• 제목/요약/키워드: 0.13 um

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CIS 응용을 위해 제한된 폭을 가지는 10비트 50MS/s 저 전력 0.13um CMOS ADC (A 10b 50MS/s Low-Power Skinny-Type 0.13um CMOS ADC for CIS Applications)

  • 송정은;황동현;황원석;김광수;이승훈
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제48권5호
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    • pp.25-33
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    • 2011
  • 본 논문에서는 CIS 응용을 위해 제한된 폭을 가지는 10비트 50MS/s 0.13um CMOS 3단 파이프라인 ADC를 제안한다. 통상 CIS에 사용되는 아날로그 회로에서는 수용 가능한 조도 범위를 충분히 확보하기 위해 높은 전원전압을 사용하여 넓은 범위의 아날로그 신호를 처리한다. 그 반면, 디지털 회로에서는 전력 효율성을 위해 낮은 전원전압을 사용하므로 제안하는 ADC는 해당 전원전압들을 모두 사용하여 넓은 범위의 아날로그 신호를 낮은 전압 기반의 디지털 데이터로 변환하도록 설계하였다. 또한 2개의 잔류 증폭기에 적용한 증폭기 공유기법은 각 단의 증폭동작에 따라 전류를 조절함으로써 증폭기의 성능을 최적화 하여 전력 효율을 더욱 향상시켰다. 동일한 구조를 가진 3개의 FLASH ADC에서는 인터폴레이션 기법을 통해 비교기의 입력 단 개수를 절반으로 줄였으며, 프리앰프를 제거하여 래치만으로 비교기를 구성하였다. 또한 래치에 입력 단과 출력 단을 분리하는 풀-다운 스위치를 사용하여 킥-백 잡음으로 인한 문제를 최소화하였다. 기준전류 및 전압회로에서는 온-칩 저 전력 전압구동회로만으로 요구되는 정착시간 성능을 확보하였으며, 디지털 교정회로에는 신호특성에 따른 두 종류의 레벨-쉬프트 회로를 두어 낮은 전압의 디지털 데이터가 출력되도록 설계하였다. 제안하는 시제품 ADC는 0.35um thick-gate-oxide 트랜지스터를 지원하는 0.13um CMOS로 제작되었으며, 측정된 DNL 및 INL은 10비트에서 각각 최대 0.42LSB, 1.19LSB 수준을 보이며, 동적 성능은 50MS/s 동작속도에서 55.4dB의 SNDR과 68.7dB의 SFDR을 보인다. 시제품 ADC의 칩 면적은 0.53$mm^2$이며, 2.0V의 아날로그 전압, 2.8V 및 1.2V 등 두 종류의 디지털 전원전압에서 총 15.6mW의 전력을 소모한다.

Oidium sp.에 의한 잠두 흰가루병 발생 (Powdery Mildew on Broad Bean (Vicia faba) Caused by Oidium sp. in Korea)

  • 권진혁;강수웅;박창석
    • 식물병연구
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    • 제7권2호
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    • pp.120-122
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    • 2001
  • 2001년 5월 하순 경상남도 남해군 창선면 잠두 재배포장에서 흰가루병이 발생하여 병징과 병원균의 형태등을 조사하였다. 병징은 이병및 앞 뒷면과 잎자루에 전형적인 흰가루 모양의 균총이 많이 형성되었고, 잎이 황화되고 갈색 또는 암갈색으로 되며 결국 말라죽는다. 분생포자는 분생자병의 끝에 형성되고 단상으로 원통형의 무색, 단포이다. 크기는 29~45$\times$13~23 um(평균. 36~18 um)이며, Fibrosin body는 없었다 분생자병은 3~4개의 격막으로 되어있고, 크기는 28~100$\times$6~l0 um(평균. 70~8 um)이었으며, Foot cell의 크기는 28~53$\times$7~10 um(평균. 39$\times$8 um)이었다. 부착기는 가느다란 실모양이었다. 이상과 같은 결과로 보아 Oidium sp.에 의한 잠두 횐가루병으로 동정되었기에 국내에서 처음 확인된 새로운 병으로 보고한다.

