1.2KV AlGaN/GaN Schottky Barrier Diode Employing As+ Ion Implantation on $SiO_2$ Passivation layer
(항복전압 향상을 위해 As+ 이온을 주입한 AlGaN/GaN 쇼트키 장벽 다이오드)
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- Proceedings of the KIEE Conference
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- 2009.07a
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- pp.1229_1230
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- 2009