• 제목/요약/키워드: Capacitive touch sensor

검색결과 31건 처리시간 0.022초

A New Capacitive Sensing Circuit using Modified Charge Transfer Scheme

  • Yeo, Hyeop-Goo
    • Journal of information and communication convergence engineering
    • /
    • 제9권1호
    • /
    • pp.78-82
    • /
    • 2011
  • This paper proposes a new circuit for capacitive sensing based on Dickson's charge pump. The proposed touch sensing circuit includes three stages of NMOS diodes and capacitors for charge transfer. The proposed circuit which has a simplified capacitive touch sensor model has been analyzed and simulated by Spectre using Magna EDMOS technology. Looking from the simulation results, the proposed circuit can effectively be used as a capacitive touch sensing circuit. Moreover, a simple structure can provide maximum flexibility for making a digitally-controlled touch sensor driver with lowpower operations.

비선형성의 개선을 위한 Capacitive pressure sensor의 Touch mode 방식에 대한 유한요소 해석 (Finite Element Analysis of Capacitive pressure sensor with Touch mode for improving non-linearity)

  • 김도형;오재근;최범규
    • 대한전기학회:학술대회논문집
    • /
    • 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 C
    • /
    • pp.2087-2089
    • /
    • 2004
  • Capacitive pressure sensor는 Piezo type sensor에 비해 온도의 영향이 적어 공업계측, 전기용품 등 그 용도가 다양하여 폭넓게 사용되어지고 있지만, 측정값의 비선형성이 존재하여 측정값에 대한 신뢰도가 떨어지는 단점이 있다. 본 연구에서는 기존 capacitive pressure sensor의 비선형적 output을 개선하기 위한 방법으로 touch mode capacitive pressure sensor를 제안하였다. 또한, 실제 Device제작에 앞서 FEM 해석을 수행하였다. 2mm X 2mm 크기의 diaphragm, $25{\mu}m$의 두께, $20{\mu}m$의 gap을 갖는 Sensor를 Simulation하였으며 설계 변수를 추출하여 각각의 설계변수에 대한 해석을 실시하였다. 그 결과 15.2psi${\sim}$31psi의 영역에서 8.58pF${\sim}$54.31pF의 capacitance가 선형적으로 나타나는 sensor임을 확인하였다.

  • PDF

단일 a-InGaZnO 박막 트랜지스터를 이용한 정전용량 터치 화소 센서 회로 (Capacitive Touch Sensor Pixel Circuit with Single a-InGaZnO Thin Film Transistor)

  • 강인혜;황상호;백영조;문승재;배병성
    • 센서학회지
    • /
    • 제28권2호
    • /
    • pp.133-138
    • /
    • 2019
  • The a-InGaZnO (a-IGZO) thin film transistor (TFT) has the advantages of larger mobility than that of amorphous silicon TFTs, acceptable reliability and uniformity over a large area, and low process cost. A capacitive-type touch sensor was studied with an a-IGZO TFT that can be used on the front side of a display due to its transparency. A capacitive sensor detects changes of capacitance between the surface of the finger and the sensor electrode. The capacitance varies according to the distance between the sensor plate and the touching or non-touching of the sensing electrode. A capacitive touch sensor using only one a-IGZO TFT was developed with the reduction of two bus lines, which made it easy to reduce the pixel pitch. The proposed sensor circuit maintained the amplification performance, which was investigated for various drive conditions.

캘리브래이션 기능이 있는 RC지연 정전용량 방식 터치센서 설계 (A Design of Capacitive Sensing Touch Sensor Using RC Delay with Calibration)

  • 성광수;이무진
    • 조명전기설비학회논문지
    • /
    • 제23권8호
    • /
    • pp.80-85
    • /
    • 2009
  • 본 논문에서는 저항과 클록 주파수 변동에 의한 문제를 효과적으로 감소시킬 수 있는 풀 디지털 정전용량 방식의 터치키를 제안한다. 제안된 방식은 측정하고자 하는 정전용량 두 개와 두 정전용량 사이의 저항으로 구성되어 있으며, 각 정전용량과 저항의 지연을 각각 측정한 후 두 지연의 비를 구한다. 양자화 오차를 무시할 경우 두 지연의 비는 측정하고자 하는 두 정전용량의 비로 표시되어 저항 값과 클럭 주파수와 무관하다. 실험결과에서도 제안된 방법이 저항과 클록주파수에 의한 변동을 효과적으로 줄일 있음을 보였으며, 제안된 방법의 정전용량 해상도가 1.04[pF]여서 터치키로 사용될 수 있음을 보였다.

정전기식 입력 장치에서의 빠른 파일 관리를 위한 다중 손가락 튕김 인터페이스 설계 (Design of Multi-Finger Flick Interface for Fast File Management on Capacitive-Touch-Sensor Device)

  • 박세현;박태진;최윤철
    • 한국멀티미디어학회논문지
    • /
    • 제13권8호
    • /
    • pp.1235-1244
    • /
    • 2010
  • 최근 아이폰을 필두로 급부상하는 스마트폰의 정전기식 입력 장치에서는 펜 입력장치나 감압식 입력 장치를 위해 만들어진 제스처기반 인터페이스가 적합하지 않다. 손가락 튕김 인터페이스는 기존의 제스처기반 인터페이스에서 사용했던 플릭 제스처와 달리 명령을 적용시킬 대상과 명령을 동시에 선택함으로 작업 단계를 절반으로 감소시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 멀티터치 인터페이스와 병합하여 사용함으로 다양한 메뉴 지원이 가능하여 복잡한 제스처를 학습할 필요가 없고, 정전기식 입력 장치 장치에 사용하기 적합하여 입력 오류를 최소화 시킨다. 본 연구에서는 정전기식 입력 장치를 가지는 스마트 폰 장치에서의 파일 관리를 빠르게 해주는 다중 손가락 튕김 인터페이스를 설계하고 구현한다. 실험에서는 사용자 평가를 통해 제안하는 인터페이스가 정전기식 입력 장치에서 기존 방식보다 유용함을 증명한다.

