• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제45권5호
• /
• pp.82-87
• /
• 2008

본 논문은 고속 위상 고정이 가능한 새로운 듀얼 슬로프 위상고정루프를 제안한다. 기존의 듀얼 슬로프 위상고정루프는 각각 2개의 전하펌프와 위상 주파수 검출기로 구성되었다. 본 논문에서는 위상차에 따라 전하펌프의 전류를 조절해 하나의 전하펌프와 위상 주파수 검출기만으로 듀얼 슬로프 위상고정루프를 구현하였다. 제안된 회로는 $0.35{\mu}m$ CMOS 공정 파라미터 값으로 HSPICE 시뮬레이션을 수행하여 회로의 동작을 검증하였다. 제안된 듀얼 슬로프 위상고정루프의 위상 고정 시간은 $2.2{\mu}s$로 단일 슬로프 위상고정루프의 위상 고정 시간인 $7{\mu}s$보다 개선된 결과를 얻었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
• /
• pp.665-666
• /
• 2008

Inserted HTS (high temperature superconducting) coil is promisingly expected as a solution for achievement of higher fields such as GHz scale NMR magnet. However, HTS magnet causes persistent current decay in the persistent current mode and this decay should be compensated in order to keep stable magnetic field. As a solution for the decay in the HTS magnets, we proposed a new type superconducting power supply, i.e., linear type magnetic flux pump (LTMFP). The LTMFP mainly consists of DC bias coil, 3-phase AC coil and superconducting Nb foil. The compensating current in closed superconductive circuit can be easily controlled by the intensity of 3-phase AC current and its frequency. In this study, it has been investigated that the flux pump can effectively charge the current for various frequencies according to the different load magnets.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
• /
• pp.459-460
• /
• 2008

In this paper, a 10Gbps clock and data recovery circuit is designed in $0.18{\mu}m$ CMOS technology. The circuit incorporates a multiphase LC oscillator, a quarter-rate Bang-Bang phase detector, a charge pump and a second order loop filter. The simulation results show that the designed circuit has a peak-to-peak clock jitter of 4.2ps and a peak-to-peak recovered data jitter of 8ps while consuming about 80mW from a 1.8V supply.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2007년도 심포지엄 논문집 정보 및 제어부문
• /
• pp.197-198
• /
• 2007

In this paper, a 10Gbps Clock and Data Recovery circuit is designed in $0.18{\mu}m$ CMOS Technology. The circuit incorporates a multiphase LC oscillator, a quarter-rate Bang-Bang phase detector, a Charge Pump and a second order loop filter. The simulation results show that the designed circuit has a peak-to-peak clock jitter of 4.1ps and a peak-to-peak recovered data jitter of 8ps while consuming about 44mW from a 1.8V supply.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제45권1호
• /
• pp.56-63
• /
• 2008

본 논문에서는 WCDMA 통신용 송신기에 적용 가능한 12비트 1GS/s 전류구동 방식의 혼합형 DAC를 설계하였다. 제안된 DAC는 혼합형 구조로써 하위 4비트는 이진 가중치 구조, 중간비트와 상위비트는 4비트 온도계 디코더 구조로 12비트를 구성하였다. 제안된 DAC는 혼합형 구조에서 발생되는 지연시간에 따른 성능 저하를 개선하기 위해 지연시간보정 회로를 사용하였다. 지연시간보정 회로는 위상주파수 검출기, 전하펌프, 제어회로로 구성되어 이진 가중치 구조와 온도계 디코더 구조에서 발생하는 지연시간을 감소시킨다. 제안한 DAC는 CMOS $0.18{\mu}m$ 1-poly 6-metal n-well 공정을 사용하여 제작되었고 측정된 INL/DNL은 ${\pm}0.93LS/$ 0.62LSB 이하로 나타났다. 입력 주파수 1MHz에서 SFDR은 약 60dB로 측정되었고 SNDR은 51dB로 측정되었다. 단일 DAC의 전력소모는 46.2mW로 나타났다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
• /
• 제14권1호
• /
• pp.37-42
• /
• 2021

본 논문은 루프필터 전압 감지기와 주파수 전압 변환기를 이용하여 잡음 특성을 개선한 위상고정루프의 구조를 제안한다. 루프 필터 전압 변화는 저항과 커패시턴스로 구성된 회로에 의해서 출력이 결정된다. 시정수 값이 작은 회로를 지나는 신호는 루프 필터의 평균 출력 전압과 거의 같은 값을 가진다. 시정수 값이 큰 회로를 지나는 신호는 루프 필터 평균 출력 값을 가지며, 추가된 루프필터 전압 감지기에서 기준 신호가 된다. 루프필터 전압 감지기 출력은 보조 전하펌프의 전류 크기를 제어한다. 루프 필터 출력 전압이 상승하면 루프필터 전압 감지기는 루프 필터 출력 전압을 하강하게 하고, 또는 루프 필터 출력 전압이 하강하면 루프필터 전압 감지기는 루프 필터 출력 전압을 상승하게 한다. 또한 주파수 전압 변환기도 필터 출력 전압 변동 폭을 줄여주어 제안된 위상고정루프의 잡음 특성을 개선해준다. 제안된 위상고정루프는 1.8V 0.18㎛ CMOS 공정을 이용하여 설계한다. 시뮬레이션 결과는 0.854ps 지터와 30㎲ 위상 고정 시간을 보여준다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제11권12호
• /
• pp.2366-2373
• /
• 2007

