• 대한임상약리학회:학술대회논문집
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• 대한임상약리학회 2007년도 추계학술대회
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• pp.92-93
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• 2007

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• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권11호
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• pp.15-19
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• 2007

OTFTs (Organic Thin Film Transistors)의 구동에 있어, 게이트 절연막 표면과 채널의 계면상태가 소자의 전기적 특성에 큰 영향을 미치게 된다. OTS(Octadecyltrichlorosilane)등과 같은 습식 SAM(Self Assembly Monolayer)를 이용하거나, $O_2$ Plasma와 같은 건식 표면 처리등 여러 표면 처리법에 대한 연구가 진행되고 있다. 본 논문에서는 pentacene을 진공 증착하기 전에 게이트 절연막을 $O_2$ plasma와 Ar ion beam을 이용하여 건식법으로 전처리 한 후 표면 특성을 atomic force microscope (AFM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS)를 사용하여 비교 분석하였고, 각 조건으로 OTFT를 제작하여 전기적 특성을 확인하였다. Ar ion beam으로 표면처리 했을 때, $O_2$ plasma처리했을 때 보다 향상된 on/off ratio 전기적 특성을 얻을 수 있었다. 표면 세정을 위하여 $O_2$ plasma 처리시 $SiO_2$ 표면의 OH-기와 반응하여 oxide trap density가 높아지게 되고 이로 인하여 off current가 증가하는 문제가 발생한다. 불활성 가스인 Ar ion beam 처리를 할 경우 게이트 절연막의 세정 효과는 유지하면서, $O_2$ Plasma 처리했을 때 증가하게 되는 계면 trap을 억제할 수 있게 되어, mobility 특성은 동등 수준으로 유지하면서 off current를 현저하게 줄일 수 있게 되어, 결과적으로 높은 on/off ratio를 구현할 수 있다는 것을 확인하였다.

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제30권3호
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• pp.329-336
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• 2005

본 연구는 superoxide의 제거물질로 알려진 pyrroloquinoline quinone (PQQ)이 파골세포의 분화 및 성숙한 파골세포의 활성에 미치는 영향을 알아보고자 시행하였다. Superoxide를 인지하는 방법인 nitroblue tetrazolium (NBT) 염색방법을 이용하여 PQQ가 HD-11 세포가 생성한 superoxide를 제거하는지 확인하였다. 본 연구에서 이용된 HD-11세포는 닭 myelomonocytic 세포주로써 1,25-dihydroxyvitamin $D_3\;[1,25(OH)_2D_3]$ 처리시 tartrate-저항성 산성인산분해효소 (tartrate-resistant acid phosphatase, TRAP)의 활성을 나타내는 등 파골세포의 특성을 지니는 세포로 알려져 있다. HD-11세포에서 TRAP 활성을 확인하기 위하여 조직화학적 염색을 시행하였다. PQQ는 NBT의 환원을 감소시켰으며 1,25(OH)2D3에 의해 유도된 TRAP 활성을 억제하였다. 또한 PQQ가 닭 골수세포에서 TRAP 양성 다핵세포의 형성에 미치는 영향도 관찰한 결과 20 ${\mu}M$의 PQQ는 TRAP 양성 다핵세포의 형성을 현저히 억제하였다. 닭 파골세포를 상아질 절편에서 배양하면서 20 ${\mu}M$의 PQQ를 처치한 경우 파골세포에 의한 상아질 흡수가 현저히 억제되었다. 따라서 본 연구결과 PQQ가 superoxide의 제거물질로 작용하여 파골세포의 분화 및 활성도에 영향을 미칠 것으로 사료되며, 이는 생리적 혹은 병적 골흡수에 억제적인 작용을 할 물질로의 가능성을 시사한다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권7호
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• pp.576-582
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• 2002

Nonvolatile semiconductor memory devices with reoxidized nitrided oxide(RONO) gate dielectrics were fabricated, and nitrogen distribution and bonding species which contribute to memory characteristics were analyzed. Also, memory characteristics of devices depending on the anneal temperatures were investigated. The devices were fabricated by retrograde twin well CMOS processes with $0.35\mu m$ design rule. The processes could be simple by in-situ process in growing dielectric. The nitrogen distribution and bonding states of gate dielectrics were investigated by Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry(D-SIMS), Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry(ToF-SIMS), and X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS). As the nitridation temperature increased, nitrogen concentration increased linearly, and more time was required to form the same reoxidized layer thickness. ToF-SIMS results showed that SiON species were detected at the initial oxide interface which had formed after NO annealing and $Si_2NO$ species within the reoxidized layer formed after reoxidation. As the anneal temperatures increased, the device showed worse retention and degradation properties. It could be said that nitrogen concentration near initial interface is limited to a certain quantity, so the excess nitrogen is redistributed within reoxidized layer and contribute to electron trap generation.