넓은 다이내믹 레인지의 유연 촉각센서 적용을 위한 PVP 유전층과 PDMS 접착력 검증 (Verification of Bonding Force between PVP Dielectric Layer and PDMS for Application of Flexible Capacitive-type Touch Sensor with Large Dynamic Range)

  • 원동준;허명;김준원
    • 로봇학회논문지
    • /
    • 제11권3호
    • /
    • pp.140-145
    • /
    • 2016
  • In this paper, we fabricate arrayed-type flexible capacitive touch sensor using liquid metal (LM) droplets (4 mm spatial resolution). Poly-4-vinylphenol (PVP) layer is used as a dielectric layer on the electrode patterned Polyethylene naphthalate (PEN) film. Bonding tests between hydroxyl group (-OH) on the PVP film and polydimethylsiloxane (PDMS) are conducted in a various $O_2$ plasma treatment conditions. Through the tests, we can confirm that non-$O_2$ plasma treated PVP layer and $O_2$ plasma treated PDMS can make a chemical bond. To measure dynamic range of the device, one-cell experiments are conducted and we confirmed that the fabricated device has a large dynamic range (~60 pF).

표면 MEMS 기술을 이용한 고온 용량형 압력센서의 특성 (Characteristics of Surface Micromachined Capacitive Pressure Sensors for High Temperature Applications)

  • 서정환;노상수;김광호
    • 한국전기전자재료학회논문지
    • /
    • 제23권4호
    • /
    • pp.317-322
    • /
    • 2010
  • This paper reports the fabrication and characterization of surface micromachined poly 3C-SiC capacitive pressure sensors on silicon wafer operable in touch mode and normal mode for high temperature applications. FEM(finite elements method) simulation has been performed to verify the analytical mode. The sensing capacitor of the capacitive pressure sensor is composed of the upper metal and the poly 3C-SiC layer. Measurements have been performed in a temperature range from $25^{\circ}C$ to $500^{\circ}C$. Fabrication process of designed poly 3C-SiC touch mode capacitive pressure sensor was optimized and would be applicable to capacitive pressure sensors that are required high precision and sensitivity at high pressure and temperature.

터치키 응용을 위한 풀 디지털 정전용량 센서 (A Full Digital Capacitive Sensor for Touch Key Applications)

  • 성광수;이무진
    • 대한전자공학회논문지SD
    • /
    • 제46권6호
    • /
    • pp.25-30
    • /
    • 2009
  • 본 논문에서는 터치키에 응용할 수 있는 풀 디지털 방식의 정전용량 센싱 기법을 제안한다. 제안된 회로는 측정하고자 하는 정전용량 두 개와 두 정전용량 사이 저항으로 구성된다. 각 정전용량과 저항으로 지연을 측정한 후 두 지연의 차이로 측정하고자 하는 두 정전용량의 차이를 구하는 방식으로 동작전압, 온도, 습도와 같은 동작환경변화의 영향을 완화시킬 수 있는 장점이 있다. 실험결과 제안된 방식의 정전용량 해상도가 1.02pF이어서 터치키에 적용할 수 있음을 보였다.

A Compact Low-Power Shunt Proximity Touch Sensor and Readout for Haptic Function

  • Lee, Yong-Min;Lee, Kye-Shin;Jeong, Taikyeong
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
    • /
    • 제16권3호
    • /
    • pp.380-386
    • /
    • 2016
  • This paper presents a compact and low-power on-chip touch sensor and readout circuit using shunt proximity touch sensor and its design scheme. In the proposed touch sensor readout circuit, the touch panel condition depending on the proximity of the finger is directly converted into the corresponding voltage level without additional signal conditioning procedures. Furthermore, the additional circuitry including the comparator and the flip-flop does not consume any static current, which leads to a low-power design scheme. A new prototype touch sensor readout integrated circuit was fabricated using complementally metal oxide silicon (CMOS) $0.18{\mu}m$ technology with core area of $0.032mm^2$ and total current of $125{\mu}A$. Our measurement result shows that an actual 10.4 inches capacitive type touch screen panel (TSP) can detect the finger size from 0 to 1.52 mm, sharply.

저항과 클록 주파수 변동에 의한 문제를 감소시킨 풀 디지털 방식 정전용량 센싱 터치키 설계 (A Design of Full Digital Capacitive Sensing Touch Key Reducing The Effects Due to The Variations of Resistance and Clock Frequency)

  • 성광수
    • 조명전기설비학회논문지
    • /
    • 제23권4호
    • /
    • pp.39-46
    • /
    • 2009
  • 본 논문에서는 저항과 클록 주파수 변동에 의한 문제를 효과적으로 감소시킬 수 있는 풀 디지털 정전용량 방식의 터치키를 제안한다. 제안된 방식은 측정하고자 하는 정전용량 두 개와 두 정전용량 사이의 저항으로 구성되어 있으며, 각 정전용량과 저항의 지연을 각각 측정한 후 두 지연의 비를 구한다. 양자화 오차를 무시할 경우 두 지연의 비는 측정하고자 하는 두 정전용량의 비로 표시되어 저항 값과 클럭 주파수와 무관하다. 실험결과에서도 제안된 방법이 저항과 클록주파수에 의한 변동을 효과적으로 줄일 수 있음을 보였으며, 제안된 방법의 정전용량 해상도가 1.04[pF]여서 터치키로 사용될 수 있음을 보였다.