이 논문에서는 이동통신망의 무선접속망(RAN . Radio Access Network)에서 ATM 전송 방식과 IP$_v$4 전송 방식 그리고 IP$_v$6전송 방식이 혼재하여 존재할 때, 다른 전송 방식들간의 연동을 지원하는 방법을 제시한다. 제시된 연동 방법은 하나의 노드안에 세 가지 전송 방식에 대한 각각의 기능모듈을 모두 구현하는 Triple Capable 노드 방법으로 다양한 전송 방식을 가진 노드들과 직접 연동할 수 있도록 설계되었다. 그리고 제시된 Triple Capable 노드 방법과 같이 하나의 노드가 다수의 전송 방식중에서 하나의 전송 방식을 선택하여 사용하는 것이 가능할 때, 네트워크 통신 상황에 따라서 통신 성능을 향상시킬 수 있도록 전송 방식을 동적으로 선택하여 사용하는 알고리즘을 제시한다.
멀티캐스트 라우팅 데몬은, 패킷 포워딩이 가능한 호스트 상에서 작동하여 호스트를 멀티캐스트 라우팅이 가능한 라우터로 만들어주는 역할을 하는 응용 프로그램이다. 현재의 리눅스 IP$_{v}$ 6 멀티캐스트 환경을 살펴보면 로컬 네트워트 상에서의 멀티캐스트 통신만을 지원하도록 되어있다. 즉 서로 다른 서브넷 상에 존재하는 호스트들 사이에서는 멀티캐스트 통신을 할 수 없다. 따라서, 본 논문에서는 리눅스 IP$_{v}$ 6 환경에서 멀티캐스트 라우팅이 가능하도록 IP$_{v}$ 6용 멀티캐스트 라우팅 데몬을 구현하였다. 멀티캐스트 라우팅이 가능하기 위해서는 두가지 문제가 해결되어야 하는데 첫째는 멀티캐스트 라우팅 정보를 주고받는 데몬 프로그램이고, 둘째는 데몬이 주고받은 라우팅 정보를 이용하여 멀티캐스트 패킷을 포워딩하는 커널 포워딩 루틴이다. 이 두가지가 본 논문에서 중심으로 다룰 내용이다.
본 논문에서는 대기 상태에서 저전력 eFuse OTP 메모리 IP틀 구현하기 위해 속도가 문제가 되지 않는 반복되는 블록 회로에서 1.2V 로직 트랜지스터 대신 누설 (off-leakage) 전류가작은 3.3V의 MV (Medium Voltage) 트랜지스터로 대체하는 설계기술을 제안하였다. 그리고 읽기 모드에서 RWL (Read Word-Line)과 BL의 기생하는 커패시턴스를 줄여 동작전류 소모를 줄이는 듀얼 포트 (Dual-Port) eFuse 셀을 사용하였다. 프로그램 전압에 대한 eFuse에 인가되는 프로그램 파워를 모의실험하기 위한 등가회로를 제안하였다. 하이닉스 90나노 CMOS 이미지 센서 공정을 이용하여 설계된 512비트 eFuse OTP 메모리 IP의 레이아웃 크기는 $342{\mu}m{\times}236{\mu}m$이며, 5V의 프로그램 전압에서 42개의 샘플을 측정한 결과 프로그램 수율은 97.6%로 양호한 특성을 얻었다. 그리고 최소 동작 전원 전압은 0.9V로 양호하게 측정되었다.
The structure of $IP^2$(IP based-IMT Network Platform) as ubiquitous platform is three-layered model : Middleware including NCPF(Network Control Platform) and SSPF(Service Support Platform), IP-BB(IP-Backbone), Access network including Sensor network. A mobility management(MM) architecture in NCPF is proposed for $IP^2$. It manages routing information and location information separately. The existing method of multicast control in $IP^2$ is Remote Subscription. But Remote Subscription has problem that should be reconstructed whole Multicast tree when sender moves. To solve this problem, we propose a way to put Multicast Manager in NCPF.
본 논문에서는 $0.13{\mu}m$ BCD 공정 기반에서 5V MOS 소자만 사용하여 zero layer FTP 셀이 가능하도록 하기 위해 tunnel oxide 두께를 기존의 $82{\AA}$에서 5V MOS 소자의 gate oxide 두께인 $125{\AA}$을 그대로 사용하였고, 기존의 DNW은 BCD 공정에서 default로 사용하는 HDNW layer를 사용하였다. 그래서 제안된 zero layer FTP 셀은 tunnel oxide와 DNW 마스크의 추가가 필요 없도록 하였다. 그리고 메모리 IP 설계 관점에서는 designer memory 영역과 user memory 영역으로 나누는 dual memory 구조 대신 PMIC 칩의 아날로그 회로의 트리밍에만 사용하는 single memory 구조를 사용하였다. 또한 BGR(Bandgap Reference Voltage) 발생회로의 start-up 회로는 1.8V~5.5V의 전압 영역에서 동작하도록 설계하였다. 한편 64비트 FTP 메모리 IP가 power-on 되면 internal reset 신호에 의해 initial read data를 00H를 유지하도록 설계하였다. $0.13{\mu}m$ Magnachip 반도체 BCD 공정을 이용하여 설계된 64비트 FTP IP의 레이아웃 사이즈는 $485.21{\mu}m{\times}440.665{\mu}m$($=0.214mm^2$)이다.
