• 제목/요약/키워드: Clean copper surface

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Self-Assembled Monolayers of Alkanethiols on Clean Copper Surfaces

  • ;김연수
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제22권7호
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    • pp.748-752
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    • 2001
  • Alkanethiols (CH3(CH2)n-1SH) based self-assembled monolayers (SAMs) on the clean copper surfaces have been examined for n = 4, 8, and 16. Using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and contact angle analysis, it is found that alkanethiolate monolayers similar to those on gold are formed on clean copper surfaces. The monolayers are stable in air up to about 140 $^{\circ}C.$ Above 160 $^{\circ}C$ the monolayers begin to desorb through the oxidation reaction of the thiolate to sulfonate, with the alkyl chains remaining intact. Following this desorption step, the copper surface has begun to oxidize to CuO at about 180 $^{\circ}C$.

The Electrochemical Characteristics of Surface-modified Carbonaceous Materials by tin Oxides and Copper for Lithium Secondary Batteries

  • Lee, Joong-Kee;Ryu, D.H.;Shul, Y.G.;Cho, B.W.;Park, D.
    • Carbon letters
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    • 제1권3_4호
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    • pp.170-177
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    • 2001
  • Lithium intercalated carbon (LIC) are basically employed as an anode for currently commercialized lithium secondary batteries. However, there are still strong interests in modifying carbon surface of active materials of the anode because the amount of irreversible capacity, charge-discharge capacity and high rate capability are largely determined by the surface conditions of the carbon. In this study, the carbonaceous materials were coated with tin oxide and copper by fluidized-bed chemical vapor deposition (CVD) method and their coating effects on electrochemical characteristics were investigated. The electrode which coated with tin oxides gave the higher capacity than that of raw material. Their capacity decreased with the progress of cycling possibly due to severe volume changes. However, the cyclability was improved by coating with copper on the surface of the tin oxides coated carbonaceous materials, which plays an important role as an inactive matrix buffering volume changes. An impedance on passivation film was decreased as tin oxides contents and it resulted in the higher capacity.

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CCL 표면과 포토리지스트와의 접착력 향상 위한 Soft 에칭액의 제조 (Preparation of Soft Etchant to Improve Adhesion Strength between Photoresist and Copper Layer in Copper Clad Laminates)

  • 이수;문성진
    • 한국응용과학기술학회지
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    • 제32권3호
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    • pp.512-521
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    • 2015
  • PCB 제조에서 photoresist와 Copper Clad Laminate(CCL)의 구리표면과의 부착력을 항상시키기 위하여 사용되는 soft etching제를 제조하기 위하여 과산화수소 사용을 배제하고, 유기산과 유기과산화물을 이용하여 산의 종류, 농도, 에칭시간 등에 따른 구리표면의 에칭속도, 표면 조도, 및 오염도 등을 조사하였다. 또한 에칭 후의 표면의 얼룩을 제거하기 위한 안정제의 최적 배합 및 농도도 확립하였다. 본 연구 결과 유기산의 종류 중에서는 아세트산이 초기 구리 에칭속도가 가장 빨랐으며, 농도가 0.04 M이었을 때 $0.4{\mu}m/min$이였다. 유기과산화물인 APS의 농도는 높을수록 에칭속도가 가장 빨랐으나, 표면 오염이 심각하였다. 안정제 용액의 조성도 표면 오염도에 큰 영향을 주었다. 결과적 0.04 M 아세트산, 0.1M APS에 4 g/L의 안정제(ST-1)를 첨가한 에칭액의 경우 $0.37{\mu}m/min$의 에칭속도와 표면오염이 전혀 없으며, 표면 조도도 가장 우수하였다. 즉, CCL과 photoresist와 접착력을 향상시킬 수 있을 것으로 판단된다.

