• 제목/요약/키워드: CMOS게이트

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W-CDMA 응용을 위한 전력과 면적에 효율적인 1:4 보간 저역통과 여파기 설계 (Design of a Power and Area Efficient 1:4 Interpolation FIR Filter for W-CDMA Applications)

  • 유근장;정정화
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제37권10호
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    • pp.73-81
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    • 2000
  • 본 논문은 분할된 look up table(LUT) 구조를 갖는 전력 소모 및 면적에 효율적인 보간 저역통과 여파기의 설계에 관한 것이다. 제안한 보간 여파기는 계수 대칭성과 LUT 데이터들이 대칭성을 이용하여 면적이 최소화된다. 최소의 면적으로 위상에 따라 분할된 LUT는 두개의 여파기가 공유하고 선택적으로 활성화됨으로써 저 전력 동작을 수행한다. 제안된 여파기는 5.0V 0.6${\mu}m$ CMOS 공정으로 설계되었으며 전력 소모 시뮬레이션은 Powermill을 사용하여 수행하였다. 기존에 제안된 여파기들과의 비교 실험 결과를 통하여 제안한 필터의 전력 소모는 26% 감소하였고 게이트 면적은 5% 감소하였음을 보인다.

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Nano CMOS소자를 위한 Ni-silicide의 Dopant 의존성 분석 (Dependence on Dopant of Ni-silicide for Nano CMOS Device)

  • 배미숙;지희환;이헌진;오순영;윤장근;황빈봉;왕진석;이희덕
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권11호
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    • pp.1-8
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    • 2003
  • 본 논문에서는 소스/드레인 및 게이트의 불순물에 따른 실리사이드의 의존성을 면저항과 단면 특성 등의 분석을 통하여 연구하였다. 급속 열처리 후에는 As, P, BF₂, B/sub 11/ 등과 같은 불순물에 대한 먼저항의 차이가 거의 나지 않았다. 하지만 실리사이드 형성 후히 고온 열처리시에 그 특성이 매우 크게 변화하였다. BF₂를 주입한 시편에서의 특성이 가장 좋게 나타난 반면, As를 주입한 실리사이드의 특성이 가장 열화되었다. BF₂를 주입한 시편에서의 실리사이드 특성 향상은 flourine에 의한 니켈의 확산 방지 때문인 것으로 여겨진다. 그러므로 실리사이드의 성능 향상을 위해 Ni의 확산을 방지시키는 것이 매우 필요하다.

SEED 알고리즘용 암호 보조 프로세서의 설계 (Design of Cryptographic Coprocessor for SEED Algorithm)

  • 최병윤
    • 한국통신학회논문지
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    • 제25권9B호
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    • pp.1609-1617
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    • 2000
  • 본 논문에서는 SEED 알고리즘을 구현하는 암호 보조 프로세서를 설계하였다. 속도 와 면적 사이의 상반 관계를 고려하여, 암호 보조 프로세서는 1 라운드 동작을 3개의 부분 라운도로 나누고, 클럭마다 하나의 부분 라운드를 수행하는 구조를 갖는다. 동작속도를 향상시키기 위해서 암호 및 복호 동작의 라운드 키를 온라인 사전 계산 기법을 사용하여 계산하였으며, 다양한 분야에 응용할 수 있도록 4가지 동작 모드를 지원한다. 그리고 데이터의 외부 입출력 동작에 따른 성능 저하 문제를 제거하기 위해, 암호 보조 프로세서의 암.복호 동작과 데이터의 입출력 동작을 병렬로 수행하는 방식을 사용하였다. 설계한 암호 보조 프로세서는 $0.25{\mu}m$ CMOS 공정으로 설계되었으며, 설계된 회로는 약 29,300개의 게이트로 구성되며, 100 Mhz 동작 주파수와 ECB 동작 모드 조건에서 약 237 Mbps의 암.복호율의 성능을 얻을 수 있었다.