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세그먼트 부분 정합 기법 기반의 10비트 100MS/s 0.13um CMOS D/A 변환기 설계 (A 10b 100MS/s 0.13um CMOS D/A Converter Based on A Segmented Local Matching Technique)

  • 황태호;김차동;최희철;이승훈
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제47권4호
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    • pp.62-68
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    • 2010
  • 본 논문에서는 주로 소면적 구현을 위하여 세그먼트 부분 정합 기법을 적용한 10비트 100MS/s DAC를 제안한다. 제안하는 DAC는 비교적 적은 수의 소자로도 요구되는 선형성을 유지하면서 고속으로 부하저항의 구동이 가능한 세그먼트 전류 구동방식 구조를 사용하였으며, 제안하는 세그먼트 부분 정합 기법을 적용하여 정합이 필요한 전류 셀들의 숫자와 크기를 줄였다. 또한, 전류 셀에는 작은 크기의 소자를 사용하면서도 높은 출력 임피던스를 얻을 수 있도록 이중-캐스코드 구조를 채용하였다. 시제품 DAC는 0.13um CMOS 공정으로 제작되었으며, 유효 면적의 크기는 $0.13mm^2$이다. 시제품 측정 결과, 3.3V의 전원전압과 $1V_{p-p}$의 단일 출력 범위 조건에서 $50{\Omega}$의 부하저항을 구동할 때 DNL 및 INL은 각각 -0.73LSB, -0.76LSB 수준이며, SFDR은 100MS/s의 동작 속도에서 최대 58.6dB이다.

0.5V까지 재구성 가능한 0.8V 10비트 60MS/s 19.2mW 0.13um CMOS A/D 변환기 (A Re-configurable 0.8V 10b 60MS/s 19.2mW 0.13um CMOS ADC Operating down to 0.5V)

  • 이세원;유시욱;이승훈
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권3호
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    • pp.60-68
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    • 2008
  • 본 논문에서는 10비트 해상도를 가지면서 0.5V부터 1.2V까지의 전원 전압에서 10MS/s 이상 100MS/s 까지 재구성이 가능한 저전력 2단 파이프라인 ADC를 제안한다. 제안하는 ADC는 0.5V의 전원 전압 조건에서도 10비트 해상도를 얻기 위해 입력단 SHA 회로에는 낮은 문턱 전압을 가지는 소자를 사용한 게이트-부트스트래핑 기법 기반의 샘플링 스위치를 사용하였으며, SHA 회로와 MDAC 회로에 사용된 증폭기에도 넓은 대역폭을 얻기 위해 입력단에는 낮은 문턱 전압을 가지는 소자를 사용하였다. 또한 온-칩으로 집적된 조정 가능한 기준 전류 발생기는 10비트의 해상도를 가지고, 넓은 영역의 전원 전압에서 동작할 수 있도록 증폭기의 정적 및 동적 성능을 최적화시킨다. MDAC 회로에는 커패시터 열의 소자 부정합에 의한 영향을 최소화하기 위해서 인접신호에 덜 민감한 전 방향 대칭 구조의 레이아웃 기법을 제안하였다. 한편, flash ADC 회로 블록에는 비교기에서 소모되는 전력을 최소화하기 위해 스위치 기반의 바이어스 전력 최소화 기법을 적용하였다. 시제품 ADC는 0.13um CMOS 공정으로 제작되었으며, 측정된 최대 DNL 및 INL은 각각 0.35LSB 및 0.49LSB 수준을 보인다. 또한, 0.8V의 전원 전압 60MS/s의 동작 속도에서 최대 SNDR 및 SFDR이 각각 56.0dB, 69.6dB이고, 19.2mW의 전력을 소모하며, ADC의 칩 면적은 $0.98mm^2$이다.

연두금파리의 발생에 따른 cyclic AMP, cyclic AMP-Dependent Protein Kinase, Ecdysteroids의 변화 (Wariations in cyclic AMP, cyclic AMP-Dependent Protein Kinase and Ecdysteroids during Development of the Blowfly, Lucilia illustris)

