Abstract
The changes in the optical anisotropy of the clean Cu(110) and the oxygen covered Cu(110) surfaces due to Cu growth have been studied by reflectance difference spectroscopy(RDS). We have monitored the growth mode of Cu atoms on Cu(110) and Cu(110)-(2XlO surfaces at 250K and checked the surfactant effect of oxygen during the Cu growth. For Cu grow on Cu(110) and Cu(110)-(2Xl)O surface at low temperature, we observed evidence for the layer-by-layer growth mode with change of 4.25eV peak intensity.
깨끗한 Cu(110)와 산소가 흡착된 Cu(110) 표면에 Cu 성장에 의한 광학적 이방성의 변화를 RDS를 이용하여 연구하였다. 250K에서 Cu를 성장하면서 성장 모드와 산소의 계면활성제 효과를 확인하였다. 두 표면에 Cu를 성장하면서 4,25eV 봉우리의 규칙적인 변화를 확인하여 layer-by-layer 모드를 확인하였다.