• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.693-695
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• 2003

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 동작 온도에 따른 전류-전압 특성을 조사하였다. main gate와 side gate 길이는 각각 50nm, 70nm로 하였으며, main gate와 side gate 전압이 각각 1.5V, 3.0V일 때 온도 변화에 따른 전류-전압 특성을 조사하였다. 실온에서보다 77K일 때가 전류-전압 특성이 우수하였으며, 이때 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.777-779
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• 2003

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 C-V 특성을 조사하였다. Main gate 전압을 -5V에서 ＋5V까지 변화시킴으로써 main gate 길이가 50nm이고, side gate 길이가 70nm인 MOSFET의 C-V 특성을 조사하였다. 또한, Main gate 길이가 50nm인 double gate MOSFET의 side gate의 길이를 40nm에서 90nm로 변화시키면서 C-V 곡선을 비교ㆍ분석하였다. Side gate 길이가 줄어들수록 전달컨덕턴스는 증가하고, 커패시턴스는 감소하는 경향을 나타내었다. 게이트 전압이 1.8V일 때, side gate의 영향으로 C-V곡선에 굴곡이 나타났으며, 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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• pp.661-663
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• 2004

본 논문에서는 main gate와 side gate를 갖는 double gate MOSFET의 C-V 특성을 조사하기 위하여 side gate 길이와 side gate 전압을 변화시켜 조사하였다. Main gate 전압은 -5V에서 +5V까지 변화시켰으며, main gate 길이가 50nm, side gate 길이가 70nm, side gate 전압이 3V, drain 전압이 2V일때 우수한 C-V 특성을 얻었다. 이 때 소자의 특성 분석을 위해 ISE-TCAD를 사용하여 시뮬레이션 하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 춘계종합학술대회
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• pp.690-692
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• 2003

본 논문에서는 main gate 50nm를 갖는 double gate MOSFET에서 side gate의 길이변화에 따른 주파수 특성을 조사하였다. side gate길이가 감소할수록 컷오프 주파수는 증가하는 것을 볼 수 있었다. 결과적으로 side gate 길이가 70nm일 때 최적의 동작 특성을 보였으며, 이때 컷오프 주파수는 41.4GHz로 매우 높은 컷오프 주파수를 갖음을 알았다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권2호
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• pp.63-66
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• 2017

This research was about shielded trench gate power MOSFET for low voltage and high speed. We used T-CAD tool and carried out process and device simulation for exracting design and process parameters. The exracted parameters was used to design shieled and conventional trench gate power MOSFET. And The electrical characteristics of shieled and conventional trench gate power MOSFET were compared and analyzed for their power device applications. As a result of analyzing electrical characteristics, the recorded breakdown voltages of both devices were around 120 V. The electric distributions of shielded and conventional trench gate power MOSFET was different. But due to the low voltage level, the breakdown voltage was almost same. And the other hand, the threshold voltage characteristics of shielded trench gate power MOSFET was superior to convention trench gate power MOSFET. In terms of on resistance characteristics, we obtained optimal oxied thickness of $3{\mu}m$.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권11호
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• pp.681-684
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• 2016

This research was carried out experiments of variety IGBTs for industrial inverter and electric vehicle. The devices for this paper were planar gate IGBT, trench gate IGBT and dual gate IGBT and we designed using same design and process parameters. As a result of experiments, the electrical characteristics of planar gate IGBT were 1,459 V of breakdown voltage, 4.04 V of threshold voltage and 4.7 V of on-state voltage drop. And the electrical characteristics of trench gate IGBT were 1,473 V of breakdown voltage, 4.11 V of threshold voltage and 3.17 V of on-state voltage drop. Lastly, the electrical characteristics of dual gate IGBT were 1,467 V of breakdown voltage, 4.14 V of threshold voltage and 3.08V of on-state voltage drop. We almost knew that the trench gate IGBT was superior to dual gate IGBT in terms of breakdown voltage. On the other hand, the dual gate IGBT was better than the trench gate IGBT in terms of on state voltage drop.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.379-382
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• 2002

GaAs has wide band gap, Therefore that malarial can used high Temperature application. in this paper explain to current-voltage characteristics of thermal effect. we experiment on thermal test of current-voltage characteristics and gate leakage current with real device. As a result, we propose a current-volatage characteristics model. that model base on gate leakage current, and gate leakage current influence gate source voltage.

• Journal of Electrical Engineering and information Science
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• 제2권3호
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• pp.132-138
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• 1997

Electrical characteristics of split-gate flash EEPROM with triple polysilicon is investigated in terms of effects of floating gate and offset gate. In order to search for t the effects of offset gate on programming characteristics, threshold voltage and drain current are studied with variation of control gate voltage. The programming process is believed to depend on vertical and horizontal electric field as well as offset gate length. The erase and program threshold voltage are found to be almost constant with variation of control gate voltage above 12V, while endurance test indicates degradation of program threshold voltage. With increase of offset gate length, program threshold voltage becomes smaller and the drain source voltage just after program under constant control gate voltage becomes higher.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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• pp.658-660
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• 2004

본 논문에서는 DG MOSFET의 main gate와 side gate사이의 산화층 두께, 그리고 main gate와 Si 기판 사이의 산화층 두께를 변화시킴으로써 전기적 특성을 조사하였다. Main gate와 side gate사이의 간화층 두께가 4nm이고 main gate와 Si 기판사이의 산화층 두께가 3nm일 때 최적의 전기적 특성을 보였다. 이때, side gate 전압은 3V, 그리고 drain 전압은 1.5V를 인가하였다. 결과적으로 DG MOSFET의 전기적 특성은 main gate와 side gate 사이의 산화층 두께보다 main gate와 Si기판사이의 산화층 두께가 중요함을 알았다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2005년도 추계종합학술대회
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• pp.884-886
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• 2005

본 논문에서는 main gate와 side gate를 가지는 DGMOSFET의 전류전압특성을 조사하였다. 채널의 길이를 1${\mu}$m에서 5${\mu}$m까지 변화시켜 채널길이에 따른 전류전압특성을 조사하였다. 또한 드레인 전류를 변화시켜 동작온도에 따른 특성변화를 비교${\cdot}$분석하였다. 게이트 전압이 2V 인가되었을 때, 77K에서의 전류전압특성이 300K에서 동작한 소자특성보다 우수하다는 것을 알 수 있었다.