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DGMOSFET에서 최적의 서브문턱전류제어를 위한 설계 (Design on Optimum Control of Subthreshold Current for Double Gate MOSFET)

  • 정학기;나영일;이종인
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.887-890
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    • 2005
  • DGMOSFET는 CMOS 스케일링의 확장 및 단채널 효과를 보다 효과적으로 제어할 수 있는 유망란 소자이다. 특히 20nm이하의 도핑되지 않은 Si 채널에서 단채널 효과를 제어하는데 가장 효과적이다. 본 논문에서는 DGMOSFET의 해석학적 전송모델을 제시할 것이다. 단채널 효과를 해석학적으로 분석하기 위해 Subthreshold Swing(SS), 그리고 문턱전압 roll-off(${\Delta}V_{th}$) 등을 이용하였다. 여기서 제시된 모델은 이온방출효과와 source-drain 장벽을 통해 캐리어들의 양자 터널링을 포함하여 해석할 것이다. 여기서 제시된 모델은 gate길이, 채널두께, 게이트 산화막 두께 등을 설계하는데 이용할 것이다.

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컴퓨터 비전 응용을 위한 VLIW 보조프로세서의 하드웨어 설계 (Hardware Design of VLIW coprocessor for Computer Vision Application)

  • 최병윤
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제18권9호
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    • pp.2189-2196
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    • 2014
  • 본 논문에서는 자동차용 컴퓨터 비전 알고리즘을 고속으로 처리하기 위해 VLIW 보조프로세서를 설계하였다. VLIW 보조프로세서는 8단 파이프라인 구조로 1개의 사이클에 4개의 명령을 처리할 수 있으며, 보행자 인식을 위한 36개의 정수 및 부동 소수점 명령어 집합을 갖고 있다. 프로세서는 45nm CMOS 공정에서 최대 동작 속도는 300-MHz이며 약 210,900 게이트로 구성되며 예상 연산 성능은 1.2 GOPS 이다. VPE와 8개의 VLIW 코어로 구성된 비전 프로세서 시스템은 25~29 FPS의 보행자 검출 성능을 가진다. VLIW 보조 프로세서는 높은 검출 속도와 호스트 프로세서와 느슨한 결합 특성으로 다양한 비전 분야에 응용 가능하다.

모바일 그래픽 응용을 위한 파이프라인 구조 특수 목적 연산회로의 하드웨어 설계 (Hardware Design of Pipelined Special Function Arithmetic Unit for Mobile Graphics Application)

  • 최병윤
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제17권8호
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    • pp.1891-1898
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    • 2013
  • 3차원 그래픽 API인 OpenGL과 Direct3D를 효율적으로 처리하기 위해 sine, cosine, 역수, 역제곱근, 지수 및 로그 연산을 처리하는 부동소수점 연산회로를 설계하였다. 고속 연산과 2 ulp 보다 작은 오차를 만족시키기 위해 2차 최대최소 근사 방식과 테이블 룩업 방식을 사용하였다. 설계된 회로는 65nm CMOS 표준 셀 조건에서 2.3-ns의 최대 지연시간을 갖고 있으며, 약 23,300 게이트로 구성된다. 최대 400 MFLOPS의 연산 성능과 높은 정밀도로, 설계한 연산회로는 3차원 모바일 그래픽 분야에 효율적으로 적용 가능하다.

공핍형 SOI MOSFET를 이용한 5GHz대역 저잡음증폭기 (A 5GHz-Band Low Noise Amplifier Using Depletion-type SOI MOSFET)

  • 김규철
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권10호
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    • pp.2045-2051
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    • 2009
  • SOI MOSFET를 이용하여 5GHz대역 저잡음 증폭기를 설계하였다. 잡음특성을 향상시키기 위해 공핍형 SOI-MOSFET를 사용하였고, 저전압에서 동작시키기 위해 소스접지와 게이트접지 증폭기를 연결한 2단형으로 설계 하였다. 제작된 LNA는 5.5GHz에서 이득이 21dB, S11이 -10dB이하, 소비전력 8.3mW의 결과를 얻었으며 잡음지수는 공핍형 저잡음 증폭기가 1.7dB로 일반형보다 0.3dB 개선된 결과를 얻을 수 있었다. 이 같은 결과로 공핍형 SOI MOSFET를 사용함으로써 보다 잡음특성이 우수한 CMOS LNA를 설계 할 수 있음을 확인하였다.

