• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제21권1호
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• pp.85-90
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• 2022

In this paper, an asynchronous nonvolatile memory module using a self-diagnosis function was designed. For the system to work, a lot of data must be input/output, and memory that can be stored is required. The volatile memory is fast, but data is erased without power, and the nonvolatile memory is slow, but data can be stored semi-permanently without power. The non-volatile static random-access memory is designed to solve these memory problems. However, the non-volatile static random-access memory is weak external noise or electrical shock, data can be some error. To solve these data errors, self-diagnosis algorithms were applied to non-volatile static random-access memory using error correction code, cyclic redundancy check 32 and data check sum to increase the reliability and accuracy of data retention. In addition, the possibility of application to an asynchronous non-volatile storage system requiring reliability was suggested.

• Journal of information and communication convergence engineering
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• 제7권2호
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• pp.199-202
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• 2009

Adaptive memory management is a serious issue in data stream management. Data stream differ from the traditional stored relational model in several aspect such as the stream arrives online, high volume in size, skewed data distributions. Data skew is a common property of massive data streams. We propose the predicted allocation strategy, which uses predictive processing to cope with time varying data skew. This processing includes memory usage estimation and indexing with timestamp. Our experimental study shows that the predictive strategy reduces both required memory space and latency time for skewed data over varying time.

• 정보처리학회논문지A
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• 제11A권3호
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• pp.157-162
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• 2004

본 논문에서는 가상 메모리 압축 알고리즘으로 CAMD 알고리즘을 제안한다. CAMD 알고리즘은 페이지 폴트가 일어났을 때 이들 페이지들을 스왑 디바이스로 이동시키지 않고 주기억장치 내의 압축된 캐시 영역을 할당하여 압축된 페이지를 저장한다. 이렇게 함으로써 스왑 디바이스로 이동하는 시간과 횟수를 감소시켜서 페이지 폴트 응답시간을 줄이며 주기억장치에 저장되는 페이지들의 공간 활용도를 높일 수 있다. 메모리 내의 데이터는 일반적인 압축 알고리즘에서 다루는 데이터와는 다른 특징들을 가지고 있어서 메모리 내의 주소 값이나 배열 데이터와 값은 요소들을 고려하여 압축될 때의 효율성을 높일 수 있다.

• 대한원격탐사학회:학술대회논문집
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• 대한원격탐사학회 2003년도 Proceedings of ACRS 2003 ISRS
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• pp.499-501
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• 2003

As semiconductor memory becomes cheaper, the memory capacity of computer system is increasing. Therefore computer system has sufficient memory for a plentiful spatial data. With emerging spatial application required high performance, this paper presents a GIS database system in main memory. Memory residence can provide both functionality and performance for a database management system. This paper describes design of DBMS for storing, querying, managing and analyzing for spatial and non-spatial data in main-memory. This memory resident GIS DBMS supports SQL for spatial query, spatial data model, spatial index and interface for GIS tool or applications.

• 정보처리학회논문지:컴퓨터 및 통신 시스템
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• 제2권11호
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• pp.461-470
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• 2013

본 논문은 정밀한 메모리 워크로드 분석을 위해 리눅스 기반의 커널 수준에서 프로세스의 메모리 관리 구조체에 직접 접근하는 방법을 이용하여 고속으로 커널 데이터를 수집하는 기법을 제안한다. 기존의 분석기들은 데이터 수집 속도가 느리고 제공되는 데이터의 제한으로 인하여 확장성이 부족하다. 제안 기법은 메모리 관리 구조체 내의 프로세스 메모리정보, 페이지 테이블, 페이지 구조체를 직접 수집하는 방법을 이용하여 기존의 기법 보다 빠르게 커널 데이터를 수집하며, 사용자가 원하는 데이터를 선택하여 수집할 수 있다. 제안 기법을 통해 실제 실행 중인 프로세스의 메모리 관리 데이터를 수집하고 메모리 워크로드에 대한 분석을 수행하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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• pp.436-439
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• 2011

휴대용 디지털 기기 보급의 확산되면서 휴대용 저장장치 수요가 급증하고 있으며, 디지털 카메라 및 캠코더에서는 대부분 SD 메모리 카드를 이용하고 있다. SD 메모리 카드는 일반적으로 플래시 메모리를 기반으로 사용자 데이터를 저장한 후 PC에 데이터를 복사하는 형태로 사용되고 있다. 본 논문에서는 플래시 메모리에 데이터를 저장하는 방식이 아닌, 네트워크를 통하여 사진 및 영상 데이터 저장을 할 수 있는 SD 메모리 카드를 제안한다. SD Slave IP를 통해서 들어오는 데이터 및 메모리 주소 값들을 플래시 메모리로 보내지 않고 네트워크 서버에 전달하여, 실시간으로 SD 메모리에 저장할 데이터를 안전하고 편리하게 저장할 수 있다.