이동망에서의 서비스 품질은 중요한 망 설계 요소중의하나이다. 특히, All-IP망에서 VoIP와 같은 실시간 응용은 망 링크간에 이동 호스트의 전이시 발생할 수 있는 패킷 손실을 최소로하는 smooth handoff가 필요하다. 본 논문에서는 MH가 All-IP를 지원하는 다른 망으로 이동시에 패킷 손실을 줄일 수 있는 동적 버퍼링 기반의 새로운 멀티캐스트 알고리즘을 제안한다. 새로운 프로토콜의 핵심 요소는 동적 버퍼링과 멀티캐스트 데이터그램 전달 경로를 줄이기 위해 멀티캐스트 라우팅 에이젼트(MRA) 개념을 도입한 것이다. 제안된 프로토콜은 짧은 라우팅 경로 및 이동 호스트에 근접한 노드에서 이동 호스트로의 직접 데이터그램 전송을 통하여 성능 향상을 기대할 수 있다.
본 논문에서는 배터리 응용을 위해 저면적 DC-DC 변환기를 갖는 1.5V 256kb eFlash 메모리 IP를 설계하였다. 저면적 DC-DC 변환기 설계를 위해서 본 논문에서는 단위 전하펌프 회로에서 펌핑 노드의 전압을 VIN 전압으로 프리차징해주는 회로인 크로스-커플드 (cross-coupled) 5V NMOS 트랜지스터 대신 5V NMOS 프리차징 트랜지스터를 사용하였고, 펌핑 노드의 부스팅된 전압을 VOUT 노드로 전달해주는 트랜지스터로 5V 크로스-커플드 PMOS 트랜지스터를 사용하였다. 한편 5V NMOS 프리차징 트랜지스터의 게이트 노드는 부스트-클록 발생기 회로를 이용하여 VIN 전압과 VIN+VDD 전압으로 스윙하도록 하였다. 그리고 펌핑 커패시터의 한쪽 노드인 클록 신호를 작은 링 발진 (ring oscillation) 주기 동안 full VDD로 스윙하기 위해 각 단위 전하펌프 회로마다 로컬 인버터 (local inverter)를 추가하였다. 그리고 지우기 모드 (erase mode)와 프로그램 모드 (program mode)에서 빠져나와 대기 (stand-by) 상태가 될 때 부스팅된 전압을 VDD 전압으로 프리차징해주는 회로를 사용하는 대신 HV (High-Voltage) NMOS 트랜지스터를 사용하여 VDD 전압으로 프리차징 하였다. 이와같이 제안된 회로를 DC-DC 변환기 회로에 적용하므로 256kb eFLASH IP의 레이아웃 면적은 기존 DC-DC 변환기 회로를 사용한 경우보다 6.5% 정도 줄였다.
전편[Bull. Korean Chem. Soc. 1995, 16, 1015]에 기초하여 중성과 다중 전하를 가진 $C_{60}$이온에 대하여 상대적 안정도, 이온화 에너지 및 화학 반응성을 연구하였다. $C_{60}^{1-}$이 가장 안정하며, 이온화 에너지는 15.31 eV($C_{60}^{2+}$)로부터 -13.01 eV($C_{60}^{6-}$)까지 값을 갖는다. 또한 전하와 이온화 에너지의 상관 관계에서 직선관계가 나타났으며, 전하당 평균 이온화 에너지는 3.15 eV(계산값)와 3.22 eV(상관관계값) 이었다. 양의 전하를 띤 $C_{60}$ 이온의 전하-이동 및 전자-이동 반응은 게스트 분자의 이온화 에너지가 호스트 $C_{60}^{n+}$의 전자 친화도보다 더 낮을 때 일어남을 알 수 있었다. 이때, 이온화 에너지와 전자친화도의 에너지 차이(${\Delta}_{IP-EA}$)가 클 때는 전하-조절 효과에 의하여 전하-이동 반응이 일어나며, 그 에너지 차이가 작을 때는 프론티어-조절 효과에 의하여 전자-이동 반응에 의하여 일어남을 확인하였다.
We have synthesized novel stilbenequinone derivatives(ASQ, PSQ) and investigated the properties of their electron drift mobility. Characteristics of the ionization potential Ip and electron affinity Ea of the ASQ were investigated by determining both oxidation and reduction potentials. There were estimated Ip = 7.1 eV and Ea = 3.6 eV. The electron drift mobility of ASQ mixture(R:t-Bu 10wt%) was $1.5{\times}10^{-5}cm^2/V{\cdot}sec$ at $6.15{\times}10^{5}V/cm$ and $1.3{\mu}m$ thickness.
Wireless charger, USB type-C 등의 응용에서 사용되는 MCU는 추가 공정 마스크가 작으면서 셀 사이즈가 작은 MTP 메모리가 요구된다. 기존의 double poly EEPROM 셀은 사이즈가 작지만 3~5 장 정도의 추가 공정 마스크가 요구되고, FN 터널링 방식의 single poly EEPROM 셀은 셀 사이즈가 큰 단점이 있다. 본 논문에서는 vertical PIP 커패시터를 사용한 110nm MTP 셀을 제안하였다. 제안된 MTP 셀의 erase 동작은 FG와 EG 사이의 FN 터널링을 이용하였고 프로그램 동작은 CHEI 주입 방식을 사용하므로 MTP 셀 어레이의 PW을 공유하여 MTP 셀 사이즈를 1.09㎛2으로 줄였다. 한편 USB type-C 등의 응용에서 요구되는 MTP 메모리 IP는 2.5V ~ 5.5V의 넓은 전압 범위에서 동작하는 것이 필요하다. 그런데 VPP 전하펌프의 펌핑 전류는 VCC 전압이 최소인 2.5V일 때 가장 낮은 반면, 리플전압은 VCC 전압이 5.5V일 때 크게 나타난다. 그래서 본 논문에서는 VCC detector 회로를 사용하여 ON되는 전하펌프의 개수를 제어하여 VCC가 높아지더라도 펌핑 전류를 최대 474.6㎂로 억제하므로 SPICE 모의실험을 통해 VPP 리플 전압을 0.19V 이내로 줄였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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