• 센서학회지
• /
• 제12권1호
• /
• pp.51-56
• /
• 2003

We describe a charge pump circuit using VCO (voltage controlled oscillator) for storing information into local memories in neural networks. The VCO is used for adjusting the output voltage of the charge pump to the reference voltage and for reducing the fluctuation generated by the clocking scheme. The charge pump circuit is simulated by using Hynix 0.35um CMOS process parameters. The proposed charge pump operates properly regardless to the temperature and the supply voltage variation.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
• /
• 제어로봇시스템학회 2005년도 ICCAS
• /
• pp.212-214
• /
• 2005

The charge-pump circuit which is used to generate higher voltage than the available supply voltage has wide applications such as the flash memory of EEPROM Because the demand for high voltage comes from physical mechanism such as the oxide tunneling, the required pumped voltage cannot be scaled as the power supply voltage is scaled. Therefore, an efficient charge-pump circuit that can achieve high voltage from the available low supply voltage is essential. A new Analog Switch p-well CMOS charge pump circuit without the MOS device body effect is processed. By improve the structure of the circuit's transistors to reduce the threshold voltage shift of the devices, the threshold voltage of the device is kept constant. So, the circuit electrical characteristics are higher output voltage within a shorter time than the conventional charge pump. The propose analog switch CMOS charge pump shows compatible performance of the ideal diode or Dickson charge pump.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
• /
• 제16권6호
• /
• pp.873-879
• /
• 2016

A charge pump circuit with very short turn-on time is presented for minimizing reference spurs in CMOS PLL frequency synthesizers. In the source switching charge pump circuit, applying proper voltages to the source nodes of the current source FETs can significantly reduce the unwanted glitch at the output current while not degrading the rising time, thus resulting in low spur at the synthesizer output spectrum. A 1.1-1.6 GHz PLL synthesizer employing the proposed charge pump circuit is fabricated in 65 nm CMOS. The current consumption of the charge pump is $490{\mu}A$ from 1 V supply. Compared to the conventional charge pump, it is shown that the reference spur is improved by dB through minimizing the turn-on time. Theoretical analysis is described to show that the measured results agree well with the theory.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
• /
• 대한전자공학회 2008년도 하계종합학술대회
• /
• pp.469-471
• /
• 2008

전하 펌프는 위상 고정 루프의 성능에 영향을 준다. 전하 펌프 설계에 있어서 전류 부정합, 전하 공유, 전하 주입, 누설 전류 등을 고려할 필요가 있다. 본 논문에서는 기존의 고속 전하 펌프의 전류 정합성을 개선한 새로운 전하 펌프 회로를 제안하였다. 전류 부정합을 줄이기 위해 주로 사용되는 간단한 방법으로는 캐스코드를 이용하여 전하 펌프의 출력 저항을 증가시키는 방법이 있다. 그러나 캐스코드 방법을 사용하면 전하펌프의 출력 범위에 제약을 받게 되므로 전원 전압이 낮아짐에 따라 적용하기가 힘들어진다는 단점이 있다. 따라서 본 논문에서는 캐스코드를 적용하지 않고 연산증폭기를 사용하여 전하펌프의 출력 범위 전체에서 우수한 전류 정합 특성을 갖는 회로를 제안하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
• /
• 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
• /
• pp.776-780
• /
• 2007

본 논문에서는 저전압 DRAM용 VPP Generator의 전하펌프회로(Charge Pump Circuit)를 새롭게 제안하였다. 제안된 전하펌프회로는 2-Stage 크로스 커플 전하펌프회로(Cross-Coupled Charge Pump Circuit)이다. 4개의 비중첩 클럭신호들을 이용하여 전하전달 효율을 향상시켰고, 각 전하펌프단 마다 Oscillation 주기를 줄일 목적으로 Distributed Clock Driver인 Inverter 4개를 추가하여 펌핑전류(Pumping Current)를 증가시켰다. 그리고 전하전달 트랜지스터의 게이트단에 프리차지회로 (Precharge Circuit)를 두어 대기모드진입 시 펌핑된 전하를 방전하지 못하고 고전압을 유지하여 소자의 신뢰성을 떨어트리는 문제를 해결하였다. 모의실험결과 펌핑전류, 펌핑효율(Pumping Efficiency), 파워효율(Power Efficiency) 모두 향상된 것을 확인하였고, $0.18{\mu}m$ Triple-Well 공정을 이용하여 Layout 하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
• /
• 제45권8호
• /
• pp.44-47
• /
• 2008

