• 공업화학
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• 제2권3호
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• pp.193-198
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• 1991

후막 구리도체는 귀금속계 도체에 비하여 가격이 저렴하고 전기전도도, 납땜성, 땜납 침식저항, 와이어 본딩성등의 양호한 성질 때문에 매우 중요성을 갖는다. 그러나 우수한 후막 구리도체를 형성하는 것은 구리가 높은 온도에서 쉽게 산화하는 성질로 인해 상당히 복잡하다. 양호한 구리후막을 얻기 위하여 하이브리드 마이크로회로업계는 질소분위기, 반응성분위기 또는 공기분위기를 사용한다. 이 글에서는 후막 구리도체의 소성공정과 세종류의 소성분위기에 대하여 종합적으로 고찰하였다.

• 전기학회논문지
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• 제56권4호
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• pp.761-767
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• 2007

In this paper, we deal wih a concurrent dual band low noise amplifier for a Radio Frequency Identification(RFID) reader operating at 912MHz and 2.45GHz. The design of the low noise amplifier is based on the TSMC $0.18{\mu}m$ CMOS technology. The chip size is $1.8mm\times1.8mm$. To improve the noise figure of the circuit, SMD components and a bonding wire inductor are applied to input matching. Simulation results show that the 521 parameter is 11.41dB and 9.98dB at 912MHz and 2.45GHz, respectively The noise figure is also determined to 1.25dB and 3.08dB at the same frequencies with a power consumption of 8.95mW.

• 한국전자파학회논문지
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• 제25권4호
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• pp.483-486
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• 2014

일반적으로 플립 칩은 와이어 본딩에 비해 신호 무결성을 저해하는 기생 성분이 작지만, 60 GHz 대역에서는 설계하기에 따라서 2 dB 이상의 삽입 손실 차이가 난다. 본 논문에서는 플립 칩 구조의 여러 설계 변수들에 따라 삽입 손실이 어떻게 변하는 지를 분석함으로써 설계를 최적화하는 방법을 제시한다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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• pp.29-33
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• 2002

본 논문은 자기 바이어스(self bias)를 이용한 PCS 대역용 하이브리드 전력 저잡음 증폭기(power LNA) 모듈에 관한 것으로 GaAs p-HEMT 칩을 세라믹 기판에 실장하여 와이어 본딩과 주변 매칭을 통해 고주파 손실을 줄이고 온도 변화에 대한 안정성과 1.2㏈의 저잡음, 21~23㏈m의 P$_1$㏈를 실현하였다. 10mm$\times$10mm 크기로 표면 실장이 되도록 단자를 cut-line 형태로 모듈화 하여 안정성과 신뢰성을 향상시켰고 또한 저가격화를 실현하였다.

• 한국통신학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.72-80
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• 1997

알루미나 기판에 PHEMT 칩을 이용하여 750MHz CATV 증폭모듈을 설계 및 제작하였다. 와이어 본딩된 PHEMT 칩을 이용하여 개발된 2단 푸쉬풀 증폭기는 50~750MHz 대역에서 19dB 이득, 15dB 이상의 입출력 반사손실 4.2dB 이하의 잡음지수 특성을 나타내었다. 이 결과는 상용의 750MHz 증폭기모듈의 특성보다 우수하다. 본 논문에서는 증폭기 설계, 회로 구성 및 측정 결과 등을 제시하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제26권4호
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• pp.7-13
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• 2019

Power module is getting attention from electronic industries such as solar cell, battery and electric vehicles. Transient liquid phase (TLP) boding, sintering with Ag and Cu powders and wire bonding are applied to power module packaging. Sintering is a popular process but it has some disadvantages such as high cost, complex procedures and long bonding time. Meanwhile, TLP bonding has lower bonding temperature, cost effectiveness and less porosity. However, it also needs to improve ductility of the intermetallic compounds (IMCs) at the joint. Wire boding is also an important interconnection process between semiconductor chip and metal lead for direct bonded copper (DBC). In this study, TLP bonding using Sn-based solders and wire bonding process for power electronics packaging are described.