중금속 오염 퇴적저니의 복원방안 (Remediation of Heavy Metal Contaminated Sediments)

  • 배우근;이창수;홍종철;장석규;김성진
    • 한국지하수토양환경학회:학술대회논문집
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    • 한국지하수토양환경학회 1999년도 추계학술발표회
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    • pp.34-38
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    • 1999
  • This paper investigated remediation options for contaminated sediments with heavy metals. Twenty three sediment samples were taken from three different depths of 0.5m, 1.5m and 2.5m. The concentration of Heavy metals Cu, Pb, and Hg were measured. The concentration of copper far exceeded the Sediment Quality Guideline in U.S.A and Interim Sediment Quality Guidelines in Canada. Therefore, remediation of the sediments is requried to protect the benthos. Two remediation options were suggested : dredging of the organic sediments as deep as about 85cm followed by surface covers with clean soil, and in-situ stabilization of tile sediments using lime or cement followed by surface cover with clean soil.

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철 샘플에 따른 구리 함유 폐에칭액의 시멘테이션 반응에 대한 연구 (A Study on the Cementation Reaction of Copper-containing Waste Etching Solution to the Shape of Iron Samples)

  • 김보람;장대환;김대원
    • 청정기술
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    • 제27권3호
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    • pp.240-246
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    • 2021
  • COF (Chip on film)용 폐에칭용액 내 구리가 약 3.5% 함유되어 있으며, 철 시편을 사용한 시멘테이션을 통해 구리를 회수하고자 하였다. 철 시편 3종류(플레이트, 칩, 분말)에 따른 시멘테이션 반응에 미치는 영향을 조사하였으며, 구리의 회수율을 높이고자 구리에 대한 철의 몰 비를 변수로 하였다. 반응 전·후 용액 내 시간에 따른 구리 농도의 변화를 확인하였으며, 몰 비를 증가시킬수록 초기 용액 내 구리 함량이 급격히 줄어드는 경향이 나타났다. 상온에서 1시간의 시멘테이션 반응 후 철 시편의 비표면적 값이 큰 플레이트, 칩, 분말 순으로 구리의 회수율이 증가하였다. 회수된 분말은 X선 회절 분석기(X-ray diffraction, XRD), 주사전자현미경(scanning electron microscopy, SEM) 및 에너지 분산형 분광분석법(Energy-dispersive X-ray spectroscopy, EDM) 분석을 통해 결정상과 결정 형태를 확인하였으며, 철 분말의 경우에는 회수된 구리 분말에 미반응된 철 성분이 혼재하였다. 구리에 대한 철의 몰 비 4의 조건으로 철 칩을 사용하였을 때, 구리 회수율 약 98.4%로 최적 조건으로 달성하였다.

유동상 화힉증착에 의한 리튬이차전지 전극용 탄소재료의 표면개질 (Surface Modification of Synthetic Graphite as an Electrode by Fluidized-bed Chemical Vapor Deposition for Lithium Secondary Batteries)

  • 류덕현;이중기;박달근;윤경석;조병원;설용건
    • 전기화학회지
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    • 제3권3호
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    • pp.173-177
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    • 2000
  • 리튬 이차 전지의 성능은 부극으로 쓰이는 탄소재료의 표면의 미세 구조에 크게 의존한다. 본 연구에서는 이러한 표면 구조의 개질을 위해 유동상 화학증착법을 도입하여 금속 및 금속 산화물을 탄소재료 표면에 코팅하여 그 성능을 전기 화학적으로 평가하였다. 주석산화물을 코팅한 탄소 전극은 원래의 탄소 전극에 비해 용량의 상승을 나타내었으나 사이클이 진행됨에 따라 주석산화물이 코팅된 전지의 용량은 심각한 부피 변화에 의해 저하되어 사이클 수명이 감소되었다. 그러나, 부피 변화를 완화시켜주는 비활성 매트릭스 역할을 하는 구리를 주석 산화물 위에 코팅함으로 인해 부피 변화에 의한 용량 저하를 감소시킬 수 있었다.