본 논문에서는 UWB PLL charge pump 의 충/방전 전류오차를 최소화하기 위한 회로를 제안하였다. Common-gate 와 Common-source 증폭기를 추가한 피드백 전압 조정기를 구성하여 높은 응답성을 가지는 charge pump를 설계하였다. 제안한 회로는 넓은 동작 영역을 갖으며, 낮은 전원 전압으로도 뛰어난 성능을 보인다. 본 회로는 1.2V 공급 전압과 IBM 0.13um CMOS 공정으로 집적되었다. 설계의 효율성을 평가하기 위해 참고 논문의 다른 회로와 성능을 대조하였다.

• 전력전자학회논문지
• /
• 제12권5호
• /
• pp.386-393
• /
• 2007

본 논문에서는 CIM(Current Injection Method)을 이용한 charge-pump방식의 plasma backlight용 고압 inverter회로를 제안한다. 고압 inverter에서 에너지 회수회로의 채용은 새로운 시도로서 에너지회수 이외에도 noise에 의한 시스템의 불안정성과 방전안정화에 기여하고 있다. charge-pump방식으로 스위치류의 내압을 저감하므로 cost면에서 매우 유리한 조건을 확립하였으며 CIM(Current Injection Method)방식의 적용으로 high speed 에너지 회수를 가능하게 하였다. 그리고 제안회로의 동작을 모드별로 해석하였으며, 실제 32" 패널에 적용하여 실험함으로써 제안한 회로의 유용성을 입증하였다.

• 한국전자통신학회논문지
• /
• 제6권1호
• /
• pp.118-122
• /
• 2011

플래시메모리의 쓰기나 소거 등의 프로그래밍 동작을 위해서는 각기 다른 고전압이 필요하며, 이를 위해서 차지펌프회로가 사용되어 왔다. 본 논문에서 제안되는 차지펌프회로는 VCO를 이용하여 외부에서 인가되는 기준전압과 차지펌프의 출력이 일치하도록 클락 주파수를 조절해줌으로서 공정에 의한 오차뿐만 아니라 차지펌프의 각 단을 구성하는 MOSFET의 바디효과에 관계없이 예측 가능한 출력을 발생하는 회로이다.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제2권2호
• /
• pp.267-273
• /
• 1998

본 논문에서는 charge pump 회로를 차동 전류 스위치 구조를 갖는 회로를 사용하여 설계하였다. charge pump 회로의 스위칭 속도를 향상시키기 위하여 CMOS 보다 스위칭 속도가 빠른 MESFET를 이용하여 회로를 설계하였다. 차동 전류 스위치 구조의 charge pump회로가 고주파수 대역에서 동작하는데 따른 회로의 성능 및 안정성 문제를 제시하고 분석하였다. 또한 charge pump 회로의 성능을 평가하기 위한 척도를 세부적으로 정의함으로써 charge pump의 성능을 표현하게 된다. 설계된 회로는 HSPICE 시뮬레이터를 사용하여 시뮬레이션 하였으며, 시뮬레이션 결과 본 논문에서 제시한 구조가 1GHz급의 charge pump 회로로 설계가 가능하다는 것을 알 수 있었다.

• Journal of information and communication convergence engineering
• /
• 제9권1호
• /
• pp.78-82
• /
• 2011

This paper proposes a new circuit for capacitive sensing based on Dickson's charge pump. The proposed touch sensing circuit includes three stages of NMOS diodes and capacitors for charge transfer. The proposed circuit which has a simplified capacitive touch sensor model has been analyzed and simulated by Spectre using Magna EDMOS technology. Looking from the simulation results, the proposed circuit can effectively be used as a capacitive touch sensing circuit. Moreover, a simple structure can provide maximum flexibility for making a digitally-controlled touch sensor driver with lowpower operations.