  • 김유경;류진수이경로
    • 한국동물학회지
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    • 제37권4호
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    • pp.565-572
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    • 1994
  • 연두금파리의 유충-번데기-성충의 발생에 따른 cyclic AMP(CAMP)와 ecdysteroids의 농도 및 cyclic AMP-dependent protein kinase(PKA)의 활성도를 High Performance Liquid Chromatography(HPLC)와 Liquid Scintillation Counter(LSC)를 이용하여 측정하고 상관 기능 변화를 조사하였다. CAMP의 농도와 PKA의 활성도는 종령유충 및 성충에서 낮은 갓(0.29 UM/g, 5.52~5.59 unit/mg)을 나타내었고 번데기 0일(0.49 UM/g. 92.22 unit/mg)과 7일(0.50UM/g, 24.45 unit/mg)에서 최고치를 보였으며 번데기 4일에서 최저수준(0.13 $\mu$M/g3.23 unit/mg)을 나타내었다. Ecdysone 농도는 번데기 2일에 최고치(37 84 USlg)를 4일에 최저치(18.46 Ugyg)를 보인 후, 5일에 24.37 1519로 상승하였으며 성충에서는 낮은 값을 나타내었다 그러나 20-hydroxvecdysone 농도는 번데기 4일(23.66 UgyS)과 번데기 6일(14.90 Ugyg)에 최고치를 이루었고, 7일에서 최저치(1.21 USi9)를 나타내었다.

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MEMS 용량형 센서를 위한 CMOS 스위치드-커패시터 인터페이스 회로 (A CMOS Switched-Capacitor Interface Circuit for MEMS Capacitive Sensors)

  • 주민식;정백룡;최세영;양민재;윤은정;유종근
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2014년도 추계학술대회
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    • pp.569-572
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    • 2014
  • 본 논문에서는 MEMS 용량형 센서를 위한 CMOS 스위치드-커패시터 인터페이스 회로를 설계하였다. 설계된 회로는 커패시턴스-전압 변환기(CVC), 2차 스위치드 커패시터 ${\Sigma}{\Delta}$ 변조기 및 비교기로 구성되어있다. 또한 일정한 바이어스를 공급해주는 바이어스 회로를 추가하였다. 전체적인 회로의 저주파 잡음과 오프셋을 감소시키기 위하여 Correlated-Double-Sampling(CDS) 기법과 Chopper-Stabilization(CHS) 기법을 적용하였다. 설계 결과 CVC는 20.53mV/fF의 민감도와 0.036%의 비선형성특성을 보였으며, ${\Sigma}{\Delta}$ 변조기는 입력전압 진폭이 100mV가 증가할 때, 출력의 듀티 싸이클은 약 5%씩 증가하였다. 전체회로의 선형성 에러는 0.23% 이하이며, 전류소모는 0.73mA이다. 제안된 회로는 0.35um CMOS 공정을 이용하여 설계되었으며, 입력전압은 3.3V이다. 설계된 칩의 크기는 패드를 포함하여 $1117um{\times}983um$ 이다.

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개불, Urechis unicinctus 유생의 빠른 착저를 위한 유인물질 (Stimulation for Rapid Settlement of the Larvae of the Marine Echiuran Urechis unicinictus)

  • 최상덕;김호진;라성주;서해립;홍성윤
    • 한국양식학회지
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    • 제13권2호
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    • pp.175-179
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    • 2000
  • 본 연구에서는 개불, Urechis unicinctus의 유생에 대한 착저유인물질(UM)의 영향, 개불유생의 착저반응의 선택성 실험, UM의 온도변화에 대한 효율성 실험을 하였다. UM에 노출된 개불의 유생은 빠르고 안전하게 착저반응을 보였으며, 이와는 대조적으로 해수와 고막의 체액, 개불의 혈액에 대하여는 착저반응을 나타내지 않았다. 온도변화에 따른 UM의 안정성을 조사한 결과 7$0^{\circ}C$이상으로 가열한 UM은 착저유인효과가 상실하였다. 그러나 60$^{\circ}$이하의 상태에서는 UM의 효율성이 유지되었다. 따라서 개불서식지의 자연환경 조건을 고려해 볼 때 UM의 효율성은 유지될 것으로 추정된다.

