Variations in Tunnel Electroresistance for Ferroelectric Tunnel Junctions Using Atomic Layer Deposited Al doped HfO2 Thin Films (하부전극 산소 열처리를 통한 강유전체 터널접합 구조 메모리 소자의 전기저항 변화 특성 분석)
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- Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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- v.33 no.6
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- pp.433-438
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- 2020