한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.982-985
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2007
The authors report methods of fabrication singlelayer color cholesteric liquid crystal displays (CLCDs). A single-layer CLCD has been prepared from a polymerstabilized cholesteric liquid crystal. The unique feature of the polymer stabilization is in that the electrically switched colors preserve high reflectivity. A bistable single-layer CLCD has been prepared by the formation of polymer barrier walls and light-tuned cholesteric pitches to reflect blue, green and red color sub-pixels.
한국광학회 1989년도 제4회 파동 및 레이저 학술발표회 4th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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pp.107-112
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1989
We observe experimentally self-pulsing, subharmonic generation, spectral bistability, and chaos in a stable laser diode with delayed optoelectronic feed-back. The laser diode emits 200 ps optical pulses with 1.1 GHz repetition rate in the self-pulsing region. The bistable region critically depends on the closed loop gain of the system. We also explain observed experimental result.
A non-volatile resistive random access memory (RRAM) device with a Cr-doped $SrZrO_3/SrRuO_3$ bottom electrode heterostructure was fabricated on $SrTiO_3$ substrates using pulsed laser deposition. During the deposition process, the substrate temperature was $650^{\circ}C$ and the variable ambient oxygen pressure had a range of 50-250 mTorr. The sensitive dependences of the film structure on the processing oxygen pressure are important in controlling the bistable resistive switching of the Cr-doped $SrZrO_3$ film. Therefore, oxygen pressure plays a crucial role in determining electrical properties and film growth characteristics such as various microstructural defects and crystallization. Inside, the microstructure and crystallinity of the Cr-doped $SrZrO_3$ film by oxygen pressure were strong effects on the set, reset switching voltage of the Cr-doped $SrZrO_3$. The bistable switching is related to the defects and controls their number and structure. Therefore, the relation of defects generated and resistive switching behavior by oxygen pressure change will be discussed. We found that deposition conditions and ambient oxygen pressure highly affect the switching behavior. It is suggested that the interface between the top electrode and Cr-doped $SrZrO_3$ perovskite plays an important role in the resistive switching behavior. From I-V characteristics, a typical ON state resistance of $100-200\;{\Omega}$ and a typical OFF state resistance of $1-2\;k{\Omega}$, were observed. These transition metal-doped perovskite thin films can be used for memory device applications due to their high ON/OFF ratio, simple device structure, and non-volatility.
유전 알고리즘에서 개체군은 지역 최적치에 빠질 수 있지만 긴 지속시간이 지난 후에는 여기에서 빠져나을 수 있으며 이러한 현상을 단속평형 (punctuated equilibrium)이라고 한다. 자연계나 컴퓨터 생태계 (computational ecosystems) 에서 관찰되는 단속평형은 확산 방정식 (diffusion equation)으로 잘 설명된다. 본 연구에서는 단순 유전 알고리즘을 이론적으로 분석하여 개체군의 움직임이 확산 방정식으로 표현될 수 있다는 것을 보인다. 또한 적합도 (fitness) 함수를 단위화 (unitation) 함수로 국한하면 이 분석을 더 구체화하여 유전 알고리즘의 주요 변수들이 이 방정식에 나타나도록 할 수 있다. 이 경우 확산 방정식에 대한 이론적 결과를 이용하면 지역 최적치에서 빠져 나오기까지의 지속시간이 개체군의 크기, 1/(돌연변이 확률), 그리고 지역 최적치의 깊이에 대해 지수적으로 증가한다는 것을 알 수 있다. 이러한 이론적 결과는 이중안정 지형 (bistable landscapes)에서의 시뮬레이션 결과와 일치한다.
Fe(100)/MgO(100)/CuPc/Co 자성터널접합 소자의 온도에 따른 전압-전류 특성 변화를 관찰하였다. 화학적 열적 안정성이 비교적 우수한 Cu-Phthalocyanine(CuPc)의 유기박막을 에피성장된 2 nm MgO(100) 박막 위에 2~10 nm 두께로 적층하여 두 강자성 Fe(100)와 Co 전극 사이의 무기-유기 복합 절연격벽으로 이용하였다. 저온 77 K에서 측정된 거대자기저항현상은 CuPc의 두께가 증가함에 따라 급격히 감소하여 10 nm의 CuPc 두께의 경우 전하축적에 의한 쌍안정 스위칭 거동(bistable switching behavior)이 관찰되었다. 이 스위칭 거동은 약 240 K의 온도에 이르면서 점차 소멸되어 상온에서는 정류기와 유사한 비대칭적 전압-전류 특성을 보였다. 이 연구에서 우리는 MgO/CuPc 층상구조에대해 유기물 스핀소자의 절연격벽뿐만 아니라 Polymer Random Access Memory(PoRAM)를 위한 응용 가능성에 대해 논하였다.
In this paper, we propose a new nonvolatile unit memory cell and proposal peripheral circuit using the polymer material. Memory that relies on bistable behavior- having tow states associated with different resistances at the same applied voltage - has attracted much interest because of its nonvolatile properties. Such memory may also have other merits, including simplicity of structure and manufacturing, and the small size of memory cells. We have plotted the load line graphs for the use of a polymer memory character, hence we have designed in the band-gap reference shape of a write/erase drive, and then designed in the 2-stage differential amplifier shape of a sense amplifier in the consideration of a low current characteristic of a polymer memory cell. The simulation result shows that is has high gain about 80dB by sensing the very small current.
최근 불안정한 세계 경제상황으로 인해 에너지의 효율문제가 대두되고 있다. 본 논문에서 제안된 시스템은 화면의 내용을 갱신할 때만 전원이 필요하고 표시된 화면을 유지할 때는 전원을 전혀 사용하지 않는 시스템으로 효율적인 면에서 상당히 유리하다. 영구자석 볼은 극에 따라 흰색과 검은색으로 도색되어 있고 아래에 위치한 또 하나의 영구 자석의 자화 상태에 의해 그 상태가 바뀌는 구조로 되어있다. 본 논문에서는 이러한 시스템을 해석하기 위하여 3차원 유한요소법을 사용하였다.
Two-dimensional numerical simulations are conducted at a low Reynolds number Re = 100 to investigate the near wake of three identical circular cylinders that are arranged in an equilateral triangular configuration. The incident angle of the three-cylinder configuration with respect to incoming flow is varied from θ = 0° to 60°, while the spacing between adjacent cylinders (L) covers a wide range of L/D = 1.25-7.0, where D is diameter of the cylinder. Typical flow structures in the near wake of the three-cylinder configuration are identified, including a single Karman vortex street, bistable flip-flopping near wake, anti-phase and/or in-phase vortex shedding, shear layer reattachment, and vortex impingement, depending on the configuration (L/D, θ). The behavior of Strouhal number (St) is discussed in detail, echoing the distinct structures of near wake. Furthermore, fluid forces on the individual cylinders are examined, which, though highly depending on (L/D, θ), exhibit a close correlation to the near wake behavior.
전압제어형 부성저항소자를 사용하여 말티바이브레이터를 설계할 경우의 안정점 설정과 회로동작 안정성에 관하여 논한다. 즉 직류적으로 한개 혹은 두개의 안정점을 가지도록 설계된 회로가 일시적 흑은 영구적 발진을 일으키는 현상에 대하여 아나로그 계산기의 모의에 의하여 해석하고, 실험적으로 확인함으로써, 부성저항스윗칭회로 설계상의 유의점을 제시한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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