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DMB 응용을 위한 10b 25MS/s $0.8mm^2$ 4.8mW 0.13um CMOS A/D 변환기 (A 10b 25MS/s $0.8mm^2$ 4.8mW 0.13um CMOS ADC for Digital Multimedia Broadcasting applications)

  • 조영재;김용우;이승훈
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제43권11호
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    • pp.37-47
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    • 2006
  • 본 논문에서는 Digital Video Broadcasting (DVB), Digital Audio Broadcasting (DAB) 및 Digital Multimedia Broadcasting (DMB) 등과 같이 저전압, 저전력 및 소면적을 동시에 요구하는 고성능 무선 통신 시스템을 위한 10b 25MS/s $0.8mm^2$ 4.8mW 0.13um CMOS A/D 변환기 (ADC)를 제안한다. 제안하는 ADC는 요구되는 해상도 및 속도 사양을 만족시키면서 동시에 면적 및 전력 소모를 최소화하기 위해 2단 파이프라인 구조를 사용하였으며, 스위치 기반의 바이어스 전력 최소화 기법(switched-bias power reduction technique)을 적용하여 전체 전력 소모를 최소화하였다. 입력단 샘플-앤-홀드 증폭기는 낮은 문턱전압을 가진 트랜지스터로 구성된 CMOS 샘플링 스위치를 사용하여 10비트 이상의 해상도를 유지하면서, Nyquist rate의 4배 이상인 60MHz의 높은 입력 신호 대역폭을 얻었으며, 전력소모를 최소화하기 위해 1단 증폭기를 사용하였다. 또한, Multiplying D/A 변환기의 커패시터 열에는 소자 부정합에 의한 영향을 최소화하기 위해서 인접신호에 덜 민감한 3차원 완전 대칭 구조의 커패시터 레이아웃 기법을 제안하며, 기준 전류 및 전압 발생기는 온-칩으로 집적하여 잡음을 최소화하면서 필요시 선택적으로 다른 크기의 기준 전압을 외부에서 인가할 수 있도록 설계하였다. 또한, 다운 샘플링 클록 신호를 사용하여 바이어스 전류를 제어함으로써 10비트의 해상도에서 응용 분야에 따라서 25MS/s 뿐만 아니라 10MS/s의 동작 속도에서 더 낮은 전력 사용이 가능하도록 하였다. 제안하는 시제품 ADC는 0.13um 1P8M CMOS 공정으로 제작되었으며 측정된 최대 DNL 및 INL은 각각 0.42LSB 및 0.91LSB 수준을 보인다. 또한, 25MS/s 및 10MS/s의 동작 속도에서 최대 SNDR 및 SFDR이 각각 56dB, 65dB이고, 전력 소모는 1.2V 전원 전압에서 각각 4.8mW, 2.4mW이며 제작된 ADC의 칩 면적은 $0.8mm^2$이다.

LED 구동 IC를 위한 레벨 시프터 방식의 전하펌프 회로 설계 (Design of a Charge Pump Circuit Using Level Shifter for LED Driver IC)

  • 박원경;박용수;송한정
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제26권1호
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    • pp.13-17
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    • 2013
  • In this paper, we designed a charge pump circuit using level shifter for LED driver IC. The designed circuit makes the 15 V output voltage from the 5 V input in condition of 50 kHz switching frequency. The prototype chip which include the proposed charge pump circuit and its several internal sub-blocks such as oscillator, level shifter was fabricated using a 0.35 um 20 V BCD process technology. The size of the fabricated prototype chip is 2,350 um ${\times}$ 2,350 um. We examined performances of the fabricated chip and compared its measured results with SPICE simulation data.

온 칩 수정발진기를 위한 CMOS 온도 제어회로 (A CMOS Temperature Control Circuit for Direct Mounting of Quartz Crystal on a PLL Chip)

  • 박철영
    • 한국산업정보학회논문지
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    • 제12권2호
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    • pp.79-84
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    • 2007
  • 본 논문에서는 CMOS를 이용한 온도 제어회로를 MOSIS의 0.25um-3.3V CMOS 설계규칙에 따라 설계하고 SPICE 시뮬레이션과 실험을 통하여 성능을 검토하였다. 설계된 회로는 $0^{\circ}C{\sim}150^{\circ}C$의 온도 범위에 대하여 출력 전압이 약 $13mV/^{\circ}C$로 변화하며 좋은 온도 선형성을 나타내었다. 또한, 바이어스 전압을 변화시키면 온도변화에 대한 출력전압의 변화량을 조정할 수 있다. 제안된 회로는 온 칩 수정발진회로의 설계 등에 유용하게 사용될 수 있을 것으로 기대된다.

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