• 전기학회논문지
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• 제57권4호
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• pp.653-659
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• 2008

This paper describes the design of high power transistor packages using high power chip transistor dies, chip capacitors and a new wire bonding technique. Input impedance variation and output power performances according to wire inductance and resistance for internal matching are also discussed. A multi crossing type(MCT) wire bonding technique is proposed to replace the conventional stepping stone type(SST) wire bonding technique, and eventually to improve the output power performances of high power transistor packages. Using the proposed MCT wire bonding technique, it is possible to design high power transistor packages with highly improved output power compared to SST even the package size is kept to be the same.

• 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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• 한국소음진동공학회 2007년도 추계학술대회논문집
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• pp.583-588
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• 2007

This paper investigates the vibration characteristics of a wire-bonding transducer horn for high speed welding devices. The sample wire-bonder uses the input frequency of 136 kHz. The ultrasonic excitation causes the various vibrations of transducer horn and capillary. The vibration modes and frequencies close to the exciting frequency are identified using ANSYS. The nodal lines and amplification ratio of the ultrasonic horn are also obtained in order to evaluate the bonding performance of the sample wire-bonder system. The FEM results and experimental results show that the sample wire-bonder system uses the bending mode of 136 kHz as principal motion for bonding. The major longitudinal mode exists at 119 kHz below the excitation frequency. It is recommeded that the sample system is to set the excitation frequency at 119 kHz to improve bonding performance.

• 대한기계학회논문집A
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• 제26권10호
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• pp.2008-2017
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• 2002

Joint structure of a transducer horn-holder assembly fur a wire bonder was examined through FEM contact analysis. A three dimensional modeling and analysis was carried out to survey the internal physics of this structure and to prove the accuracy of a computation compared to a measurement. After validation, a simple two dimensional model was built fur various parametric study considering the efficiency and speed of the computation. Several factors such as boundary conditions, a modeling boundary, mesh density and so on, were considered to obtain consistency with three dimensional analysis. An arc angle and a position of each holder boss were chosen as design parameters. A design of experiment was applied to find out an optimized design of the holder geometry. As a result, a guideline for holder boss design was suggested and main factors and their influence on stress concentration in the transducer horn were surveyed.

• 접착 및 계면
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• 제25권2호
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• pp.63-68
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• 2024

본 연구에서는 반도체 패키지용 와이어 본딩 공정에서 금(Au) wire의 표면처리에 적용되는 린스의 종류에 따른 Au wire의 오염 현상을 확인하고자 하였다. Au wire의 표면처리를 위해 실리콘(Si) 성분이 함유된 린스와 유기 계통으로만 이루어진 린스를 주로 사용하고 있으며, 실제 영향성을 확인하기 위해 두 종류의 1.0wt% 린스 용액으로 Au wire에 표면처리를 진행하였다. 이후, 반도체 공정에서 발생할 수 있는 Si 성분이 포함된 분진과의 반응성을 확인하기 위한 모사 실험을 진행하였다. 그 결과, optical microscopy(OM) 및 scanning electron microscopy(SEM) 분석을 통해 Si 성분이 함유된 린스로 표면처리한 Au wire의 경우 분진이 다량 흡착되었으며, 유기 계통으로만 이루어진 린스로 표면처리한 Au wire에는 소량의 분진이 흡착된 것을 확인하였다. 이는 Si 성분이 함유된 린스의 경우 상대적으로 극성을 띠기에, 주성분이 극성인 분진과 극성 상호작용을 일으키기 때문이다. 따라서 Si 성분이 존재하지 않는 린스를 사용하여 Au wire를 표면처리할 경우 분진에 의한 오염 현상이 감소하여 실제 와이어 본딩 공정에서 불량률을 낮추는 효과를 볼 수 있을 것으로 기대한다.