• Journal of Microbiology and Biotechnology
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• 제23권7호
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• pp.932-941
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• 2013

This work aimed to classify Aspergillus (8 species, 28 strains) by using a secondary metabolite profile-based chemotaxonomic classification technique. Secondary metabolites were analyzed by liquid chromatography ion-trap mass spectrometry (LC-IT-MS) and multivariate statistical analysis. Most strains were generally well separated from each section. A. lentulus was discriminated from the other seven species (A. fumigatus, A. fennelliae, A. niger, A. kawachii, A. flavus, A. oryzae, and A. sojae) with partial least-squares discriminate analysis (PLS-DA) with five discriminate metabolites, including 4,6-dihydroxymellein, fumigatin, 5,8-dihydroxy-9-octadecenoic acid, cyclopiazonic acid, and neosartorin. Among them, neosartorin was identified as an A. lentulus-specific compound that showed anticancer activity, as well as antibacterial effects on Staphylococcus epidermidis. This study showed that metabolite-based chemotaxonomic classification is an effective tool for the classification of Aspergillus spp. with species-specific activity.

• 한국환경과학회지
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• 제11권4호
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• pp.367-373
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• 2002

The polycyclic aromatic hydrocarbons(PAHs) content in sewage sludge was determined by gas chromatography linked to ion trap mass spectrometry(GC/ITMS) with five deuterated PAHs as internal standards. The minimum detection limit was from 1.66 to 7.14 pg for individual PAH by GC/ITMS. For determining total PAHs(∑PAH) in sewage sludge 84 samples from 74 waste water treatment plants in whole country were analyzed. The average content of ∑PAH far whole samples was 3,289$\pm$3,098 $\mu\textrm{g}$/kg, and ranged from 142 to maximum 20,102 $\mu\textrm{g}$/kg. According to the number of population of the city, the areas were classified as five regions, ie. big, large, middle, small, and rural area in which the waste water treated plants were grown. The contents of PAHs were 4,689$\pm$5,503, 5,839$\pm$6,401, 3,725$\pm$2,053, 2,237$\pm$2,069, and 2,475$\pm$1,489 $\mu\textrm{g}$/kg, in big, large, middle, small, and rural area, respectively.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.463-463
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• 2012

ITRS (international technology roadmap for semiconductors)에 따르면 MOS(metal-oxide-semiconductor)의 CD (critical dimension)가 45 nm node이하로 줄어들면서 poly-Si/$SiO_2$를 대체할 수 있는 poly-Si/metal gate/high-k dielectric이 대두된다고 보고하고 있다. 일반적으로 high-k dielectric를 식각시 anisotropic 한 식각 형상을 형성시키기 위해서 plasma를 이용한 RIE (reactive ion etching)를 사용하고 있지만 PIDs (plasma induced damages)의 하나인 PIED (plasma induced edge damage)의 발생이 문제가 되고 있다. PIED의 원인으로 plasma의 direct interaction을 발생시켜 gate oxide의 edge에 trap을 형성시키므로 그 결과 소자 특성 저하가 보고되고 있다. 그러므로 본 연구에서는 이에 차세대 MOS의 high-k dielectric의 식각공정에 HDP (high density plasma)의 ICP (inductively coupled plasma) source를 이용한 원자층 식각 장비를 사용하여 PIED를 줄일 수 있는 새로운 식각 공정에 대한 연구를 하였다. One-monolayer 식각을 위한 1 cycle의 원자층 식각은 총 4 steps으로 구성 되어 있다. 첫 번째 step은 Langmuir isotherm에 의하여 표면에 highly reactant atoms이나 molecules을 chemically adsorption을 시킨다. 두 번째 step은 purge 시킨다. 세 번째 step은 ion source를 이용하여 발생시킨 Ar low energetic beam으로 표면에 chemically adsorbed compounds를 desorption 시킨다. 네 번째 step은 purge 시킨다. 결과적으로 self limited 한 식각이 이루어짐을 볼 수 있었다. 실제 공정을 MOS의 high-k dielectric에 적용시켜 metal gate/high-k dielectric CMOSFETs의 NCSU (North Carolina State University) CVC model로 구한 EOT (equivalent oxide thickness)는 변화가 없으면서 mos parameter인 Ion/Ioff ratio의 증가를 볼 수 있었다. 그 원인으로 XPS (X-ray photoelectron spectroscopy)로 gate oxide의 atomic percentage의 분석 결과 식각 중 발생하는 gate oxide의 edge에 trap의 감소로 기인함을 확인할 수 있었다.

