• 대한기계학회:학술대회논문집
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• 대한기계학회 2005년도 창립60주년 기념 추계 학술대회
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• pp.42.1-42.1
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• 2005

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.151-151
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• 2003

최근 휴대폰용 LCD, 컴퓨터용 TFT LCD, 가정용 PDP 등 평판 디스플레이 산업의 발달에 힘입어 평판 디스플레이 장치의 구동 칩 실장 부품인 TCP(tape carrier package), COF(chip on film) 제조 산업 또한 발전하고 있다. 이들 TCP, COF는 디스플레이 장치의 경박화에 따라 보다 가는 선폭의 회로가 요구되어지는데 이를 위해 회로를 구성하는 기본소재로 얇은 두께의 동박이 사용된다. 회로기판용 동박으로는 압연동박과 전해동박이 함께 사용되어 왔으나 박막의 제조가 어려운 압연동박의 단점과 면에 수직한 주상정 조직이 발달해 있어 일반 압연 동박에 비해 접착력이 뛰어나며 전류밀도 또는 티타늄 음극 드럼 회전 속도를 조절하여 두게 조절이 용이한 전해동박의 장점으로 인해 현재 압연동박의 전해동박으로의 대체가 증가하고 있다. 전해동박의 제조공정은 크게 제박 공정과 후처리 공정으로 나눌 수 있다. 전해동박은 먼저 드럼형태의 티타늄 음극과 불용성 납 양극으로 이루어진 제박기에 고 전류를 가하여 황산구리 용액 중 구리를 티타늄 음극에 석출시킴으로서 구리 원박을 제조한 후 접착력 향상을 위한 노듈 형성, 방식, 방청, 내열성 향상 등을 위한 여러 개의 단위 셀 조합으로 이루어진 후처리 공정을 거쳐 제조된다.

• 한국진공학회지
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• 제6권1호
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• pp.20-27
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• 1997

0.25$\mu\textrm{m}$이하의 최소선폭을 같는 초고집적회로에 사용할 수 있는 구리박막의 형성기술 을 조사하였다. 본 실험에서는 측면박막 형성에 적합한 화학적 증착을 시도하였으며 (hfac)Cu(VTMS)(hexafluoroacetylacetonate vinyltrimethylisilane copper(I))로 명명된 금속 유기 화합물을 원료로 사용하였다. 구리박막의 형성은 TiN와 $SiO_2$모재 위에 이루어 졌으며, 형성 중에 모재의 온도와 증착용기 내 압력의 함수로서 집적회로 공정상 주요 변수인 박막 의 비저항, 박막의 증착선택도를 측정하였다. 구리박막은 모재온도 $180^{\circ}C$와 증착용기의 압력 0.6Torr의 조건에서 가장 좋은 전기적 성질을 보여 주었다. 이 조건에서 형성된 구리박막은 다결정 구조를 나타내었으며 구리박막의 증착속도는 120nm/min, 비저항은 0.25$mu \Omega$.cm, 평균거칠기는 15.5nm로서 0.25$\mu\textrm{m}$이하 선폭의 집적회로에서 요구되는 전기적, 재료적 사양에 근접한 구리박막을 얻었다. 또한 140-$250^{\circ}C$의 모재 온도 범위에서 TiN모재와 $SiO_2$모재 사 이에 뚜렸한 증착선택성이 관측되었다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제17권6호
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• pp.11-16
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• 2004

지난 40여년간의 반도체 집적 공정의 발전에 있어서 무어(Moore)의 법칙에 의한 소자의 미세화를 달성하기 위하여, 광리소그래피(optical lithography) 기술은 꾸준히 발전하여 왔으며, 소자의 선폭이 나노스케일인 공정에서 역시, 소자 제조의 핵심기술은 리소그래피 기술을 이용한 회로의 패터닝(patterning) 기술에 달려 있다고 해도 과언이 아니다. 그러나 현재 사용되고 있는 광리소그래피는 사용하는 파장의 길이에 따른 분해능(resolution)의 한계로 인하여, 이러한 나노 스케일의 소자를 제작하기 위해서는 새로운 리소그래피 기술이 필요하다는 것이 일반적으로 인정이되고 있다.(중략)

• 전기전자학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.205-210
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• 2011

본 논문에서는 주변의 간섭 잡음의 변화가 큰 RFID 환경에서 입력 신호를 구형파로 복원할 때 히스테리시스의 문턱전압을 디지털적으로 제어하여 신호 수신 신뢰도를 높이기 위한 비교기 회로를 0.35-${\mu}m$ 선폭 CMOS IC 로 제안 하고 분석, 설계 후 모의 실험을 통하여 전기적 특성을 측정, 비교, 분석하였다. 4개의 디지털 비트를 조절하여 제안된 비교기 회로의 문턱전압을 12mV에서 246mV까지 234mV 만큼 제어가 가능함을 모의실험에서 입증하였으며, 그 결과는 회로를 분석적으로 계산한 값과 매우 적은 오차로 일치하였다. 공급전원은 3.3V를 사용하였다. 또한 다양한 입력신호 및 간섭신호의 환경에서 본 논문에서 제시한 가변회로가 잡음에 덜 민감함을 입증하기 위하여 디지털 제어 비트의 조절로 100kHz의 입력신호에 대한 10MHz의 잡음신호의 영향 및 10kHz의 입력신호에 대한 1MHz의 잡음신호의 영향에서 글리치(Glitch) 오류 제거효과가 큼을 예시하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권11호
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• pp.37-42
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• 2010

본 논문에서는 주변의 간섭 잡음의 변화가 큰 RFID 환경에서 입력 신호를 구형파로 복원할 때 히스테리시스의 문턱전압을 디지털적으로 제어하여 신호 수신 신뢰도를 높이기 위한 비교기 회로를 0.35 마이크론 선폭의 CMOS IC 로 제안 하고 분석, 설계 후 제작하여 전기적 특성을 측정, 비교, 분석하였다. 이론에서 예측한 디지털 제어 비트의 변화에 대한 히스테리시스의 문턱전압의 가변성이 실험에서 잘 일치함을 입증하였다.

