In this study, MOSFET type micro hydrogen gas sensors with platinum catalytic metal gates were designed, fabricated, and their electrical characteristics were analyzed. The devised MOSFET Hydrogen Sensors, called MHS-1 and -2, were designed with a platinum gate for hydrogen gas adsorption, and an additional sensing part for higher gas sensitivity and with a micro heater for operation temperature control. In the electrical characterization of the fabricated Pt-gate MOSFET (MHS-1), the saturated drain current was 3.07 mA at 3.0 V of gate voltage, which value in calculation was most similar to measurement data. The amount of threshold voltage shift and saturated drain current increase to variation of hydrogen gas concentration were calculated and the hydrogen gas sensing properties were anticipated and analyzed.
Park, Chang-Bum;Jung, Keum-Dong;Jin, Sung-Hun;Park, Byung-Gook;Lee, Jong-Duk
Journal of Information Display
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제6권2호
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pp.16-18
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2005
Hybrid insulator pentacene thin film transistors (TFTs) are fabricated with thermally grown oxide and cross-linked polyvinylalcohol (PVA) including surface treatment by dilute ploymethylmethacrylate (PMMA) layer on $n^+$ doped silicon wafer. Through the optimization of $SiO_2$ layer thickness in hybrid insulator structure, carrier mobility is increased to more than 35 times than that of the TFT which has only a gate insulator of $SiO_2$ at the same electric field. The carrier mobility of $1.80cm^2$/V-s, subthreshold swing of 1.81 V/decade, and $I_{on}/I_{off}$ current ratio> $1.10{\times}10^5$ are obtained less than -30 V bias condition. The result is one of the best reported performances of pentacene TFTs with hybrid insulator including cross-linked PVA layer as a gate insulator at relatively low voltage operation.
This paper was carried out to prove the relation between static loads acting on the sluice(hydrostatic) and dynamic loads (additional loads) arising from opening or closing of sluice, through measuring the operation of shell-type roller gate by using the method of measuring of the completely opening water gate, as measured from one excitation state, it was confirmed to be capable of measuring the natural frequency reliable measurement results. Throughout the test, we prove that it's a reasonable way to estimate the default margin of safety when calculated by dividing the sum of the hydrostatic stress to the maximum stress and additional stress. The application of this paper's safety estimation method can be utilized as the basic data for the systematic and rational maintenance management of dams and submerged weirs in the future, and it is expected that this study can bring forth.
PMOS집적기술을 이용하여 512-Bit mask programmable ROM을 설계하고 제작하였다. ROM의 내용은 제작공정에서 gate pattern으로 기억시켰으며 chip의 출력을 512(32×16)개의 점의 행렬로써 오실로스코프에 나타내어 확인하였다. 제작된 chip은 -6V와 - l2V의 범위에서 정상적으로 동작하였다 소모전력과 전달지연시간은 -6V에서 각각 3mW와 13μsec였다. -12V에서는 소모전력이 27mW로 증가하였으며 전달지연시간은 3μsec로 감소하였다. Chip의 출력은 TTL gate의 인력을 직접 구동시킬 수 있었으며 chip select에 의하여 출력을 disable 시켰을 때는 높은 임피던스 상태를 유지하였다.
선광(all-optical) OR 논리소자가 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화와 파장변환 특성을 이용하여 구현되었다. 전광(all-optical) OR 논리소자는 이득의 비선형성에 의해 동작되므로 SOA의 이득포화를 충분히 얻기 위해 펌프신호는 SOA의 입력단에서 어븀 첨가 광섬유 증복기(EDFA)에 의해 증폭되었다. 전광 OR논리소자의 동작특성은 2.5 Gbit/s에서 성공적으로 측정되었다.
새로운 전광(all-optical) NOR논리소자가 반도체 광증폭기 (SOA)의 이득포화 특성을 이용하여 처음으로 제안되고 입증되었다. 전광 NOR논리소자는 이득의 비선형성에 의해 동작되므로 SOA의 이득포화를 충분히 얻기 위해 펌프신호는 SOA의 입력단에서 어븀 첨가 광섬유 증폭기에 의해 증폭되었다. 전광 NOR 논리소자의 동작특성은 10 Gbit/s에서 성공적으로 측정되었다.
유기 절연층을 사용한 유기 박막 트랜지스터의 특성 향상을 위해 절연층 표면에 Ar플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 처리는 절연체 표면의 화학적, 물리적 특성 변화를 통해 그 후에 이어지는 활성층 성막시 분자들의 결정성을 향상시키기 위한 방법이다. 활성층으로 사용된 물질은 pentacene이며, 절연층으로 사용된 물질은 PVP(poly-vinyl-phenol)이다. Pentacene는 약 $10^{-6}$ Torr에서 0.5 $\AA$/sec의 속도로, PVP는 spin coating법에 의해 각각 성막되었다. 형성된 절연층을 일정 시간동안 H플라즈마 처리 한 후 각 소자의 전기적 특성을 측정하여 표면처리에 의한 특성 변화를 살펴보았다.
There have been CFIT(Controlled Flight Into Terrain) accidents that can be prevented if the crew executed go-around. This study is to analyse the common factors of three typical CFIT accidents of Korea in TEM(threat and error management) frame, and the examples of go-around gate and the countermeasures of eight airlines through the survey facilitating go-around to prevent CFIT. The common factors found in three typical CFIT accidents occurred in Korea or by Korean carriers turned out to be in mountainous terrain, in bad weather while in non-precision approach or circling approach by captain as PF(Pilot Flying) when crew make monitoring errors and communication errors. It also turned out that the crew in all three typical tragic CFIT accidents did not execute go-around in unstabilized approaches. The captains did not respond immediately when first officers advised them to go-around until it is too late. Seven out of eight Airlines answered that they use stabilized approach height as 1,000 feet to be stabilized earlier to have more safety margin by enhancing go-around gate regardless of the weather to prevent CFIT in the survey.
Kim Sung-Soo;Lee Myoun-Soo;Song Yong-Seok;Nam Ki-Chan;Kwak Kyu-Suk
한국항해항만학회지
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제29권9호
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pp.789-793
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2005
The container terminals in Korea usually adopts both the bar code and the image recognition systems at the gate complex to capture necessary information on containers passing through the gate. With the rapid advancement of Information Technology(IT) these systems, however, seem to make the user not satisfied due to the inherent limitations such as the long process time taken, low rate of recognition etc., This paper, therefore, examines the adoption of Radio Frequency Identification (RFID) technology to container terminals, and tried to get some implication for the way to improve the productivity of the terminal. The results imply that some improvement in the gate and storage yard operation is feasible by the benefit of using the information of vehicles and containers collected in advance by RFID technology.
본 연구개발에서는 정해진 환경에서 최대의 불량검출 능력을 발휘할 수 있도록 공정을 개선하기 위하여 전게이트 시각검사에 필수적인 FGV 패턴발생 장치와 공정제어 장치를 개발하였다. 본 연구개발을 통하여 접촉손실(Tact Loss)을 0에 근접 한 수준으로 유지할 뿐만 아니라 손실 및 에러 발생시 신속한 대처가 가능하여 모듈의 수율을 향상시킬 수 있을 것으로 기대된다. 또한 세부 동작 시퀀스를 제어하기 위한 H/W와 S/W 시스템을 생산라인에 실장하고 성능점검 및 인증을 수행한 결과 Tact에 의한 Pixel 불량의 경우는 98.1%, Line 불량의 경우는 99.1%의 검출율을 나타내었으며, Gate 및 Visual 레벨 테스트를 포함한 모듈공정 전체의 수율이 98.3%까지 증가하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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