A 512 Bit Mask Programmable ROM using PMOS Technology

PMOS 기술을 이용한 512 Bit Mask Programmable ROM의 설계 및 제작

A 512-bit Task Programmable ROM has been designed and fabricated using PMOS technology. The content of the memory was written through the gate pattern during the fabrication process, and was checked by displaying the output of the chip on an oscilloscope with 512(32$\times$16) matrix points. The operation of the chip was surcessful with operating voltage from -6V to -l2V, The power consumption and propagation delay time have been measured to be 3mW and 13 $\mu$sec, respectively at -6 Volt. The power consunption increased to 27mW and propagation delay time decreased to 3$\mu$sec at -12V. The output of the chip was capable of driving the input of a TTL gate directly and retained a high impedence state when the chip solect function disabled the output.

PMOS집적기술을 이용하여 512-Bit mask programmable ROM을 설계하고 제작하였다. ROM의 내용은 제작공정에서 gate pattern으로 기억시켰으며 chip의 출력을 512(32×16)개의 점의 행렬로써 오실로스코프에 나타내어 확인하였다. 제작된 chip은 -6V와 - l2V의 범위에서 정상적으로 동작하였다 소모전력과 전달지연시간은 -6V에서 각각 3mW와 13μsec였다. -12V에서는 소모전력이 27mW로 증가하였으며 전달지연시간은 3μsec로 감소하였다. Chip의 출력은 TTL gate의 인력을 직접 구동시킬 수 있었으며 chip select에 의하여 출력을 disable 시켰을 때는 높은 임피던스 상태를 유지하였다.