스마트카드 보안용 타원곡선 암호를 위한 GF($2^{163}$) 스칼라 곱셈기 (A GF($2^{163}$) Scalar Multiplier for Elliptic Curve Cryptography for Smartcard Security)

  • 정상혁;신경욱
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권10호
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    • pp.2154-2162
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    • 2009
  • 스마트카드 보안용 타원곡선 암호를 위한 스칼라 곱셈기를 설계하였다. 스마트카드 표준에 기술된 163-비트의 키 길이를 지원하며, 유한체 (finite field) 상에서 스칼라 곱셈의 연산량을 줄이기 위해 complementary receding 방식을 적용한 Non-Adjacent Format (NAF) 변환 알고리듬을 적용하여 설계되었다. 설계된 스칼라 곱셈기 코어는 0.35-${\mu}m$ CMOS 셀 라이브러리로 합성하여 32,768 게이트로 구현되었으며, 150-MHz@3.3-V로 동작한다. 설계된 스칼라 승산기는 스마트카드용 타원곡선 암호 알고리듬의 전용 하드웨어 구현을 위한 IP로 사용될 수 있다.

3차원 모바일 그래픽 응용을 위한 스캔 변환 프로세서의 설계 (Design of Scan Conversion Processor for 3-Dimensional Mobile Graphics Application)

  • 최병윤;하창수
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제11권11호
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    • pp.2107-2115
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    • 2007
  • 본 논문에서는 3개의 정점으로 표현된 삼각형을 화면 좌표, 깊이 좌표, 색 등의 픽셀 정보로 바꾸는 스캔 변환 프로세서를 설계하였다. 설계된 스캔 변환 회로는 삼각형 변을 따라 스팬 라인을 생성한 후, 스팬 라인을 픽셀로 변환하는 스캔 라인 방식을 사용하였다. 그리고 좌변-상변 픽셀 채움 규칙을 지원함에 의해서 인접한 삼각형의 공유 변에 대한 픽셀이 중복 처리와 미처리 되는 것을 방지한다. 스캔 변환 프로세서 는 약 21,400개의 게이트로 구성되며, $0.35{\mu}m$ CMOS 공정 조건에서 약 80 Mhz의 동작 주파수를 가진다. 스캔 변환 프로세서는 최대 80 Mpixels/sec의 픽셀 생성 율을 갖고 있어 3차원 모바일 그래픽 분야에 적용 가능하다.

Video SoC를 위한 고성능 ME/MC IP의 설계 (Design of High-Performance ME/MC IP for Video SoC)

  • 서영호;최현준;김동욱
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제12권9호
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    • pp.1605-1614
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    • 2008
  • 본 논문은 비디오 압축을 고성능으로 수행하기 위한 움직임 예측(motion estimation, ME) 및 보상(compensation, MC) 알고리즘의 VLSI 구조를 제안하고 하드웨어로 구현하였다. 움직임 예측을 계산하기 위해서는 일반적으로 SAD 결과를 이용하게 되는데 이를 위하여 새로운 연산방법을 제안하였다. 제안한 SAD 연산방법으로 인해 연산의 효율성이 증대되고 메모리의 사용을 줄임으로써 ME/MC의 성능을 높였다. 제안한 ME/MC 하드웨어는 TSMC 90nm HVT CMOS 공정으로 구현하였다. 구현된 하드웨어는 약 33만 게이트를 점유하였고, 143MHz의 클록 주파수에서 안정적으로 동작하였다.