선 산업의 현황파악을 목적으로 2006년도 상반기에 실시한 설문조사 결과를 제시하고 있다. 조사된 주요결과에 의하면, 국내 소출력 시장에서는 중소업체(평균종업원 수: 14명)가 대부분 기기를 제조하고 있지만, 무선마이크 또는 모형비행기 등의 일부 품목에서는 수입제품이 큰 비중을 차지하고 있으며, 제도개선 측면에서는 인증절차의 단순화에 대한 요구가 많았다.
이동통신사 주도의 LPWA(Low Power Wide Area) 기반 IoT 기술은 NB-IoT와 LTE Cat.M1이 상용화되어 서비스되고 있다. LPWA 기반 IoT에 대한 서비스 요구사항이 증가되면서 이러한 서비스 가입자도 증가하고 있는 상황이다. 서비스 초기에는 NB-IoT 및 LTE Cat.M1을 수용하기 위한 기지국 용량에 이슈가 없었으나, 가입자 증가로 하나의 셀에서 수용하기 위한 용량이 부족해지는 문제가 발생하고 있다. 이러한 Active UE 용량 문제는 지속적인 증가로 인한 과부하와 일시적인 증가로 인한 과부하 문제가 발생할 수 있다. 본 논문에서는 기지국에서 NB-IoT 및 LTE Cat.M1 단말의 일시적인 증가로 인해 발생 하는 LTE 접속제어 채널인 RRC(Radio Resource Control) Active UE 용량 부족 및 기지국 과부하 문제를 해결하기 위한 방안을 제시한다. 제시한 방안은 이동통신의 셀 분할 및 추가 기지국 투자 없이 셀 용량을 증대 시킬 수 있는 방안을 제시함으로써, 증가하는 IoT 단말을 수용해 서비스 성능을 개선시킨다.
본 논문에서는 고출력 및 고효율 특성을 지니는 질화갈륨(gallium nitride, GaN) 고출력 트랜지스터 소자를 이용하여 WiMAX 및 LTE(long term evolution) 시스템에 사용 가능한 60watt급 고출력증폭기 모듈을 팔렛트(palette) 타입으로 개발한 결과에 대하여 기술한다. 높은 이득을 얻기 위한 라인업(lineup) 구성을 위해 저전력이면서 고이득을 지니는 전치증폭단, 8watt급의 GaN 구동증폭단, 그리고 30watt급 GaN 소자 2개를 도허티(doherty) 구조로 구성한 60watt 고출력증폭단을 사용하였으며, 이로부터 2.5~2.68GHz에서 61.4dB의 이득과 ${\pm}$0.075dB의 우수한 이득 평탄도를 얻었다. 특히 구동단과 고출력증폭단은 고효율 및 고출력 특성의 GaN 소자를 사용하였고, 또한 추가적인 효율 개선을 위해 도허티 구조를 적용함으로써 보다 높은 효율을 가지도록 하였다. 현재 전 세계적으로 널리 사용되고 있는 WiMAX 신호를 사용하여 제작된 팔렛트 타입의 증폭기 모듈의 성능을 측정하였는데, RRH(remote radio head) 타입으로 구성된 사용 예에서 WiMAX 변조 신호 10watt 출력 기준으로 약 37~38%의 효율을 나타내었다. 제작된 증폭기 모듈을 디지털 전치왜곡기(digital predistorter, DPD)와 연동하여 시험한 결과 WiMAX 변조 신호 10watt 출력에서 ACLR은 46dBc 이상의 특성을 지닌다.
유비쿼터스 센서 네트워크에서는 무선 센서 네트워크 상의 센싱 장치를 통해 주변의 상태 정보를 습득하고 이를 처리한 후 무선 인터페이스를 통해 다른 노드로 전달하게 된다. 이런 과정에서 저전력, 저비용의 제한된 자원을 보다 효율적으로 사용하는 것이 에너지 소비측면에서의 유비쿼터스 네트워크라 하겠다. 본 논문에서는 에너지 소비 측면에서 노드별 에너지 소비량을 n-2 시뮬레이션을 통해 측정 분석 하였다.