무전해 동도금 Throwing Power (TP) 및 두께 편차 개선 (Improvement of the Throwing Power (TP) and Thickness Uniformity in the Electroless Copper Plating)

  • 서정욱;이진욱;원용선
    • 청정기술
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    • 제17권2호
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    • pp.103-109
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    • 2011
  • 전기도금의 seed layer를 형성하는 무전해 동도금 공정의 throwing power (TP)와 두께 편차를 개선하기 위한 공정 최적화 방법을 제시하였다. 실험계획법 (DOE)을 이용하여 가능한 모든 공정 인자들 가운데 TP와 두께 편차에 가장 큰 영향을 미치는 주요 인자를 파악해 보았다. 균일성을 가진 via filling을 위해서는 도금액 내의 Cu 이온의 농도를 높여주고 도금 온도를 낮추어 주는 것이 바람직한 것으로 판단되었으며 이는 표면 반응성의 측면에서 설명되었다. Kinetic Monte Carlo (MC) 모사가 이를 시각화하기 위해 도입되었으며 실험에서 관찰된 현상을 정성적으로 무리 없이 설명할 수 있었다. 실험계획법을 이용한 체계적인 실험과 이를 뒷받침하는 이론적인 모사가 결합된 본 연구의 접근법은 관련 공정에서 유용하게 활용될 수 있을 것이다.

Copper and Lead Concentrations in Water, Sediments, and Tissues of Asian Clams (Corbicula sp.) in Bung Boraphet Reservoir in Northern Thailand (2008)

  • Netpae, Tinnapan;Phalaraksh, Chitchol
    • Environmental Engineering Research
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    • 제15권1호
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    • pp.35-40
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    • 2010
  • Bung Boraphet is the largest freshwater reservoir in Thailand. This study examined the accumulation of copper (Cu) and lead (Pb) in water, sediment and tissues of Asian clams (Corbicula sp.) within Bung Boraphet to assess the possible polluting effect of soil erosion and the dissolution of water soluble salts from the Nan River. Samples were collected from 12 study sites within Bung Boraphet between February and December 2008. The physicochemical parameters of the water including temperature, pH, turbidity, ammonia nitrogen, nitrate nitrogen, orthophosphates, biochemical oxygen demand, dissolved oxygen, Cu, and Pb were measured. The water in Bung Boraphet was found to be medium clean according to the surface water quality standard of Thailand. The levels of Cu and Pb in the water were low but heavy metals were detected at higher levels in the sediment and tissues of Corbicula sp. In the near future, management practices and regulator approaches for Cu and Pb contamination will be needed to protect the water in Bung Boraphet.

RDS를 의한 Cu(110)와 산소가 흡착된 Cu(110) 표면에 Cu의 성장 모드 (The Growth Mode of Cu Atoms on Cu(110) and Oxygen-covered Cu(110) Surfaces by Reflectance Difference Spectroscopy)

  • 김상현
    • 한국진공학회지
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    • 제15권1호
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    • pp.45-49
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    • 2006
  • 깨끗한 Cu(110)와 산소가 흡착된 Cu(110) 표면에 Cu 성장에 의한 광학적 이방성의 변화를 RDS를 이용하여 연구하였다. 250K에서 Cu를 성장하면서 성장 모드와 산소의 계면활성제 효과를 확인하였다. 두 표면에 Cu를 성장하면서 4,25eV 봉우리의 규칙적인 변화를 확인하여 layer-by-layer 모드를 확인하였다.

차세대 반도체 표면 클리닝 기술들의 특성 및 전망

  • 이종명;조성호
    • 한국레이저가공학회지
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    • 제4권3호
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    • pp.22-29
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    • 2001
  • A development of new surface clwaning technol ogies such as laser and aerosol in paeallel with the improvement of conventional wet mwthods becomes more essential in semiconductor industry due the confrontation of new challenges such as significant device shrink, environmental foralum inum do not work for copper as a new interconnection material, and more effective cleaning tools are required with decreasing the feature size less than 0.13 ㎛ as well as increasing the wafer size from 200 ㎜ to 300 ㎜. In this article, various cleaning techniques increasing laser cleaning are compared methodolgically hi order to understand their unique characteristics such as advantages and disadvantages according to the current clean ing issues. In particular, the current state of art of laser technique for semiconductors md prospects as a try cleaning method are described.

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