• 사물인터넷융복합논문지
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• 제9권1호
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• pp.19-24
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• 2023

최근 메모리 기술의 급격한 발전으로 개발되고 있는 다양한 종류의 메모리는 데이터 관리 시스템에서 처리 속도 향상을 위해 활용되고 있다. 특히 NAND 플래시 메모리는 전원이 차단되어도 데이터를 유지할 수 있는 비휘발성 특징이 있으므로 메모리 기반 저장장치의 데이터 저장용 주요 미디어로 활용되고 있다. 그러나 최근 연구되고 있는 메모리 기반 저장장치는 NAND 플래시 메모리뿐만 아니라 MRAM과 PRAM 등 다양한 종류의 메모리로 구성되어 있고 추가로 새로운 특성이 있는 다양한 종류의 메모리가 개발되고 있다. 따라서 특성이 서로 다른 이종의 메모리들로 구성된 저장 시스템에서 미디어의 데이터 처리 성능과 효율 향상을 위한 메모리 관리 기술의 연구가 필요하다. 본 논문에서는 데이터 관리를 위해 다양한 메모리로 구성된 저장장치에서 데이터를 효율적으로 관리하기 위한 메모리 사상 기법을 제안한다. 제안하는 아이디어는 서로 다른 이종 메모리를 하나의 사상 테이블을 활용하여 관리하는 방법이다. 이 방법은 데이터의 주소 체계를 통일할 수 있고 데이터 티어링(tiering)을 위해 서로 다른 메모리에 분할 저장된 데이터의 탐색 비용을 감소시킬 수 있다.

• 한국정보처리학회논문지
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• 제3권6호
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• pp.1433-1442
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• 1996

자료 분산은 SPMD(Single Program Multiple Data)형태의 병렬성을 제공하는 HPF (High Performance Fortran)의 주기능으로 구현 방법에 따라 컴파일러 성능을 좌우한 다. 본 논문에서는 SPAX(Scalable Parallel Architecture computer based on X-bar network)상에 자료 분산 기능을 제공하기 위한 설계 주안점과 효율적인 모델에 관하 여 기술하였다. SPAX는 분산공유 메모리 (DSM:distributed shared memory)를 사용한 계층적 클러스터링 구조를 가진다. 이러한 메모리 구조에서는 분산 메모리 자료 분산 (DMDD:Distributed Memory Data Distribution)이나 공유 메모리 자료 분산(SMDD: Shared Memory Data Distribution)방법으로는 시스템 가용성을 만족할 수 없다. 그래 서 계층적 마스터-슬래브 형태의 분산공유 메모리 자료분산(DSMDD:Distributed Shared Memory Data Distribution)모델을 설계하였다. 이 모델은 각 노드에 원격 마 스터와 슬래브들을 할당하고 노드내에서는 공유 메모리를 그리고 노드간에는 메세지 전달 인터페이스를 사용한다. 시뮬레이션을 수행한 결과, 시스템 성능 저하를 최소화 하는 노드 크기로 DSMDD를 수행하였을 때 SMDD나 DMDD보다 훨씬 더 효율적이였다. 특 히, 논리적 프로세서 갯수가 많을수록, 분산된 자료들 간의 자료 종속성이 적을수록 성능이 우수하였다.

• Journal of Information Display
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• 제9권1호
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• pp.6-13
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• 2008

Mobile phones use the embedded memory in LDI (LCD Driver IC). In memory accessing mode, data overlapping phenomenon can occur. These days, various contents such as DMB, Camera, Game are merged to phone. Accordingly, with more data transmission, there would be more data overlapping phenomenon in memory accessing mode. Human eyes perceive this data overlapping phenomenon as simply horizontal line noise. The cause of the data overlapping phenomenon was analysed in this paper. The data overlapping phenomenon can be changed by the speed of data transmission between the host and LDI. The optimum memory accessing position can be defined. This paper proposes a new algorithm for avoiding data overlapping.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제2권3호
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• pp.197-204
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• 2002

DRAM, SRAM, and FLASH memory are three major memory devices currently used in most electronic applications. But, they have very distinct attributes, therefore, each memory could be used only for limited applications. MRAM (Magneto-resistive Random Access Memory) is a promising candidate for a universal memory that meets all application needs with non-volatile, fast operational speed, and low power consumption. The simplest architecture of MRAM cell is a series of MTJ (Magnetic Tunnel Junction) as a data storage part and MOS transistor as a data selection part. To be a commercially competitive memory device, scalability is an important factor as well. This paper is testing the actual electrical parameters and the scaling factors to limit MRAM technology in the semiconductor based memory device by an actual integration of MRAM core cell. Electrical tuning of MOS/MTJ, and control of resistance are important factors for data sensing, and control of magnetic switching for data writing.