무선 네트웍 환경에서 블루투스는 휴대폰, PDA, 휴대용PC 등과 같은 휴대장치들, 네트워크 액세스 포인트, 기타 주변장치들 간에 좁은 영역내의 무선 연결을 위한 기술사양으로서 크기가 작고, 저렴한 가격, 적은 전력소모로 이용가능한 근거리 무선통신이다. 블루투스는 1개의 마스터와 최대 7개의 슬레이브를 갖는 피코넷으로 구성되며, 다수의 피코넷이 모여 하나의 스캐터넷으로 구성하게 된다. 본 논문에서는 노드수에 따른 효과적인 스캐터넷의 형성과 메카니즘 구성을 위해 라인형 및 링형 스캐터넷을 구성하고, 이에 대한 성능평가를 NS기반의 Bluehoc 시뮬레이터를 통하여 구현하고, 라인형 및 링형 스캐터넷의 특성을 비교 분석하여 최적의 무선네트웍 환경을 구성하고자 한다.
CQPSK(Compatible QPSK) 디지털 변조 기술을 이용하는 초협대역 단말기용 송신기에 가장 핵심적인 부품들 중의 하나인 카테지안 궤환 루프(CFL: Cartesian Feedback Loop) 선형화 칩을 $0.35{\mu}m$ CMOS 기술을 이용하여 설계 및 제작하였다. 직접 변환 방식 및 CFL칩을 이용하여 요구되는 부품 수를 줄임에 의하여 송신기의 저비용 및 소형화가 가능하고, 이를 통하여 송신 전력 효율 및 선형성을 향상시켰다. 또한 CMOS기술을 통하여 저전력 구동이 가능하도록 하였다. 송신 성능 시험 결과 PEP 37 dBm(5 W)의 출력 전력에서 CFL 칩을 구동하여 -25 dBc의 상호 변조 왜곡(@ 3 kHz주파수 오프셋) 개선을 통하여 FCC 47 CFR 90.210 E에 정의된 방사 마스크 규격을 만족함을 확인하였다. 또한 상기 언급된 송신 특성 개선에 가장 영 향을 미치는 성분들인 DC-offset 성분, 궤환 루프에서 발생하는 왜곡 성분을 보상하기 위한 루프 이득 및 위상 값들을 조정할 수 있도록 컴퓨터와의 외부 인터페이스를 구현하여 소프트웨어적으로 이러한 값들을 제어할 수 있도록 프로그램화 하였다.
Nowadays, research interest in developing the wearable devices are growing remarkably. Portable consumer electronic systems are becoming lightweight, flexible and even wearable. In fact, wearable electronics require energy storage device with thin, foldable, stretchable and conformable properties. Accordingly, developing the flexible energy storage devices with desirable abilities has become the main focus of research area. Among various energy storage devices, supercapacitors have been considered as an attractive next generation energy storage device owing to their advantageous properties of high power density, rapid charge-discharge rate, long-cycle life and high safety. The energy being stored in pseudocapacitors is relatively higher compared to the electrochemical double-layer capacitors, which is due to the continuous redox reactions generated in the electrode materials of pseudocapacitors. Generally, transition metal oxides/hydroxide (such as $Co_3O_4$, $Ni(OH)_2$, $NiFe_2O_4$, $MnO_2$, $CoWO_4$, $NiWO_4$, etc.) with controlled nanostructures (NSs) are used as electrode materials to improve energy storage properties in pseudocapacitors. Therefore, different growth methods have been used to synthesize these NSs. Of various growth methods, electrochemical deposition is considered to be a simple and low-cost method to facilely integrate the various NSs on conductive electrodes. Herein, we synthesized amorphous $NiWO_4$ NSs on cost-effective conductive textiles by a facile electrochemical deposition. The as-grown amorphous $NiWO_4$ NSs served as a flexible and efficient electrode for energy storage applications.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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