• 전자공학회논문지
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• 제50권10호
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• pp.231-238
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• 2013

본 논문은 플랫판넬 디스플레이 장치에 사용할 DC-DC 변환기의 설계에 관한 것이다. 6~14[V]의 단일 DC 전원전압으로부터 플랫 판넬 백바이어스용 -5[V] DC 전압 발생회로(Negative DC Voltage Generator)와 승압된 15[V], 23[V] DC 전압 발생회로, 그리고 강압된 3.3[V] DC를 얻기 위한 회로를 설계하였다. 또한 기준 전압원으로 사용하기 위한 밴드갭 회로와 발진기, 레벨변환기 회로, 고온보호 회로 등을 설계하였다. 제작공정은 부(-)전압으로 동작하는 회로와 기타 회로를 분리하기 위해서 트리플-웰(Triple-Well)구조가 적용된 공정 내압 30[V], 최소선폭 0.35[${\mu}m$], 2P_2M CMOS 공정을 사용하였다. 설계된 모든 회로는 시뮬레이션으로 검증하여 동작을 확인하였으며 원 칩으로 제작하여 플랫판넬 디스플레이 장치에 응용할 수 있도록 기능을 확보하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제14권7호
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• pp.3474-3481
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• 2013

본 논문에서는 결함접지구조와 가유전체 기판구조를 이용하여 새로운 초고주파 대역 전송선로 구조가 제안된다. 결함접지구조는 전송선로의 단위길이당 등가의 인덕턴스를 증가시켜 동일한 선폭일 때 전송선로의 특성 임피던스를 키우면서 선로의 길이를 줄여준다. 가유전체 기판구조는 전송선로의 단위길이당 등가의 커패시턴스를 증가시켜, 동일한 선폭일 때 전송선로의 특성 임피던스를 낮추면서 선로의 길이를 줄여준다. 따라서 결함접지구조와 가유전체 기판구조는 모두 전송선로의 길이를 줄이면서 선폭에 대해서는 상보적인 역할을 한다. 그러므로 두 구조가 결합되면 전송선로의 특성 임피던스는 크게 변하지 않은 채 길이만 더욱 줄일 수 있으므로, 초고주파 회로의 소형화에 크게 유리하다. 본 논문에서는 결함접지구조와 가유전체 기판구조를 모두 결합시킨 $35{\sim}100{\Omega}$ 전송선로를 설계하고, 실제로 제작 및 측정하여 그 결과를 제시하는데, 특성 임피던스의 예측값과 측정값이 잘 일치함을 보인다. 동일한 전기적 길이에 대하여 제안한 전송선로는 Fig.준형 마이크로스트립 전송선로에 비하여 불과 55.4~76.9% 물리적 길이를 갖는다.

• 전자공학회논문지
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• 제53권1호
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• pp.139-144
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• 2016

본 논문은 가변 스위칭 주파수 PFM을 이용한 DC-DC 변환기의 집적회로 개발 시, 적용 가능한 주요 기능 블록의 설계에 관한 것이다. DC전압 변환 시 부하에 공급되는 전류가 작거나 출력전압이 설정값 근처에 도달했을 때 PFM 모드로 동작시켜 전력변환 효율을 높일 수 있다. PFM DC-DC 변환기 구현에 필요한 PFM 신호 발생회로, PFM 주파수 제어기, 출력전압감지회로 그리고 과전류보호회로를 설계하였다. 설계를 위한 공정파라미터는 내압 12[V], 최소선폭 $0.35[{\mu}m]$, 2P_2M CMOS 공정을 사용하였다.

• 전자공학회논문지
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• 제51권5호
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• pp.219-225
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• 2014

본 논문에서는 가정용 교류 전원을 DC 전원으로 변환하여 가전기기에 사용할 수 있는 역률 개선 회로를 설계하였다. 역률은 공급되는 교류 전원의 전압과 전압의 위상차 뿐만 아니라 특정구간에서 발생되는 급격한 전류 파형의 불균형 등과도 관련이 있다. 설계된 본 회로는 부하에 공급되는 교류전력의 전류 파형은 전압파형과 위상차가 적으면서 정현파에 가깝게 공급하는 기능을 제공한다. 자체 발진하는 10[kHz]~100[kHz] 내외의 주파수로 AC 전원에 연결된 코일을 스위칭 한 후 코일전류를 부하에 공급하는 기능을 위한 회로, AC 파형의 zero crossing 지점을 찾는 기능을 함께 수행하는 multiplier 회로, UVLO, OVP, BGR 등의 회로를 한 개의 IC에 집적할 수 있도록 설계하였다. 제작공정은 최소선폭 $0.5[{\mu}m]$, 내압 20[V], 2P_2M CMOS 공정을 사용하여 설계하였고 시뮬레이션을 통하여 전체 기능을 검증하였다.