본 논문에서는 $0.18{\mu}m$의 EEPROM cell을 사용하여 수동형 UHF RFID 태그 칩에 사용되는 저전력, 저면적의 1Kbits 비동기식 EEPROM IP를 설계하였다. 저면적 회로 설계 기술로는 $0.18{\mu}m$ EEPROM 공정을 이용하여 비동기식 EEPROM IP를 설계하므로 command buffer와 address buffer를 제거하였고 separate I/O 방식을 사용하므로 tri-state 데이터 출력 버퍼(data output buffer)를 제거하였다. 그리고 저전압(low voltage)의 VDD에서 EEPROM cell이 필요로 하는 고전압(high voltage)인 VPP와 VPPL 전압을 안정적으로 공급하기 위해 기존의 PN 접합 다이오드 대신 Schottky 다이오드를 사용한 Dickson 전하펌프를 설계하므로 전하펌프의 펌핑단(pumping stage)의 수를 줄여 전하펌프가 차지하는 면적을 줄였다. 저전력 회로 설계 기술로 Dickson 전하 펌프(charge pump)를 이용하여 VPP generator를 만들고 Dickson 전하펌프의 임의의 노드 전압을 이용하여 프로그램과 지우기 모드에서 각각 필요로 하는 VPPL 전압을 선택하도록 하게 해주는 VPPL 전원 스위칭 회로를 제안하여 쓰기전류(write current)를 줄이므로 저전력 EEPROM IP를 구현하였다. $0.18{\mu}m$ 공정을 이용하여 설계된 비동기식 EEPROM용 테스트 칩은 제작 중에 있으며, 비동기식 1Kbits EEPROM의 레이아웃 면적은 $554.8{\times}306.9{\mu}m2$로 동기식 1Kbits EEPROM에 비해 레이아웃면적을 11% 정도 줄였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제33권12호
• /
• pp.4063-4068
• /
• 2012

Oxide substrates in semiconductor-sensitized solar cells (SSSCs) have a great impact on their performance. $TiO_2$ has long been utilized as an oxide substrate, and other alternatives such as ZnO and $SnO_2$ have also been explored due to their superior physical properties over $TiO_2$. In the development of high-performance SSSCs, it is of significant importance to understand the effect of oxides on the electron injection and charge recombination as these two are major factors in dictating solar cell performance. In addition, elucidating the relationship between these two critical processes and solar cell performance in each oxide is critical in building up the basic foundation of SSSCs. In this study, ultrafast pump-probe laser spectroscopy and open-circuit decay analysis were conducted to examine the characteristics of three representative oxides ($TiO_2$, ZnO, and $SnO_2$) in terms of electron injection kinetics and charge recombination, and the implication of results is discussed.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
• /
• 제6권2호
• /
• pp.29-34
• /
• 2004

The linear type flux pump aims to compensate a little bit decremental persistent current of the HTS magnet in NMR and MRI spectrometers. The flux pump mainly consists of DC bias coil, 3-phase AC coil and Nb foil. The persistent current in closed superconductive circuit can be easily adjusted by the 3-phase AC current, its frequency and the DC bias current. In the experiment, it has been investigated that the flux pump can effectively charge the current in the load coil of 543 mH for various frequencies in 18 minutes under the DC bias of 10 A and the AC of 5 $A_{rms}$. The maximum magnitudes of pumping current and load magnet voltage are 0.72 A/min and 20 ㎷, respectively. Based on simulation results by the FEM are proved to nearly agree with experimental ones.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
• /
• pp.852-855
• /
• 2012

본 논문에서는 FN(Fowler-Nordheim) 터널링 방식에 의한 program 동작과 band-to-band 터널링 방식에 의한 erase 동작을 수행하는 EEPROM IP용 DC-DC converter를 설계하였다. 로직전압으로 $1.5V{\pm}10%$의 저전압을 사용하는 EEPROM IP용 DC-DC converter는 charge pump 회로의 pumping stage 수와 pumping capacitance를 줄이기 위해 입력 전압으로 VDD 대신 VRD(Read Voltage)을 전압을 사용하는 방식을 제안하였다. VRD($=3.1V{\pm}0.1V$)는 5V의 external supply voltage를 voltage regulator 회로를 이용하여 regulation된 전압이다. 설계된 DC-DC converter는 write 모드에서 VPP(=8V)와 VNN(=-8V)의 전압을 출력한다.