• The Journal of Advanced Prosthodontics
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• 제6권3호
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• pp.157-164
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• 2014

PURPOSE. This study focused on in vitro cell differentiation and surface characteristics in a magnesium coated titanium surface implanted on using a plasma ion source. MATERIALS AND METHODS. 40 commercially made pure titanium discs were prepared to produce Ti oxide machined surface (M) and Mg-incorporated Ti oxide machined surface (MM). Surface properties were analyzed using a scanning electron microscopy (SEM). On each surface, alkaline phosphatase (ALP) activity, alizarin red S staining for mineralization of MC3T3-E1 cells, and quantitative analysis of osteoblastic gene expression, were evaluated. Actin ring formation assay and gene expression analysis of TRAP and GAPDH performing RT-PCR were performed to characterize osteoclast differentiation on mouse bone marrow-derived macrophages (BMMs). RESULTS. MM showed similar surface morphology and surface roughness with M, but was slightly smoother after ion implantation at the micron scale. M was more hydrophobic than MM. No significant difference between surfaces on ALP activity at 7 and 14 days were observed. Real-time PCR analyses showed similar levels of mRNA expression of the osteoblast phenotype genes; osteopontin (OPN), osteocalcin (OCN), bone sialoprotein (BSP), and collagen 1 (Col 1) in cell grown on MM at 7, 14 and 21 days. Alizarin red S staining at 21 days showed no significant difference. BMMs differentiation increased in M and MM. Actin ring formation assay and gene expression analysis of TRAP showed osteoclast differentiation to be more active on MM. CONCLUSION. Both M and MM have a good effect on osteoblastic cell differentiation, but MM may speed the bone remodeling process by activating on osteoclast differentiation.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제50권4호
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• pp.713-717
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• 2012

난백에 있는 40여 가지의 단백질의 기능적 특성에 대한 연구가 폭 넓게 진행되고 있지만, 그 특성이 모두 확인되지 않았다. 난백에서 순수하면서 변성되지 않은 단백질을 분리하는 방법을 연구하기 위해 본 연구에서는 난백 중 함량이 많은 lysozyme, ovotransferrin, ovalbumin을 분리했다. 난백에서 단백질을 다른 분리 방법보다 선택적으로 분리가 가능한 이온 교환 크로마토그래피를 이용했다. 그리고 분리된 단백질을 동정하기 위해서 Reversed-phase HPLC (RP-HPLC)를 사용했다. 이온 교환 크로마토그래피에서 HI Trap ion exchange cartridge (GE Healthcare, USA)를 사용했고, 그 중에서 양이온 교환 수지 SP (완충용액 pH 8.0, pH 5.2)와 음이온 교환 수지 Q (완충용액 pH 8.0)로 난백 단백질을 분리하였다. 분리한 난백 단백질들의 동정용 RP-HPLC에서는 C18 컬럼(Phenomenex, USA)을 사용했고 등용매 용리에서 이동상으로 acetonitrile (ACN)/distilled water (DW)/trifluoroacetic acid (TFA)의 부피비를 50/50/0.1로 사용했다. 이온 교환 크로마토그래피에 의해 각 단계에서 분리된 용출용액을 RP-HPLC으로 분석한 크로마토그램과 표준시료의 크로마토그램의 체류시간을 비교하여 난백에 포함된 ovotransferrin, ovalbumin, lysozyme이 순차적으로 용출됨을 알았다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.255-255
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• 2010

Recently, nonvolatile memories (NVM) of various types have been researched to improve the electrical performance such as program/erase voltages, speed and retention times. Also, the charge trap memory is a strong candidate to realize the ultra dense 20-nm scale NVM. Furthermore, the high charge efficiency and the thermal stability of SiC nanocrystals NVM with single $SiO_2$ tunnel barrier have been reported. [1-2] In this study, the SiC charge trap NVM was fabricated and electrical properties were characterized. The 100-nm thick Poly-Si layer was deposited to confined source/drain region by using low-pressure chemical vapor deposition (LP-CVD). After etching and lithography process for fabricate the gate region, the $Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ (NON) and $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$ (ONO) barrier engineered tunnel layer were deposited by using LP-CVD. The equivalent oxide thickness of NON and ONO tunnel layer are 5.2 nm and 5.6 nm, respectively. By using ultra-high vacuum magnetron sputtering with base pressure 3x10-10 Torr, the 2-nm SiC and 20-nm $SiO_2$ were successively deposited on ONO and NON tunnel layers. Finally, after deposited 200-nm thick Al layer, the source, drain and gate areas were defined by using reactive-ion etching and photolithography. The lengths of squire gate are $2\;{\mu}m$, $5\;{\mu}m$ and $10\;{\mu}m$. The electrical properties of devices were measured by using a HP 4156A precision semiconductor parameter analyzer, E4980A LCR capacitor meter and an Agilent 81104A pulse pattern generator system. The electrical characteristics such as the memory effect, program/erase speeds, operation voltages, and retention time of SiC charge trap memory device with barrier engineered tunnel layer will be discussed.